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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910851493.2在审
发明人：裵镇国;郑显秀;李仁荣;张东铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：半导体衬底；导电焊盘，所述导电焊盘设置在所述半导体衬底上；以及柱状图案，所述柱状图案设置在所述导电焊盘上。所述半导体器件还包括：焊料种子图案，所述焊料种子图案设置在所述柱状图案上；以及焊料部分，所述焊料部分设置在所述柱状图案和所述焊料种子图案上。所述焊料种子图案的第一宽度小于所述柱状图案的顶表面的第二宽度。
半导体器件及其制造方法

[外观设计]汽车的散热器格栅-CN201630350083.7有效
发明人： 张东铉 -专利权人：通用汽车环球科技运作公司
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： 12-16 文献下载
摘要：1、本外观设计产品的名称：汽车的散热器格栅。2、本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于汽车。3、本外观设计产品的设计要点：如图所示的形状。4、最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
汽车散热器格栅

[外观设计]汽车的散热器格栅-CN201630350084.1有效
发明人： 张东铉 -专利权人：通用汽车环球科技运作公司
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： 12-16 文献下载
摘要：1、本外观设计产品的名称：汽车的散热器格栅。2、本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于汽车。3、本外观设计产品的设计要点：如图所示的形状。4、最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
汽车散热器格栅

[发明专利]半导体装置及其制造方法和半导体封装件-CN201110396465.X有效
发明人：李镐珍;赵泰济;张东铉;宋昊建;郑世泳;姜芸炳;尹玟升 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法和半导体封装件。在一个实施例中，一种半导体装置包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体基底。第二表面限定再分布槽。基底具有延伸通过基底的通孔。半导体装置还包括设置在通孔中的通孔件。通孔件可以包括顺序形成在通孔的内壁上的通孔绝缘层、阻挡层。通孔件还可以包括与阻挡层相邻的导电连接件。半导体装置另外包括形成在基底的第二表面上的绝缘层图案。绝缘层图案限定暴露通孔件的顶表面的一定区域的开口。半导体装置包括设置在槽中并电连接到通孔件的再分布层。绝缘层图案与导电连接件的一定区域叠置。
半导体装置及其制造方法封装

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201110306691.4有效
发明人：李泽勋;金沅槿;张东铉;宋昊建;任成晙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-10-08 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体封装件及其制造方法。一种形成具有大容量和减小或最小化的体积的半导体封装件的方法包括以下步骤：利用粘结层将半导体基底附接在支撑基底上，其中，半导体基底包括多个第一半导体芯片和芯片切割区域；在多个第一半导体芯片中的第一个和第二个之间形成具有第一切口宽度的第一切割凹槽，从而将半导体基底分成多个第一半导体芯片；将分别与第一半导体芯片对应的多个第二半导体芯片附接到多个第一半导体芯片；形成模塑层以填充第一切割凹槽；在模塑层中形成具有比第一切口宽度小的第二切口宽度的第二切割凹槽，以将模塑层分成覆盖多个第一半导体芯片中的一个和多个第二半导体芯片中的相应的一个的各个模塑层。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]三维半导体器件-CN201110219876.1有效
发明人：姜郁成;张东铉;张星珍;李勋;金镇护;金南锡;文炳植;李于东 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-05-25 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： G11C5/00 文献下载
摘要：一种三维(3D)半导体器件包括芯片的层叠，该芯片包括一个主芯片与一个或多个从芯片。从芯片的I/O连接部不需连接到母板上的通路，仅主芯片的电极焊盘可连接到所述通路。仅该主芯片可提供负载到所述通路。硅贯通孔(TSV)界面可配置在半导体器件的数据输入路径、数据输出路径、地址/命令路径、以及时钟路径上，其中在该半导体器件中相同类型的半导体芯片相层叠。
三维半导体器件

[发明专利]半导体芯片和晶片堆叠封装件的制造方法-CN201010525017.0有效
发明人：黄善宽;李仁荣;李镐珍;张东铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-10-27 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片和晶片堆叠封装件的制造方法，所述半导体芯片的制造方法包括以下步骤：在基底的前表面中形成第一通孔；利用第一导电材料在第一通孔中形成第一导电塞，第一导电塞包括在基底中的第一部分和从基底突出的第二部分；利用第二导电材料在第一导电塞的上表面上形成第二导电塞，第二导电塞的横截面面积小于第一导电塞；对基底的后表面进行背部减薄；在基底的经过背部减薄的后表面中形成第二通孔，第二通孔与第一通孔对准。
半导体芯片晶片堆叠封装制造方法

[发明专利]半导体芯片及其制造方法、堆叠模块和存储卡-CN201010108463.1有效
发明人：李镐珍;张东铉;李仁荣;尹玟升;黄善宽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体芯片、制造该半导体芯片的方法、包括该半导体芯片的堆叠模块和存储卡，其中，所述半导体芯片包括第一表面和面对第一表面的第二表面。至少一个通孔包括在从基底的第一表面向着基底的第二表面的方向延伸的第一部分以及连接到第一部分并且具有锥形形状的第二部分。提供了填充所述至少一个通孔的至少一个通孔电极。
半导体芯片及其制造方法堆叠模块存储

[发明专利]半导体装置及其制造方法以及包括该半导体装置的系统-CN201010160042.3无效
发明人： 张东铉;李仁荣;金南锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-04-01 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体装置及其制造方法以及包括该半导体装置的系统。在该方法中，将包括焊盘的基底的一部分去除以形成通孔。在基底上形成绝缘层。将绝缘层的一部分去除以形成开口部分，所述开口部分包括暴露焊盘的多个部分的多个开口。使通电极形成为填充通孔并通过多个开口中的一个开口电连接到焊盘。通过多个开口中的另一开口暴露焊盘的一部分。
半导体装置及其制造方法以及包括系统

[发明专利]具有增强的接点可靠性的半导体封装及其制造方法-CN200810098529.6无效
发明人：郑显秀;张东铉;金南锡;姜善远 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-05-22 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：所提供的是一种具有增强的接点可靠性的半导体封装及其制作方法。该方法包括：形成包括封装单元，该封装单元包括插入在底层与顶层之间的半导体芯片；以及，在衬底上顺序堆叠所述封装单元。所述底层和所述顶层由具有比半导体芯片模量低的模量的材料形成。所述半导体封装包括：布置在衬底上的至少一个封装单元，所述封装单元包括：具有焊盘的半导体芯片、基本包围所述半导体芯片的底层和顶层、以及覆盖在所述顶层上的再分布结构。所述再分布结构电连接到所述焊盘。
具有增强接点可靠性半导体封装及其制造方法

[发明专利]堆叠封装及其制造方法-CN200710169121.9无效
发明人：郑显秀;张东铉;郑泰敬;金南锡;柳承官 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：提供了一种堆叠封装及其制造方法。堆叠封装包括在其中插入具有键合衬垫的半导体芯片的至少一个或多个插入器，由于半导体芯片与半导体芯片插入的空腔之间的面积差而形成的互连端子槽，以及在互连端子槽中形成与键合衬垫连接的互连端子。在堆叠封装中，插入器彼此堆叠，并且互连端子相互连接，以使得一个或多个半导体芯片彼此堆叠并电连接。
堆叠封装及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200810009418.3无效
发明人：郑载植;沈成珉;崔熺国;张东铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-02-01 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。根据一些实施例，半导体装置包括形成在半导体结构上的下部结构。下部结构具有芯片焊盘。半导体装置还包括位于芯片焊盘上方的钝化层。钝化层包括限定在其中的第一开口以暴露芯片焊盘的至少部分。半导体装置还包括相互分隔开并位于钝化层上方的至少两条相邻的再分布线。所述至少两条相邻的再分布线通过对应的第一开口分别连接到芯片焊盘。半导体装置包括位于钝化层上方的第一绝缘层。第一绝缘层包括在所述至少两条相邻的再分布线之间延伸的孔穴。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]用于最小化待机功率的广播接收装置及其方法-CN200710085505.2有效
发明人： 张东铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-03-07 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H04N5/63 文献下载
摘要：一种用于最小化待机功率的广播接收装置及其方法。所述广播接收装置包括：检测器，检测输入的交流(AC)电压的变化，并输出与检测结果相对应的直流(DC)电压；以及控制器，基于与DC电压相对应的数字电压而检测电流的变化，并根据所述控制器的检测结果确定与所述广播接收装置相连的外部装置的开启/关闭状态。因此，能够根据向所述外部装置供电的变化而确定所述外部装置是否开启或关闭，从而基于确定结果而停止向所述外部装置供电，而且基于省电数据而有选择地控制向所述广播接收装置中的组件供电。
用于最小化待机功率广播接收装置及其方法

[发明专利]具有应力消除分隔件的晶片级封装及其制造方法-CN200710001527.6有效
发明人：郑显秀;李镐珍;张东铉;李东镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-01-04 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有应力消除分隔件的半导体器件封装和一种制造该半导体器件封装的方法，在该半导体器件封装中，从芯片的本体延伸的金属互连指状物提供芯片互连。金属指状物通过应力消除分隔件与芯片的本体隔离。在一个示例中，这种隔离采取空气间隙的形式。在另一示例中，这种隔离采取弹性体材料的形式。在任一种情况下，避免了金属互连指状物和芯片的本体之间的热膨胀系数的不匹配，从而减轻了与裂纹和剥离相关的问题，并使得器件产量和器件可靠性提高。
具有应力消除分隔晶片封装及其制造方法

[发明专利]半导体器件的电极结构及其制造方法-CN200510092056.5无效
发明人：郑显秀;沈成珉;张东铉;朴明洵;宋永僖 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-08-16 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路(IC)芯片和封装。在半导体器件的制造中，沉积感光层从而以该感光层覆盖电极的暴露部分。该感光层然后经历光刻工艺从而部分地去除该感光层的覆盖该电极的部分。该电极可以是球电极或凸点电极，该半导体器件可以包含在晶片级封装(WLP)或倒装芯片封装中。
半导体器件电极结构及其制造方法

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