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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN200610100799.7无效
发明人：山崎舜平;小山润;宫永昭治;福永健司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1997-02-23 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜半导体晶体管结构具有带有电介质表面的衬底和由半导体薄膜构成的有源层，半导体薄膜呈现相当于单晶的结晶度。为制作此晶体管，半导体薄膜形成在衬底上，此膜包括多种晶体的混合物，晶体可是大体上与衬底平行的柱状和/或毛发状晶体。然后，所得结构在含卤素的选定气氛中进行热氧化，从而除去在膜中含有的任何金属元素。这就能形成单畴区，在单畴区中各柱状或发毛状晶体接触任何相邻晶体并且能大体认为是其中不存在或包含任何晶界的单晶区。此区用于形成晶体管的有源层。
半导体器件

[发明专利]半导体设备、无线芯片、IC卡、IC标签、应答器、帐单、证券、护照、电子设备、书包和服装-CN200580007608.6有效
发明人： 小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-03-09 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明提供了一种ID芯片，为了保持高度的安全性，其数据仅被写入一次以作为一种其数据从天线被无线输入的非接触型ID芯片。该非接触型ID芯片包括在芯片中的FeRAM。当写入识别数据时，写入了表示数据是否被写入FeRAM的数据，由此一旦数据已经被写入了，就不需要额外写入数据到ID芯片的FeRAM。
半导体设备无线芯片 ic 标签应答器帐单证券护照电子设备书包服装

[发明专利]显示器件及其驱动方法-CN200610121301.5有效
发明人： 小山润;传保洋树;木村肇 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-08-22 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： G09G5/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种显示器件及其驱动方法，其中，将正确的视频信号作为视频信号输入到显示器，不管该信号是亮度信号、色差信号还是RGB的三基色信号。并且也应用于视频信号为数字信号的情况。本发明的显示器件包括显示面板和视频格式转换电路。
显示器件及其驱动方法

[发明专利]液晶显示装置-CN200610100215.6无效
发明人：河崎祐司;小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1995-05-24 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：在一个液晶显示(LCD)装置中，通过一个比较器电路对在一个显示部分上要显示的两个持续帧图象数据进行比较，并且根据比较的结果调节水平和垂直同步信号。即当两帧图象数据彼此一致时，则不会通过控制器向显示部分输出水平和垂直同步信号，以便减少要显示帧的扫描数。另外，当该LCD装置具有背后照明部分并且两帧图象数据彼此一致时，则关断背后照明部分。
液晶显示装置

[发明专利]液晶电光器件的外部驱动器电路-CN200610139583.1无效
发明人： 小山润;尾形靖;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1995-08-16 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：在液晶电光器件的外部驱动电路中包括由多个寄存器和对每个寄存器提供电源的电路配置而成的移位寄存器电路。当输入信号进入第n个寄存器时，停止向第n个寄存器之外的寄存器至少一部分加电源。移位寄存器电路是由P沟道TFT和电阻构成。通过使用移位寄存器电路的输出来控制向移位寄存器的供电。用于提供电源的电路由P沟道TFT和电阻配置而成。电流电路功耗不大于移位寄存器电路的功耗。
液晶电光器件外部驱动器电路

[发明专利]半导体器件及IC卡、IC标签、RFID、转发器、票据、证券、护照、电子装置、包和外衣的制造方法-CN200580005359.7有效
发明人： 小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-02-15 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明提供一种用作ID芯片的半导体器件的制造方法，通过这种方法能以提高的生产量写入数据。根据在绝缘衬底上具有调制电路、解调电路、逻辑电路、存储器电路和天线电路的半导体器件的制造方法，存储器电路是其数据在半导体器件的制造过程中写入的非易失性存储电路，且数据部分中的元件是通过电子束曝光或激光曝光形成的，而其它部分是通过镜面投影曝光、分步重复曝光或分步扫描曝光形成的。
半导体器件 ic 标签 rfid 转发器票据证券护照电子装置外衣制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610103002.9有效
发明人：山崎舜平;小山润;高山彻;浜谷敏次 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2000-04-12 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明主要提供可用于大尺寸屏幕的有源矩阵显示器件的栅电极和栅极布线，其中为了实现本目的，本发明的构成是一种半导体器件，在同一衬底上具有设置在显示区的象素TFT和围绕显示区设置的驱动电路TFT，其中象素TFT和驱动电路TFT的栅电极由第一导体层形成，栅电极通过连接器与第二导体层形成的栅极布线电接触，连接器设置在象素TFT和驱动电路TFT的沟道形成区之外。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200610101661.9无效
发明人： 小山润;河崎祐司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1995-04-22 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：每根数据线的数据保持控制信号提供给并联在一起的多个源极跟随器。并联的源极跟随器是至少一个只用激光照射一次的第一跟随器和至少一个照射两次的第二跟随器的组合。用于结晶的激光照射的宽度等于源极跟随器的间隔乘以一个不小于3的整数。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件-CN200580003483.X有效
发明人： 小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-01-27 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种功率通过尽可能地抑制功耗来稳定的半导体器件。本发明的半导体器件包括每个包含多个晶体管的逻辑部分和存储部分，检测逻辑部分和存储部分的工作频率的一个或全部两个的检测部分，提供第V控制信号到逻辑部分和存储部分的一个或全部两个的第V控制，以及天线。多个晶体管的每个具有输入有逻辑信号的第一栅电极，输入有第V控制信号的第二栅电极，以及半导体薄膜，使得第二栅电极、半导体薄膜和第一栅电极从底部开始以该顺序提供。
半导体器件

[发明专利]薄膜半导体、半导体器件以及薄膜晶体管的制造方法-CN200610101669.5无效
发明人：山崎舜平;宫永昭治;小山润;福永健司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1997-02-23 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，包括：在衬底上形成的薄膜晶体管，包括一个源区、一个漏区、形成在所述源区和漏区之间的沟道区、形成在所述沟道区上的栅电极，在所述栅电极和所述沟道区之间有一个栅绝缘膜；形成在所述薄膜晶体管上的层间绝缘膜；形成在所述层间绝缘膜上的源极布线、漏极布线、栅极布线；其中所述源区、漏区和栅电极中的每一个包括一个硅化物膜；其中所述源极布线、漏极布线和栅极布线分别被连接到所述源区的硅化物膜、所述漏区的硅化物膜和所述栅电极的硅化物膜。本发明还涉及包括上述半导体器件的便携式电话和照相机。
薄膜半导体半导体器件以及薄膜晶体管制造方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN200610100167.0有效
发明人：山崎舜平;小山润;柴田宽;福永健司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2000-01-11 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了一种具有高度可靠性的半导体器件，其中配置了针对电路功能而具有适当结构的TFT。驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)设计得比半导体器件中的像素TFT的栅绝缘膜(117)薄，半导体器件在同一衬底上具有驱动电路和像素单元。另外，驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)和存储电容介质(118)是同时制作的，这样，介质(118)可以非常薄，可以获得大电容量。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610101628.6无效
发明人：山崎舜平;寺本聪;小山润;尾形靖;早川昌彦;纳光明;大谷久;滨谷敏次 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1997-01-20 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。使非晶硅膜203的特定的区域205保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用207示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤族元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜209。此时，进行结晶性的改善、镍元素的吸杂。然后使上述结晶生长方向与源/漏区的联结方向一致来制造薄膜晶体管。通过这样做，可得到迁移率为200(cm²/Vs)以上，S值为100(mV/dec)以下的那种具有良好特性的TFT。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]电光装置和电子设备-CN200610093450.5有效
发明人：山崎舜平;小山润;山本一宇;小沼利光 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2000-06-03 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种EL显示装置，该显示装置具有高操作性能和高可靠性。第三钝化膜45设置在EL元件203的下面，该EL元件包括像素电极(阳极)46、EL层47和阴极48，以形成一种能够辐射由EL元件203产生的热量的结构。此外，第三钝化膜45可防止在EL元件中的碱金属扩散到TFT侧，并可防止湿气和氧气从TFT侧渗透到EL元件203中。更好的是，第四钝化膜50也具有热辐射作用，以使EL元件203能够被热辐射层包住。
电光装置电子设备

[发明专利]半导体器件及显示设备-CN200610095692.8有效
发明人：山崎舜平;小山润;须泽英臣;小野幸治;荒尾达也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2001-03-06 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：提供了一种高可靠性的半导体显示器件。半导体显示器件中的半导体层具有沟道形成区、LDD区、源区和漏区，LDD区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间。
半导体器件显示设备

[发明专利]半导体装置及其制作方法-CN200610099676.6无效
发明人：山崎舜平;寺本聪;小山润;尾形靖;早川昌彦;纳光明;大谷久;滨谷敏次 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1997-01-20 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。
半导体装置及其制作方法

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