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[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201780096095.3在审
发明人： 小林平治;增田隆俊 -专利权人：超极存储器股份有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种即使在衬底更加薄型化的情况下也可形成吸杂层的半导体装置的制造方法以及形成有吸杂层的半导体装置。本发明为层叠了多个衬底的半导体装置(1)的制造方法，具有：对第一衬底层叠第二衬底的工序；对第二衬底的面之中形成有器件层的面的相反的面进行抛光的工序；以及向被抛光的第二衬底的面照射包含有助于吸杂的构成元素的团簇离子从而构成吸杂层的工序，吸杂层包含团簇离子的构成元素。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]动态随机存取存储器的电容器下电极的制造方法-CN201010284452.9有效
发明人： 小林平治;永井享浩 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2010-09-14 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一种动态随机存取存储器的电容器下电极的制造方法，包括下列步骤。提供具有存储单元区的基底。于基底的存储单元区上形成多晶硅模板层。于多晶硅模板层上形成支撑层。形成穿过支撑层、多晶硅模板层的多个开孔。至少于开孔所暴露的多晶硅模板层上形成衬层(liner layer)。于基底上形成实质上共形的导电层。移除支撑层上的导电层，而形成多个电容器下电极。利用多晶硅模板层，可以制造出外型轮廓良好(侧向蚀刻少)的开孔，因此可以缩小元件尺寸。
动态随机存取存储器电容器电极制造方法

[发明专利]垂直沟道晶体管阵列及其制造方法-CN201010287581.3有效
发明人： 小林平治;永井享浩 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明涉及一种垂直沟道晶体管阵列及其制造方法。该垂直沟道晶体管阵列包括多条埋入式位线、多条位线接触窗、多个埋入式字线与漏电流隔离结构。多个半导体柱构成垂直沟道晶体管的有源区。多条埋入式位线平行设置于半导体基底中，在行方向延伸。多条位线接触窗分别设置于埋入式位线的一侧。多个埋入式字线，平行设置于埋入式位线上方，在列方向延伸，且隔着栅介电层而连接同一列的半导体柱。漏电流隔离结构设置于埋入式位线末端部分，以避免相邻位线接触窗之间产生漏电流。
垂直沟道晶体管阵列及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200710104006.3有效
发明人：田中义典;堀田胜之;小林平治 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2004-02-27 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供可抑制栅绝缘膜的形成引起的沟道掺杂区域的杂质浓度降低的半导体装置的制造方法。在形成有硅氧化膜(20)及硅氮化膜(21)的状态下，从Y方向的斜上方离子注入p型杂质(23₁、23₂)。当定义第1部分(21₁)和第4部分(21₄)的间隔及第3部分(21₃)和第6部分(21₆)的间隔为W1，第2部分(21₂)和第5部分(21₅)的间隔为W2，硅氧化膜(20)及硅氮化膜(21)的合计的膜厚为T时，作为离子注入的注入角度α，采用tan^－1(W2/T)＜α≤tan^－1(W1/T)的关系成立范围内的注入角度。在该范围内规定注入角度α后，通过硅氧化膜(13)向第2侧面(10A₂)及第5侧面(10A₅)内离子注入杂质(23₁、23₂)。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200410008235.1无效
发明人：田中义典;堀田胜之;小林平治 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2004-02-27 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明提供可抑制栅绝缘膜的形成引起的沟道掺杂区域的杂质浓度降低的半导体装置的制造方法。在形成有硅氧化膜20及硅氮化膜21的状态下，从Y方向的斜上方离子注入p型杂质23₁、23₂。当定义第1部分21₁和第4部分21₄的间隔及第3部分21₃和第6部分21₆的间隔为W1，第2部分21₂和第5部分215的间隔为W2，硅氧化膜20及硅氮化膜21的合计的膜厚为T时，作为离子注入的注入角度α，采用tan^－1(W2/T)＜α≤tan^－1 (W1/T)的关系成立范围内的注入角度。在该范围内规定注入角度α后，通过硅氧化膜13向第2侧面10A₂及第5侧面10A₅内离子注入杂质23₁、23₂。
半导体装置制造方法