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[发明专利]半导体装置-CN202211491972.6在审
发明人： 宫泽雅臣;宫原聪 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：目的在于提供能够降低半导体装置的电感的技术。半导体装置具有第1汇流条、第2汇流条、第1端子及第2端子。第1端子具有大于或等于1个平板部分，第2端子具有大于或等于1个平板部分。第1端子的大于或等于1个平板部分与第2端子的大于或等于1个平板部分设置为彼此平行且彼此相对。第1汇流条及第2汇流条中的一者在俯视观察时，将第1端子的与第1汇流条的连接部分和第2端子的与第2汇流条的连接部分之间的间隙覆盖。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202210756423.0在审
发明人： 宫泽雅臣 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：目的在于得到能够稳定地接合将半导体芯片和框架电连接的引线的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：半导体芯片；框架；凸起，其从所述框架凸出；引线，在引线形成供所述凸起插入的凸起插入部，该引线与所述框架直接接触，该引线将所述半导体芯片和所述框架电连接；以及第1接合材料，其将所述凸起和所述引线接合。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201810343019.4有效
发明人：山下哲生;稗田智宏;宫泽雅臣 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法，其目的在于得到能够长寿命化以及小型化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：基板，其在上表面具有金属图案；半导体芯片，其设置于该金属图案之上；平板状的背面电极端子，其通过导线与该金属图案连接；平板状的表面电极端子，其在该背面电极端子的上方与该背面电极端子平行，延伸至该半导体芯片的正上方，与该半导体芯片的上表面直接接合；壳体，其将该基板包围；以及封装材料，其对该壳体的内部进行封装。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201510622733.3有效
发明人：大坪义贵;高桥卓也;宫泽雅臣;山下哲生;稗田智宏;田畑光晴 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：半导体装置具有：半导体元件(4)；以及陶瓷电路基板(10)，其安装有半导体元件。陶瓷电路基板(10)包含：陶瓷基板(11)，其具有彼此相对的一个面和另一个面；金属电路板(12)，其与陶瓷基板(11)的一个面接合，且与半导体元件电连接；以及金属散热板(13)，其与陶瓷基板(11)的另一个面接合。金属电路板(12)的厚度大于金属散热板(13)的厚度。金属散热板(13)的与陶瓷基板(11)相反侧的面的表面积大于金属电路板(12)的与陶瓷基板(11)相反侧的面的表面积。由此，能够得到可抑制陶瓷基板的翘曲的半导体装置。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201510125857.0有效
发明人： 宫泽雅臣;田畑光晴;高桥卓也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种半导体装置，能够通过简单的设计变更，在减小电极的电感的状态下，容易地变更电极的引出位置或者电极的连接点的位置。电极(4)包含延伸设置部分(4b)，该延伸设置部分(4b)进行延伸设置，直至两端进入分别设置于壳体(5)的在横向上彼此相对的第1以及第2内壁(5a1、5a2)处的第1以及第2凹部(5a3、5a4)中为止。延伸设置部分(4b)的两端进入的程度设定为，在通过将其两端向中心缩窄而将延伸设置部分(4b)的长度设为70％的情况下的两端的位置包含于，在将第1以及第2内壁(5a1、5a2)分别以10％向它们之间的中心缩窄的情况下的第1以及第2内壁的位置(5a1、5a2)之间。
延伸设置电极内壁半导体装置缩窄电感彼此相对设计变更引出位置连接点凹部减小壳体变更