专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种地质灾害预警装置-CN202310762878.8在审
  • 司光辉;何卓轩;康剑;焦阳涛;周雪峰 - 河南地矿集团中昊建设工程有限公司
  • 2023-06-26 - 2023-10-10 - F16M9/00
  • 本申请公开了一种地质灾害预警装置,包括预警箱、环形板体及桩体,桩体下端呈棱锥状,桩体内设置有多组斜向加固组件,多组斜向加固组件关于桩体中垂线均匀分布,斜向加固组件包括与桩体内壁固定的楔形块、贯穿设置于桩体侧壁上并与桩体滑移连接的斜向加强杆、与斜向加强杆上端固定的抵触杆、与抵触杆上端靠近桩体内壁的位置固定的安装板及固定于安装板与楔形块之间的第一弹簧,桩体上设置有驱使多个斜向加强杆同时穿过桩体侧壁并插入土层中的驱动机构,且驱动机构还可驱使桩体自上而下插入土层中。本申请中,多个斜向加强杆与桩体配合,加强了桩体与土层之间的连接力,提高了桩体与土层之间连接的稳定性,提高了预警装置使用过程中的稳定性。
  • 一种地质灾害预警装置
  • [发明专利]一种碳化硅MOSFET器件及制造方法-CN202310810349.0在审
  • 任炜强;康剑;春山正光 - 深圳真茂佳半导体有限公司
  • 2023-07-03 - 2023-08-25 - H01L29/78
  • 本申请涉及半导体技术领域,尤其是涉及一种碳化硅MOSFET器件及其制造方法,器件包括设有掺杂阱区的碳化硅外延层、依次层叠设置于碳化硅外延层上的同图案的栅氧化层和栅极层、包覆栅氧化层和栅极层的自对准绝缘层间层、第一导电层;掺杂阱区内设有第一接触区和多个源极结,在源极结与碳化硅外延层之间形成位于表面的有源区;碳化硅外延层内设有第二接触区;栅氧化层覆盖有源区,在相邻的两个栅极层之间形成栅间隙;自对准绝缘层间层具有对应第一接触区扩大修正的修正开口和对应第二接触区缩小后的栅间隙;基于该修正开口,第一导电层覆盖第一接触区与露出的部分源极结,基于缩小后的栅间隙,第一导电层覆盖第二接触区。
  • 一种碳化硅mosfet器件制造方法
  • [实用新型]一种水文地质检测装置-CN202320798250.9有效
  • 康剑;张英举;赵云龙;王玉莹;周雪峰 - 河南地矿集团中昊建设工程有限公司
  • 2023-04-11 - 2023-08-15 - G01N1/14
  • 本申请属于水文检测技术领域,公开了一种水文地质检测装置,包括内部中空的检测箱,所述检测箱的内底壁上固定设置有隔板,所述隔板的上表面与检测箱的内顶壁相互抵接,检测箱的内顶壁上固定设置有上端开口的收集瓶,所述检测箱的上表面固定设置有水泵,所述收集瓶与水泵分别位于隔板的两侧,所述水泵远离收集瓶的侧壁上设置有抽水管,所述抽水管远离水泵的一端贯穿检测箱并延伸至检测箱外,所述水泵的上表面设置有出水管,所述出水管远离水泵的一端贯穿隔板并延伸至收集瓶内,所述收集瓶的底面固定设置有检测头,所述检测箱上设置有用于降低工作人员移动检测箱难度的移动组件。本申请具有降低工作人员工作难度的效果。
  • 一种水文地质检测装置
  • [实用新型]一种三维体态测量仪及三维体态测量系统-CN202222731215.3有效
  • 陈亮亮;康剑;刘丰伟 - 上海迦辰智能科技有限公司
  • 2022-10-17 - 2023-08-11 - A61B5/107
  • 本实用新型提供了一种三维体态测量仪及三维体态测量系统,三维体态测量仪包括底座、多个第一立柱、多个第二立柱、多个第一深度相机、多个第二深度相机及控制组件。多个第一立柱可拆卸连接于底座;多个第二立柱转动连接于第一立柱远离底座的一端;多个第一深度相机分别固定于多个第一立柱;多个第二深度相机分别固定于多个第二立柱;控制组件固定于第一立柱和/或第二立柱,并与第一深度相机和第二深度相机均电连接;其中,底座、第一立柱以及第二立柱共同围合形成测量空间,第一深度相机和第二深度相机朝向测量空间。本实用新型中,第二立柱和第一立柱可以折叠在一起,第一立柱可拆卸连接于底座,三维体态测量仪拆装容易、携带方便。
  • 一种三维体态测量仪测量系统
  • [发明专利]保护栅极电荷平衡的MOSFET器件及其制造方法-CN202211731658.0有效
  • 任炜强;春山正光;康剑 - 深圳真茂佳半导体有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-08-08 - H01L29/06
  • 本申请涉及一种保护栅极电荷平衡的MOSFET器件,包括衬底、用于形成多层隔离栅阱的第一外延结构、用于形成屏蔽电场的第二外延结构以及与第二外延结构共同形成空间电荷区的第三外延结构。第三外延结构内开设有若干栅极沟槽。通过第二外延结构形成屏蔽电场以保护栅极沟槽的底面电场线密度较高的位置。同时,第二外延结构与第三外延结构组合形成空间电荷区,从而将栅极沟槽底部的电场部分转移至空间电荷区中,以减小栅极沟槽底部的电场,提高MOSFET工作的可靠性,实现较低的开关损耗。最后,通过隔离栅阱减小MOSFET内的JFET效应,与第二外延结构及第三外延结构形成的空间电荷区共同作用以降低MOSFET的导通损耗。
  • 保护栅极电荷平衡mosfet器件及其制造方法
  • [发明专利]一种碳化硅MOSFET器件及其制作方法-CN202310682004.1在审
  • 任炜强;春山正光;康剑;张中华 - 深圳真茂佳半导体有限公司
  • 2023-06-08 - 2023-07-25 - H01L29/06
  • 本申请涉及一种碳化硅MOSFET器件及其制作方法,器件包括衬底、碳化硅外延结构、栅极沟槽内由一个栅极分隔的相对第一栅极填充体与第二栅极填充体以及设置于碳化硅外延结构上的源极金属层。形成在碳化硅外延结构的栅极沟槽内的栅极形成有源极接触孔,碳化硅外延结构的外延层在源极接触孔的底部设置有栅隔离结,源极金属层还填充于源极接触孔内,与栅隔离结接触,以降低栅隔离结的工作电位。当MOSFET处于反向偏置状态时,栅隔离结形成耗尽层,从而对栅极氧化层起到屏蔽电场的作用,从而降低栅极氧化层被电场击穿的可能性。在此基础上,源极金属层与碳化硅外延结构表面的体隔离结与内部的栅隔离结接触,从而使得栅极沟槽底部的栅隔离结的电位与源极金属层的电压差降低,实现了栅极沟槽底部的零电位。在漏极和源极反向加电压时,栅极沟槽底部的栅极氧化层不容易被高压电场击穿,从而进一步提升了MOSFET器件的可靠性。
  • 一种碳化硅mosfet器件及其制作方法
  • [实用新型]一种放大器模块的功率增强电路-CN202222548076.0有效
  • 曾德威;范泽;康剑;倪江 - 上海一诺仪表有限公司
  • 2022-09-26 - 2023-05-30 - H03F3/20
  • 本实用新型涉及数据采集技术领域,具体涉及一种放大器模块的功率增强电路,包括:比较器,所述比较器的正向端连接一低电压信号,所述比较器的反向端连接通过第一检测器连接一输入电压,于所述比较器的反向端与输出端之间设置一反馈RC电路;电阻模块,所述电阻模块包括四个电阻,四个所述电阻中任意两个电阻并联以形成第一并联电阻和第二并联电阻,所述第一并联电阻连接所述第二并联电阻以形成所述电阻模块,所述电阻模块的输入端连接所述比较器的输出端,所述电阻模块的输出端通过第二检测器连接外部电路、且通过第五电阻连接所述比较器的正向端。
  • 一种放大器模块功率增强电路

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