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[发明专利]焊接机以及具备其的焊接系统-CN202080061515.6在审
发明人：井原英树;安保宇;川岛纪之;野口昂裕;永野元泰 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： B23K9/095 文献下载
摘要：电弧焊接机(1000)至少具有：保持焊丝(400)的焊炬(300)和焊接用电源装置(100)。焊接用电源装置(100)至少具有：电流/电压检测部(20)、数据处理部(90)、第1存储部(40)和第2存储部(50)。电流/电压检测部(20)以采样频率(fs)依次获取焊接电压的多个输出电压值，第1存储部(40)对该多个输出电压值进行保存。数据处理部(90)基于第1存储部(40)中保存的多个输出电压值，计算在焊丝(400)与工件(W)之间发生的微小短路的发生次数及其平均值的至少一者，将计算出的微小短路的发生次数及其平均值的至少一者保存于第2存储部(50)。
焊接以及具备系统

[发明专利]有机薄膜的形成方法、有机薄膜的形成装置以及有机器件的制造方法-CN201180039625.3无效
发明人：后藤修;保原大介;野元章裕;村上洋介;富谷茂隆;小林典仁;清水圭辅;胜原真央;大江贵裕;川岛纪之;高桥由佳;福田敏生;石井由威 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机薄膜形成方法，能够在控制厚度和尺寸的同时轻松快速地形成单晶有机薄膜。在将有机溶液提供给由温度可控的支撑件支撑的成膜基板的一个表面（宽度较宽的溶液积蓄区以及宽度较窄并与所述溶液积蓄区连接的溶液限制区）之后，独立于所述支撑件温度可控的移动体沿所述支撑件的表面移动，同时保持与所述有机溶液接触。将所述支撑件的温度设定为位于关于所述有机溶液的溶解度曲线和超溶解度曲线之间的温度，并将所述移动体的温度设定为比溶解度曲线的温度高的一侧上的温度。
有机薄膜形成方法装置以及器件制造

[发明专利]电子器件及其制造方法、和半导体器件及其制造方法-CN201110238715.7无效
发明人：福田敏生;川岛纪之 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-08-18 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本文中公开电子器件及其制造方法、和半导体器件及其制造方法。该电子器件包括：(A)控制电极；(B)第一电极和第二电极；和(C)有源层，所述有源层由有机半导体材料层构成，该有源层设置在所述第一电极和所述第二电极之间使得通过绝缘层面对所述控制电极，其中至少接触所述有源层的所述绝缘层的部分由通过使结构通式(1)、(2)或(3)表示的材料固化而获得的层构成。
电子器件及其制造方法半导体器件

[发明专利]电子元件的制造方法以及电子元件-CN201110257562.0无效
发明人：鎌田将尚;山名广章;八木岩;川岛纪之 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明涉及电子元件制造方法和电子元件。所述电子元件的制造方法包括：在所述基板上形成所述布线层的布线层形成步骤；在所述布线层上形成所述有机绝缘层的有机绝缘层形成步骤；以及使用具有能透射所述有机绝缘层的波长的激光束穿过所述有机绝缘层来照射所述布线层的短路部分的照射步骤。因此，在本发明中，能够通过使用简单的方法在抑制激光束的影响的同时，使电子元件中的线路短路部分绝缘。
电子元件制造方法以及

[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法和电子装置-CN201110127816.7无效
发明人： 川岛纪之;村瀬英寿;胜原真央 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了薄膜晶体管制造方法、薄膜晶体管和电子装置。所述制造方法包括如下步骤：在基板上形成栅极电极；在所述栅极电极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成有机半导体层；利用激光烧蚀方法选择性地除去所述有机半导体层的一部分，形成有机半导体图形；以及在所述有机半导体图形上形成源极电极和漏极电极。所述薄膜晶体管包括：基板；形成在所述基板上的栅极电极；形成在所述栅极电极上的栅极绝缘层；利用激光烧蚀方法在所述栅极绝缘层上形成的有机半导体图形；以及形成在所述有机半导体图形上的源极电极和漏极电极。本发明能够容易且稳定地制造出低电阻的顶接触型薄膜晶体管，能够实现薄膜晶体管的高性能化和易制造化。
薄膜晶体管制造方法电子装置

[发明专利]有机半导体材料，有机半导体薄膜和有机半导体器件-CN201110033683.7无效
发明人：大江贵裕;川岛纪之;高桥保;菅野研一郎 -专利权人：索尼株式会社;国立大学法人北海道大学
申请日： 2006-05-31 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： C07C69/76 文献下载
摘要：一种有机半导体材料，由下面通式(1)表示的多并苯衍生物组成，通式(1)中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10各自满足下面(条件-A1)和(条件-A2)：(条件-A1)，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10独立地是相同的取代基或不同的取代基，但是，R1、R4、R5、R6和R10不能同时为氢原子。(条件-A2)，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10各自是至少一种选自以下的取代基组的取代基：有取代基的碳原子数为1-20的脂族烃基、有取代基的芳族烃基、有取代基的配位芳基、羧基、氢化物、酯基、氰基、羟基、卤原子和氢原子。通式(1)；本发明提供一种能在低温(例如，室温)溶解于有机溶剂并能适合采用涂布方法的有机半导体材料。
有机半导体材料有机半导体薄膜半导体器件

[发明专利]半导体复合膜及其形成方法、薄膜晶体管及其制造方法和电子设备-CN200910158226.3有效
发明人： 川岛纪之;大江贵裕 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-07-22 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明公开了半导体复合膜及其形成方法、薄膜晶体管及其制造方法和电子设备，所述半导体复合膜包括：包含有机半导体材料的半导体薄膜层；由在膜厚度方向上与有机半导体材料相分离的高分子材料形成的绝缘薄膜层；以及分散在半导体薄膜层和绝缘薄膜层的至少一者中的微粒材料。所述半导体复合膜形成方法包括：配制油墨，使有机半导体材料、高分子材料及微粒材料溶解在溶剂中；利用印刷方法在基板上形成包含上述油墨的材料层；以及通过除去材料层中的溶剂，在膜厚度方向上使有机半导体材料和高分子材料相分离并实现固化。本发明能通过半导体材料与高分子材料的含量比来控制相分离，并通过微粒材料的分散量来良好地控制膜形成用油墨的粘度和触变性。
半导体复合及其形成方法薄膜晶体管制造电子设备

[发明专利]图样形成方法、半导体装置制造方法以及显示器制造方法-CN200910142931.4无效
发明人： 川岛纪之 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-05-14 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种图样形成方法、半导体装置的制造方法以及显示器的制造方法。所述图样形成方法包括以下步骤：在基板上通过印刷形成树脂图样；通过这样的方式形成防水图样，即通过从树脂图样的顶部供给氟系材料而用氟系材料来覆盖树脂图样的开口底部；通过去除树脂图样而在防水图样中形成开口窗；并且通过将图样形成材料供给至防水图样的开口窗而形成由图样形成材料构成的目的图样。
图样形成方法半导体装置制造以及显示器

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN200810130548.2无效
发明人： 川岛纪之 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2008-07-07 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明提供了一种显示装置，包括：用于像素电极开关的像素电路，其配置在基板上；以及覆盖像素电路的层间绝缘膜。在这种显示装置中，层间绝缘膜具有在其底部露出像素电路的连接部分的连接孔，并且在连接孔的底部露出像素电路的相邻的像素电路的连接部分。本发明也提供了制造上述显示装置的方法。
显示装置及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法和薄膜晶体管以及显示装置-CN200710102579.2无效
发明人： 川岛纪之;野本和正;野元章裕 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-05-16 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法以及采用该薄膜晶体管的显示装置。该薄膜晶体管由有机半导体层、栅极绝缘膜和栅极电极依次位于基板上的叠层制成，且该薄膜晶体管的制造方法包括：通过印刷在栅极绝缘膜上图案化涂布栅极电极材料的步骤，以及进行热处理以由于图案化涂布的栅极电极材料的干燥固化来形成栅极电极的步骤。
薄膜晶体管制造方法以及显示装置

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