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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储装置-CN201080004056.4有效
发明人：村久木康夫;岩成俊一;中尾良昭 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-10-15 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置，在小型化和高集成化的要求逐渐提高的情况下，在存储单元A、B的电容元件的下层，横跨相邻的2个存储单元A、B形成以稳定电源电压等目的需要搭载的平滑电容。由此，能缩小大容量的平滑电容的占有面积实现高集成化，同时可搭载该大容量的平滑电容。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN200810160828.8无效
发明人：中尾良昭;五宝靖;岩成俊一;村久木康夫;松浦正则 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-09-16 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体存储装置及其制造方法。包括铁电存储器(102)的半导体存储装置(10)还包括在高温下保持数据的能力比铁电存储器(102)在高温下保持数据的能力强的非易失性存储器(103)，以及进行切换而使铁电存储器(102)及非易失性存储器(103)互相连接或者不连接的连接电路(104)。铁电存储器(102)通过连接电路(104)接收并保持已写入非易失性存储器(103)中的、该装置特有的数据的至少一部分。因此，能够防止已写入铁电存储器中的信息通过铁电存储器的制造工序中的加热处理消失。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]非易失性存储装置、数据存储系统和数据存储方法-CN200710107336.8无效
发明人：松浦正则;五宝靖;岩成俊一;中尾良昭;小谷久和;加藤淳一;三岛智史;西村始修;森俊树 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-05-25 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明提供一种可快速写入数据的非易失性存储装置。在非易失性存储器(130)中，数据按照单位区域写入。第1存储部(122)用于保持从存取装置(110)输入的数据，CPU部121将保持在第1存储部(122)的每一个单位区域的数据写入上述非易失性存储器，将保持在上述第1存储部的不满上述单位区域的数据保持到第2存储部，对于保持在第2存储部中的数据，也将每一个单位区域的数据写入上述非易失性存储器。
非易失性存储装置数据存储系统方法

[发明专利]非易失性存储装置及其数据写入方法-CN200710085534.9无效
发明人：松浦正则;五宝靖;岩成俊一;德光伸一;中西雅浩 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-03-07 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：本发明涉及非易失性存储装置及其数据写入方法，上述非易失性存储装置从外部输入作为扇区单位的数据的输入数据，包括：非易失性的主记忆存储器，以比上述扇区单位大的页单位进行数据的写入；辅助记忆存储器，至少保存页单位量的上述输入数据；存储器判断单元，判断上述辅助记忆存储器是否保存了上述页单位以上的数据；在由上述存储器判断单元判断为上述辅助记忆存储器保存了上述页单位以上的数据的情况下，存储器控制单元以上述页单位将保存在上述辅助记忆存储器中的数据写入上述主记忆存储器的新页中。
非易失性存储装置及其数据写入方法

[发明专利]半导体存储器件-CN200710005745.7无效
发明人： 岩成俊一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-02-13 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明涉及的半导体存储器件，具备非易失性存储器、以及保持上述非易失性存储器保持的数据的一部分的易失性存储器，其中包括：j个第1保持单元，保持与上述易失性存储器保持的数据相对应的上述非易失性存储器的数据的地址；以及j个第2保持单元，对应于上述j个第1保持单元，保持表示对应的上述第1保持单元保持的地址是否有效的信息。
半导体存储器件

[发明专利]半导体存储装置-CN200610172858.1无效
发明人： 岩成俊一;五宝靖;加藤刚久 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-09-12 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： G06F12/12 文献下载
摘要：一种半导体存储装置，包括：铁电存储器；SRAM 30；计数器41；CAM 10，其判断被请求从铁电存储器读出的数据块是否存储在SRAM 30中；存储控制单元51，如果判断结果为否定，则其执行控制以从铁电存储器读出所请求的数据块，并将读出的数据块的副本存储到与由计数器41所表示的计数值相对应的SRAM 30中的单元存储区域中；以及计数器控制单元52，其导致计数器41在每次判断结果为否定时更新计数值。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储器件及其控制方法-CN200610149567.0无效
发明人：小关隆夫;在田盟;山冈邦史;岩成俊一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-11-20 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储器件的控制方法，该半导体存储器件包含具有多个多值存储器单元的存储器单元阵列，该多个多值存储器单元的每一个，以第一写入动作在第一页的地址存储数据、以第二写入动作在第二页的地址存储数据，所述半导体存储器件的控制方法的特征在于，包括：地址转换表处理步骤，通过在上述多个多值存储器单元的每一个中，对地址分配要进行写入的地址，以使得在第一页的地址写入数据之后在第二页的地址写入数据，来生成用于进行地址转换的地址转换表；地址加扰步骤，根据上述地址转换表，对输入地址进行地址转换。
半导体存储器件及其控制方法

[发明专利]半导体存储器件-CN200610003714.3有效
发明人： 岩成俊一;坂上雅彦;平野博茂;中熊哲治;三木隆;五宝靖;山冈邦吏;村久木康夫 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-02-05 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：提供一种与SRAM兼容并且能够进行高速数据传输操作同时保持数据可靠性的半导体存储器件。当外部芯片使能信号XCE执行下降转换时开始访问存储核心6。同时，接收外部写使能信号XWE和外部地址信号ADD，并且选择与所接收的外部地址信号ADD相应的存储核心6中的存储单元1。当完成从存储单元1读出数据或将数据写入存储单元1时，根据外部芯片使能信号XCE的上升转换或外部写使能信号XWE的上升转换激活重写定时器7，用于执行存储单元1的数据重写。
半导体存储器件

[发明专利]存储器系统-CN200610006751.X无效
发明人：加藤刚久;五宝靖;中西雅浩;外山昌之;岩成俊一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-01-27 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明的存储器系统包括具有非易失性存储器的存储装置和对存储装置进行存取的存取装置，所述存储装置包括：检测部件，检测存储装置的温度；决定部件，根据检测出的温度来决定工作条件；以及通知部件，将决定的工作条件通知所述存取装置，所述存取装置包括：接口部件，连接存储装置；以及控制部件，根据由存储装置通知的工作条件来控制接口部件。
存储器系统

[发明专利]铁电体存储装置及其读出方法-CN200510072630.0无效
发明人：山冈邦吏;平野博茂;五宝靖;岩成俊一;村久木康夫;坂上雅彦;中熊哲治;三木隆 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-05-16 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种铁电体存储装置，包括使用铁电体电容器存储数据的标准单元、产生基准电位的参考单元、把标准单元和基准电位的电位差放大的读出放大器、控制标准单元和参考单元和读出放大器的控制电路，把标准单元的字线(WL)非活性化，把第一铁电体电容器从第一位线(BL1)断开后，把位线预充电控制线活性化，通过驱动第一位线预充电电路(7)，把第一位线(BL1)放电。
铁电体存储装置及其读出方法

[发明专利]半导体存储装置-CN200410082185.1有效
发明人：村久木康夫;坂上雅彦;岩成俊一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-12-31 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：提供了一种具有简单的电路结构并且能够随机访问熔断器数据的半导体存储装置。在本发明的半导体存储装置中，包含一个熔断器31的熔断器单元30与存储电路的一对位线连接。所述熔断器31和一个熔断器数据输出电路(其包含一个电阻器32和一个倒相器33)通过一个熔断器选择开关34与所述存储电路的一对位线BLT和BLB连接。在本发明的半导体存储装置中，通过把用于选择存储单元的一对位线的列解码器12也用作用于选择熔断器的解码器电路，可以将所述存储电路的位线用作用于输出熔断器数据的信号线，从而减小电路尺寸和减小电路面积。
半导体存储装置

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