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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[外观设计]基板处理设备用电极-CN202130733183.9有效
发明人：李政镐;金材玹;辛进豪;张显秀 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：基板处理设备用电极。2.本外观设计产品的用途：本产品是用于基板处理设备的电极。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。5.后视图与主视图相同，省略后视图;左视图与主视图相同，省略左视图;右视图与主视图对称，省略右视图。
处理备用电极

[外观设计]基板处理设备用气体分配器-CN202130733187.7有效
发明人：李政镐;金材玹;辛进豪;张显秀 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：基板处理设备用气体分配器。2.本外观设计产品的用途：本产品是用于基板处理设备的气体分配器。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。5.后视图与主视图相同，省略后视图;左视图与主视图相同，省略左视图;右视图与主视图相同，省略右视图。
处理备用气体分配器

[发明专利]基板处理设备-CN201711328250.8有效
发明人：金永勋;韩镕圭;金大渊;张显秀;李政镐 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种基板处理设备，包括：具有至少一个通孔的分隔件，通过所述通孔布置在所述分隔件中的导管，与所述导管连接的气体供给单元，以及设置在所述通孔的侧壁和所述导管之间的低介电材料。
处理设备

[外观设计]基板处理设备用气流控制板-CN202130733184.3有效
发明人：李政镐;金材玹;辛进豪;张显秀 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：基板处理设备用气流控制板。2.本外观设计产品的用途：本产品是用于基板处理设备的气流控制板。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。5.后视图与主视图相同，省略后视图;左视图与主视图相同，省略左视图;右视图与主视图相同，省略右视图。
处理备用气流控制板

[发明专利]基板处理设备-CN201711376999.X有效
发明人：金永勋;韩镕圭;金大渊;张显秀;李政镐 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了一种具有改进的均匀性和反应速度的基板处理设备。一种基板处理设备，包括：主体部分，其包括排放路径；气体供应单元，其连接到所述主体部分；第一分隔件，其从所述主体部分延伸；第二分隔件，其从所述主体部分延伸，并且布置在所述气体供应单元与所述第一分隔件之间；以及基板支撑单元，其被构造为与所述第一分隔件表面密封，其中所述第一分隔件和所述第二分隔件之间的第一区域以及所述气体供应单元和所述第二分隔件之间的第二区域连接到所述排放路径。
处理设备

[发明专利]气体供应单元及包括其的衬底处理设备-CN202110371203.1在审
发明人：金材玹;金大渊;李政镐;张显秀;全然孮 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种能够防止功率耗散且实现高过程再现性的衬底处理设备包括分隔件和在分隔件下方的处理单元，其中处理单元包括导电本体和与导电本体一体地形成的至少一个导电突起。
气体供应单元包括衬底处理设备

[发明专利]衬底处理设备-CN201810994464.7有效
发明人：严基喆;张显秀;李政镐;韩镕圭 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体供应单元及一种包括所述等离子体供应单元的衬底处理设备，所述等离子体供应单元包括：第一导电部分；第二导电部分，其至少一部分延伸成与所述第一导电部分交叠；以及接地屏蔽物，位于所述第一导电部分与所述第二导电部分之间。
衬底处理设备

[外观设计]半导体加工设备用电极-CN202030579755.8有效
发明人：金材玹;李政镐;张显秀 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：半导体加工设备用电极。2.本外观设计产品的用途：用于半导体加工设备的电极。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。5.后视图、左视图、右视图与主视图相同，省略后视图、左视图、右视图。
半导体加工备用电极

[发明专利]包括沉积设备的半导体制造系统-CN201610550317.1有效
发明人：金大渊;金熙哲;张显秀 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供了一种半导体制造系统，其具有增大的工艺窗口以用于稳定并灵活地进行沉积工艺。所述半导体制造系统包括：起到第一电极的作用并包括多个注入孔的气体供应装置；连接至所述气体供应装置的反应器壁；以及起到第二电极作用的衬底容纳装置，所述衬底容纳装置和所述反应器壁配置成通过面密封而一起密封。从所述气体供应装置向所述衬底容纳装置供应的反应气通过所述气体供应装置和所述反应器壁之间的排气路径而排到外部。所述第一电极包括邻近所述气体供应装置的边缘的突出电极。
包括沉积设备半导体制造系统

[发明专利]气体供应单元及包括气体供应单元的基板处理装置-CN201711120632.1有效
发明人：金永勋;韩镕圭;金大渊;张显秀;李政镐 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供了具有改进的膜处理均匀性的基板处理装置。基板处理装置包括配置成提供气体供应通道的分隔件和连接到气体供应通道的气体供应单元。与气体供应通道连通的气流通道形成在气体供应单元中。第一通孔形成为穿过分隔件的至少一部分。第二通孔形成为穿过气体供应单元的至少一部分。第一通孔经由第二通孔与气流通道连通。第二通孔布置在气流通道的中心和边缘之间，并且布置成与边缘间隔开。
气体供应单元通孔基板处理装置气体供应通道气流通道分隔件连通穿过边缘间隔均匀性膜处理配置改进

[发明专利]薄膜沉积装置-CN201610523486.6有效
发明人： 张显秀;金大渊;李政镐;金永勋;李承燮;金友燦 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种反应室包括：反应器壁；接触所述反应器壁以界定反应空间的基座；和在所述反应器壁与所述基座之间堆叠的气流控制装置和喷头构件。喷头构件包括气体通道和喷头。贯穿所述气流控制装置的突出横向部分而形成贯穿孔，并且所述反应器壁与所述喷头构件的横向部分彼此隔开以形成排气路径。在所述排气路径中剩余的气体通过所述贯穿孔和在所述反应器壁的上部中形成的出气口排出。所述反应室提供反应空间和所述排气路径，其中去除了不必要的区域以使气体快速地从一种改为另一种，因此可以高效率和高生产率完成原子层沉积。
薄膜沉积装置

[发明专利]薄膜沉积设备-CN201610654003.6有效
发明人： 张显秀;李政镐;金友燦;田星训;孙宗源 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：提供一种衬底托架以及一种包括该衬底托架的半导体制造设备。所述衬底托架通过与反应器壁面密封接触来提供反应区域。在所述衬底托架与所述反应器壁面密封接触时，所述衬底托架在被施加压力时具有弹性行为。半导体制造设备包括：所述衬底托架；和气体供应单元，被配置成向由所述反应器壁和所述衬底托架所提供的所述反应区域供应气体。
薄膜沉积设备

[发明专利]沉积装置及具有该沉积装置的沉积系统-CN201610652050.7有效
发明人：孙宗源;金大渊;李相敦;张显秀 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种沉积装置，包括：具有主表面的衬底支架，在该主表面上放置衬底；设置于所述主表面上并且包括具有暴露的上部的中空部分的主体；设置在所述主体的内圆周表面处以将所述中空部分分成上部空间和下部空间的等离子体电极单元；和向所述等离子体电极单元供应工艺气体的气体供应单元，其中在所述主体中形成从所述下部空间向设置在所述主体的顶部的排放出口延伸的排气通道。
沉积装置具有系统

[外观设计]用于半导体制造设备的气体分散板-CN201630070792.X有效
发明人： 张显秀;李政镐;金永勋;全永孝 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：用于半导体制造设备的气体分散板。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于安装在半导体制造设备的反应器内，广泛分散引入反应器中的气体。3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
用于半导体制造设备气体散板

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