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[发明专利]存储器件以及存储器件的制造方法-CN202310057514.X在审
发明人： 富冈和广;泽田和也 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：实施方式提供减少存储器件的不良的存储器件以及存储器件的制造方法。实施方式的存储器件包括存储元件(1)、开关元件(2)以及开关元件(2)与存储元件(1)之间的第1层(30)，第1层(30)包含从包括硼、碳、硅、镁、铝、钪、钛、钒、镓、锗、钇、锆、铌、钼、钯、银、铪、钽、钨、铱以及铂的组中选择的至少一种。第1层(30)包含气隙。
存储器件以及制造方法

[发明专利]磁存储装置及磁存储装置的制造方法-CN202211056416.6在审
发明人：泽田和也;永濑俊彦;吉野健一;富冈和广;秋山直纪;岛野拓也;相川尚德;五十岚太一 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：实施方式提供包括具有高的电特性的存储单元的磁存储装置。一实施方式的磁存储装置包括实质上由非磁性的非氮材料形成的第1导电体。第1绝缘体覆盖第1导电体的侧面，由非氮材料实质上形成。第2导电体位于第1导电体上，由非磁性的非氮材料实质上形成。可变电阻材料位于第2导电体上。第3导电体位于可变电阻材料上，由非磁性的非氮材料实质上形成。第1铁磁性层位于第3导电体上。绝缘层位于第1铁磁性层上。第2铁磁性层位于绝缘层上。第4导电体位于第2铁磁性层上，由非磁性的非氮材料实质上形成。第2绝缘体覆盖第1铁磁性层的侧面、绝缘层的侧面以及第2铁磁性层的侧面，由非氮材料实质上形成。第3绝缘体位于第2绝缘体的表面上。
存储装置制造方法

[发明专利]磁存储装置-CN202210208846.9在审
发明人： 富冈和广 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：实施方式提供包括具有优异的特性的磁阻效应元件的磁存储装置。实施方式的磁存储装置具备：下部电极；层叠结构，设置于所述下部电极上，包括具有可变的磁化方向的第1磁性层、具有固定了的磁化方向的第2磁性层及设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层；第1侧壁绝缘层，设置于所述下部电极的侧壁，含有预定元素及氧即O；及第2侧壁绝缘层，设置于所述层叠结构的侧壁，含有所述预定元素及氧即O。
存储装置

[发明专利]磁存储装置以及磁存储装置的制造方法-CN202110186235.4在审
发明人：落合隆夫;富冈和广 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：实施方式提供能够以高纵横比配置磁阻效应元件的磁存储装置以及磁存储装置的制造方法。实施方式的磁存储装置具备第1导电体，其沿着第1方向延伸；第2导电体，其在第1导电体的上方沿着第2方向延伸；以及第1层叠体，其设置在第1导电体与第2导电体之间，包括第1磁阻效应元件。第1层叠体沿着第1层叠体的层叠面具有矩形形状，第1层叠体的矩形形状的边与第1方向和第2方向都交叉。
存储装置以及制造方法

[发明专利]等离子体处理设备和等离子体处理方法-CN201310443329.0无效
发明人：宇井明生;林久贵;富冈和广;山本洋;今村翼 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：在一个实施例中，等离子体处理设备包括：室；导入部；反电极；高频电源；和多个低频电源。基板电极被设置在室中，基板被直接地或者间接地放置在基板电极上，并且基板电极具有多个电极元件组。导入部将处理气体导入到室中。高频电源输出用于使处理气体离子化、以生成等离子体的高频电压。多个低频电源将多个20MHz以下的低频电压施加到多个电极元件组中的每一电极元件组，多个20MHz以下的低频电压具有相互不同的相位，用于导入来自等离子体的离子。还提供一种等离子体处理方法。
等离子体处理设备方法