专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]沟槽型MOSFET晶体管-CN202320007254.0有效
  • 付红霞;章剑锋;崔京京 - 瑞能半导体科技股份有限公司
  • 2023-01-03 - 2023-07-28 - H01L29/78
  • 本申请公开了一种沟槽型MOSFET晶体管,涉及半导体器件技术领域。该沟槽型MOSFET晶体管包括:第一掺杂类型的衬底,衬底包括第一表面,第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层;设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区;设置在阱区内的栅极沟槽结构;栅极沟槽结构,包括:设置在远离第一表面一侧的栅极;设置在栅极与栅极沟槽结构的底部之间的多个相互绝缘的第一场板,在平行于第一表面的方向上,各个第一场板具有相同的长度;栅极与第一场板之间绝缘;在垂直于第一表面的方向上,相邻两个第一场板之间的距离由各个第一场板的厚度确定。根据本申请能够保证沟槽型MOSFET晶体管内电场分布均匀,且简化制造工艺。
  • 沟槽mosfet晶体管
  • [发明专利]沟槽型MOSFET晶体管及其制造方法-CN202211103487.7在审
  • 付红霞;章剑锋;崔京京 - 瑞能半导体科技股份有限公司
  • 2022-09-09 - 2023-06-23 - H01L29/78
  • 本申请公开了一种沟槽型MOSFET晶体管及其制造方法,涉及半导体器件技术领域。该沟槽型MOSFET晶体管包括:第一掺杂类型的衬底,衬底包括第一表面,第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层;设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区;设置在阱区内的栅极沟槽结构;栅极沟槽结构,包括:设置在远离第一表面一侧的栅极;设置在靠近阱区一侧的至少两个介质层,相邻两个介质层的接触面平行于第一表面方向;在垂直于第一表面,且从栅极至栅极沟槽结构的底部的方向上,介质层的正电荷密度依次递增;第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。根据本申请能够保证沟槽型MOSFET晶体管内电场分布均匀,且简化制造工艺。
  • 沟槽mosfet晶体管及其制造方法
  • [发明专利]对位检测结构、线路板及对位检测方法-CN202211693212.3在审
  • 李鸿辉;曹振兴;崔京京 - 皆利士多层线路版(中山)有限公司
  • 2022-12-28 - 2023-04-14 - G01B11/02
  • 本申请涉及一种对位检测结构、线路板及对位检测方法。对位检测结构包括:至少一检测板,所述检测板上开设至少一测试孔阵列;其中,所述测试孔阵列包括多个间隔排布且贯穿所述检测板的测试孔,沿第一方向延伸的各所述测试孔的孔径依次递增,沿第二方向延伸的各所述测试孔的孔径相同,所述检测板中的测试孔用于与待测线路板的镭射孔进行对位匹配,且所述测试孔的孔径大于所述镭射孔的孔径。本申请的对位检测结构使得不需对待测线路板进行切片破坏便可进行镭射孔的对准度检测,可以帮助直观获取镭射孔的偏移量,快速检测镭射孔的对准度。
  • 对位检测结构线路板方法
  • [实用新型]沟槽型MOSFET晶体管-CN202222409644.9有效
  • 付红霞;章剑锋;崔京京 - 瑞能半导体科技股份有限公司
  • 2022-09-09 - 2023-03-24 - H01L29/78
  • 本申请公开了一种沟槽型MOSFET晶体管,涉及半导体器件技术领域。该沟槽型MOSFET晶体管包括:第一掺杂类型的衬底,衬底包括第一表面,第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层;设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区;设置在阱区内的栅极沟槽结构;栅极沟槽结构,包括:设置在远离第一表面一侧的栅极;设置在靠近阱区一侧的至少两个介质层,相邻两个介质层的接触面平行于第一表面方向;在垂直于第一表面,且从栅极至栅极沟槽结构的底部的方向上,介质层的正电荷密度依次递增;第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。根据本申请能够保证沟槽型MOSFET晶体管内电场分布均匀,且简化制造工艺。
  • 沟槽mosfet晶体管
  • [发明专利]电路板及其塞孔工艺-CN202211619298.5在审
  • 李鸿辉;曹振兴;崔京京 - 皆利士多层线路版(中山)有限公司
  • 2022-12-15 - 2023-03-14 - H05K3/00
  • 本发明公开了一种电路板及其塞孔工艺,该电路板塞孔工艺包括以下步骤:a、采用树脂对通孔进行塞孔;b、采用绿油将经步骤a得到的电路板从第一板面对通孔的第一端进行塞孔,且第一端处的绿油凸出于第一板面的部分的厚度不超过预设值S;c、采用绿油将经步骤b得到的电路板从第二板面对通孔的第二端进行塞孔,且第二端处的绿油凸出于第二板面的部分的厚度不超过预设值S;d、对将经步骤c得到的电路板的第一板面及第二板面涂覆绿油,且涂覆的厚度为预设值S。按此方法塞孔后,线路板通孔处相对板面无外凸部分,因而无需对通孔第一端或第二端处的绿油进行打磨,如此,避免了因打磨不当而造成电路板报废的情况,从而可有效提高电路板生产合格率。
  • 电路板及其工艺
  • [实用新型]一种木材加工用双头铣设备-CN202221938957.7有效
  • 彭友;崔京京;曹立平 - 禹城福润德木业有限公司
  • 2022-07-26 - 2023-01-24 - B27C5/02
  • 本实用新型提供一种木材加工用双头铣设备,包括加工平台,所述加工平台顶部设有第一移动槽,所述加工平台在第一移动槽的两端设有第一支撑座,两个所述第一支撑座相对的一侧之间共同连接有第一螺纹杆,所述第一螺纹杆上螺纹连接有连接杆,所述连接杆底部设有第一限位块,所述连接杆的顶部设有固定板,所述固定板两端的顶部均设有安装板,其中一个所述安装板的一侧固定安装有调整电机,所述调整电机输出端从安装板的另一侧穿出,且穿出的一端固定安装有固定夹板,另一个所述安装板的一侧固定安装有电动推杆,所述电动推杆的输出端从安装板的另一侧穿出。本装置不需要将木材从夹具上拆下即可完成对木材多个面的铣削作业,大大提高了铣削作业的效率。
  • 一种木材工用双头铣设备
  • [实用新型]一种混合效果好的调胶设备-CN202222512945.4有效
  • 彭友;崔京京;曹立平 - 禹城福润德木业有限公司
  • 2022-09-22 - 2023-01-24 - B01F27/90
  • 本实用新型提供一种混合效果好的调胶设备,涉及调胶设备技术领域,包括底座和罐体,底座的顶部安装有罐体,罐体的顶部通过合页铰接安装有顶盖,且顶盖与罐体之间安装有锁扣,顶盖的内壁之间通过固定件安装有衬板,衬板的中心处通过轴承座安装有主轴杆,且主轴杆上套装有主动齿轮,主轴杆的两侧通过轴承座对称安装有副轴杆,副轴杆的顶端套装有从动齿轮,且从动齿轮与主动齿轮相互啮合,顶盖的顶部通过保持架安装有驱动电机,驱动电机的输出端贯穿顶盖延伸至内部,并通过联轴器与主轴杆构成传动连接,该种调胶设备整体设计新颖、结构简单值得广泛推广使用。
  • 一种混合效果设备
  • [实用新型]沟槽型碳化硅晶体管-CN202222309961.3有效
  • 林苡任;崔京京;章剑锋 - 瑞能半导体科技股份有限公司
  • 2022-08-31 - 2022-12-23 - H01L29/06
  • 本申请公开了一种沟槽型碳化硅晶体管,涉及半导体器件技术领域。沟槽型碳化硅晶体管包括:第一掺杂类型的碳化硅衬底,碳化硅衬底包括第一表面,第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层;设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区;设置在阱区内的栅极沟槽结构,栅极沟槽结构包括覆盖于栅极沟槽结构的表面的栅极氧化层,以及位于栅极沟槽结构的底部的栅极氧化层之上的栅极和PN结结构;设置在栅极沟槽结构的一侧,且与栅极沟槽结构接触的第一掺杂类型的第一掺杂区;设置在栅极沟槽结构的另一侧,且与栅极沟槽结构间隔的第二掺杂类型的第二掺杂区。根据本申请实施例,能够实现碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管自身的温度检测。
  • 沟槽碳化硅晶体管
  • [实用新型]双沟槽型碳化硅晶体管-CN202222310036.2有效
  • 林苡任;崔京京;章剑锋 - 瑞能半导体科技股份有限公司
  • 2022-08-31 - 2022-12-23 - H01L29/06
  • 本申请公开一种双沟槽型碳化硅晶体管,涉及半导体器件技术领域。该晶体管包括:第一掺杂类型的碳化硅衬底,碳化硅衬底包括设置在第一表面上的第一掺杂类型的外延层;设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区;设置在外延层内的第一元胞区,第一元胞区包括并行排列的至少一个第一元胞和至少一个第二元胞;第一元胞包括设置在阱区之间的第一栅极沟槽结构;第二元胞,包括:设置在阱区之间的第二栅极沟槽结构;设置在阱区内,且设置在第二栅极沟槽结构的外侧区域,并与第二栅极沟槽结构间隔的第一源极沟槽结构,第一源极沟槽结构包括设置在第一源极沟槽结构底部的第一PN结结构,能够实现双沟槽型碳化硅晶体管自身的温度检测。
  • 沟槽碳化硅晶体管
  • [实用新型]一种用于木材加工的板体固定装置-CN202221935747.2有效
  • 彭友;崔京京;曹立平 - 禹城福润德木业有限公司
  • 2022-07-26 - 2022-12-02 - B25H1/02
  • 本实用新型提供一种用于木材加工的板体固定装置,涉及木材加工技术领域,包括固定平台,所述固定平台的表面开设有移动槽,所述移动槽的内部活动安装有连接杆,所述连接杆的顶部固定连接有移动板,所述移动板的一侧的两端对称设有固定块,两个所述固定块之间安装有螺纹杆和第一限位杆,所述螺纹杆上螺纹连接有安装块,且所述安装块与第一限位杆之间滑动连接,所述安装块远离移动板的一侧开设有安装槽,所述安装槽的内部设有限位轴,所述安装槽内部通过限位轴转动安装有转动块,所述转动块远离移动板一侧的顶部设有垂直夹块。本装置既可以对木板进行水平方向上的夹紧,还可以在垂直平面上对木板进行夹紧,大大提高了木板固定的可靠性。
  • 一种用于木材加工固定装置
  • [发明专利]沟槽型碳化硅晶体管及其制造方法-CN202211063707.8在审
  • 林苡任;崔京京;章剑锋 - 瑞能半导体科技股份有限公司
  • 2022-08-31 - 2022-11-25 - H01L29/06
  • 本申请公开了一种沟槽型碳化硅晶体管及其制造方法,涉及半导体器件技术领域。沟槽型碳化硅晶体管包括:第一掺杂类型的碳化硅衬底,碳化硅衬底包括第一表面,第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层;设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区;设置在阱区内的栅极沟槽结构,栅极沟槽结构包括覆盖于栅极沟槽结构的表面的栅极氧化层,以及位于栅极沟槽结构的底部的栅极氧化层之上的栅极和PN结结构;设置在栅极沟槽结构的一侧,且与栅极沟槽结构接触的第一掺杂类型的第一掺杂区;设置在栅极沟槽结构的另一侧,且与栅极沟槽结构间隔的第二掺杂类型的第二掺杂区。根据本申请实施例,能够实现碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管自身的温度检测。
  • 沟槽碳化硅晶体管及其制造方法
  • [发明专利]双沟槽型碳化硅晶体管及其制造方法-CN202211058212.6在审
  • 林苡任;崔京京;章剑锋 - 瑞能半导体科技股份有限公司
  • 2022-08-31 - 2022-11-22 - H01L29/06
  • 本申请公开一种双沟槽型碳化硅晶体管及其制造方法,涉及半导体器件技术领域。该晶体管包括:第一掺杂类型的碳化硅衬底,碳化硅衬底包括设置在第一表面上的第一掺杂类型的外延层;设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区;设置在外延层内的第一元胞区,第一元胞区包括并行排列的至少一个第一元胞和至少一个第二元胞;第一元胞包括设置在阱区之间的第一栅极沟槽结构;第二元胞,包括:设置在阱区之间的第二栅极沟槽结构;设置在阱区内,且设置在第二栅极沟槽结构的外侧区域,并与第二栅极沟槽结构间隔的第一源极沟槽结构,第一源极沟槽结构包括设置在第一源极沟槽结构底部的第一PN结结构,能够实现双沟槽型碳化硅晶体管自身的温度检测。
  • 沟槽碳化硅晶体管及其制造方法
  • [发明专利]沟槽型MOSFET晶体管及其制造方法-CN202211114593.5在审
  • 付红霞;章剑锋;崔京京 - 瑞能半导体科技股份有限公司
  • 2022-09-14 - 2022-10-18 - H01L29/40
  • 本申请公开了一种沟槽型MOSFET晶体管及其制造方法,涉及半导体器件技术领域。该沟槽型MOSFET晶体管包括:第一掺杂类型的衬底,衬底包括第一表面,第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层;设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区;设置在阱区内的栅极沟槽结构;栅极沟槽结构,包括:设置在栅极与栅极沟槽结构的底部之间的多个相互绝缘的第一场板,在平行于第一表面的方向上,各个第一场板具有相同的长度;栅极与第一场板之间绝缘;在垂直于第一表面的方向上,相邻两个第一场板之间的距离由各个第一场板的厚度确定。根据本申请能够保证沟槽型MOSFET晶体管内电场分布均匀,且简化制造工艺。
  • 沟槽mosfet晶体管及其制造方法

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