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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器模块和用于存储器模块的处理数据缓冲器-CN201710953332.5有效
发明人：吴成一;金南昇;孙永训;金灿景;宋镐永;安廷镐;黄祥俊 -专利权人：三星电子株式会社;首尔大学校产学协力团;威斯康星校友研究基金会
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：提供了存储器模块和用于存储器模块的处理数据缓冲器。存储器模块包括存储器装置、命令/地址缓冲装置和处理数据缓冲器。存储器装置包括：存储器单元阵列；第一输入/输出端子组，每个端子被配置为接收第一命令/地址位；第二输入/输出端子组，每个端子被配置为接收数据位和第二命令/地址位两者。命令/地址缓冲装置被配置为向第一输入/输出端子组输出第一命令/地址位。处理数据缓冲器被配置为向第二输入/输出端子组输出数据位和第二命令/地址位。存储器装置被配置为使得第一命令/地址位、第二命令/地址位和数据位均用来访问存储器单元阵列。
存储器模块用于处理数据缓冲器

[发明专利]易失性存储器设备、其信息提供方法及其刷新控制方法-CN201710063703.2有效
发明人：卢亮均;宋镐永;申相雄 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-03 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：一种易失性存储器设备包括刷新控制器，该刷新控制器被配置为控制在存储单元的第二部分上执行有效操作的同时在存储单元的第一部分上执行的隐藏刷新操作。易失性存储器设备被配置为响应于接收到刷新命令来执行常规刷新操作。刷新控制器被配置为利用在参考时间的第一部分期间隐藏刷新操作的性能指标来生成刷新信息。易失性存储器设备被配置为基于刷新信息在参考时间的剩余部分期间执行期望数目的常规刷新操作。常规刷新操作的期望数目是基于参考时间期间的刷新操作的目标数目与参考时间期间的隐藏刷新操作的计数值之间的差的整数。
易失性存储器设备信息提供方法及其刷新控制

[发明专利]半导体存储装置、存储系统以及操作存储系统的方法-CN201610991835.7有效
发明人：郑会柱;车相彦;宋镐永;金炫中 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：公开了半导体存储装置、存储系统以及操作存储系统的方法。半导体存储装置包括存储单元阵列、误差校正电路、误差日志寄存器和控制逻辑电路。存储单元阵列包括多个存储体阵列，其中每个存储体阵列包括多个页。控制逻辑电路被配置为控制误差校正电路以响应于从存储控制器接收的第一命令对由至少一个访问地址指示的多个页中的一些页顺序执行ECC解码，从而检测至少一个位误差。控制逻辑电路执行误差记录操作以将页误差信息写入误差日志寄存器，页误差信息包括从所述检测确定的一些页中每一页上的误差事件的数量。
半导体存储装置存储系统以及操作方法

[发明专利]执行基于请求的刷新的存储装置和存储系统及操作方法-CN201610915844.8有效
发明人：金炫中;宋镐永;郑会柱;郑柱衍;车相彦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：提供了执行基于请求的刷新的存储装置和存储系统，以及该存储装置的操作方法。操作方法包括：通过对至少一行的激活数的计数确定弱行；基于所确定的结果，请求对弱行的刷新；根据请求在接收刷新命令时对弱行执行目标刷新。
执行基于请求刷新存储装置存储系统操作方法

[发明专利]用于产生参考电压的包括存储器单元的存储器装置-CN201710397863.0有效
发明人：车秀镐;金灿景;朴晟喆;宋镐永;崔光哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：提供了一种用于产生参考电压的包括存储器单元的存储器装置。该存储器装置包括第一存储器单元、第二存储器单元、第三存储器单元、位线感测放大器和开关电路。第一存储器单元连接到第一字线和第一位线。第二存储器单元连接到第一字线和第二位线。第三存储器单元连接到第一字线和第三位线。位线感测放大器连接到第三位线。开关电路连接到第一位线、第二位线和位线感测放大器。开关电路执行第一存储器单元与第一位线之间的电荷共享以产生第一参考电压，并且执行第二存储器单元与第二位线之间的电荷共享以产生第二参考电压。
用于产生参考电压包括存储器单元装置

[发明专利]半导体存储器设备和存储器系统-CN202010546678.5在审
发明人：车相彦;宋镐永;李明奎;赵诚慧 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：提供一种半导体存储器设备和存储器系统。该半导体存储器设备包括存储器单元阵列、纠错码(ECC)引擎电路、错误信息寄存器和控制逻辑电路。存储器单元阵列包括存储器单元行。控制逻辑电路控制ECC引擎电路以基于在擦洗操作中对第一存储器单元行中的第一子页面执行第一ECC解码并且基于在对第二存储器单元行的正常读取操作中对第二存储器单元行中的第二子页面执行第二ECC解码来生成错误生成信号。控制逻辑电路将错误信息记录在错误信息寄存器中，并基于错误信息控制ECC引擎电路跳过对第一存储器单元行和第二存储器单元行的所选择的存储器单元行的ECC编码和ECC解码。
半导体存储器设备系统

[发明专利]刷新控制器以及包括刷新控制器的存储器设备-CN201611233177.1有效
发明人：吴钟旻;宋镐永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：一种存储器设备的刷新控制器可以包括定时控制器、刷新计数器以及地址生成器。定时控制器响应于接收从外部设备所提供的刷新命令来生成计数器刷新信号，并且生成被周期性地激活的敲击刷新信号。刷新计数器响应于计数器刷新信号生成计数器刷新地址信号，使得计数器刷新地址信号表示行地址，刷新计数器被配置为顺序地改变计数器刷新地址信号。地址生成器响应于敲击刷新信号来生成敲击刷新地址信号，敲击刷新地址信号表示与对应于被密集地访问的敲击地址的存储器设备的行物理上相邻的存储器设备的行的地址。
刷新控制器以及包括存储器设备

[发明专利]存储器装置、刷新控制电路和操作存储器装置的方法-CN201910140654.7在审
发明人：辛薰;金度延;宋镐永;李东洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：公开一种存储器装置、刷新控制电路和操作存储器装置的方法。所述存储器装置包括：多个存储体、锤地址管理器和刷新控制器。锤地址管理器管理关于所述多个存储体的访问地址，并提供访问地址中的用于锤刷新操作的锤地址，其中，锤地址是比其他访问地址被访问更多的访问地址。刷新控制器基于锤地址生成锤刷新地址信号，其中，锤刷新地址信号对应于与对应于锤地址的行物理上邻近的行，使得与对应于锤地址的行物理上邻近的行通过锤刷新操作被刷新。
访问地址刷新地址信号存储器装置地址管理器刷新控制器刷新操作存储体邻近刷新控制电路操作存储器地址生成访问管理

[发明专利]存储器装置、存储器系统和刷新存储器装置的方法-CN201910184820.3在审
发明人：辛薰;金度延;宋镐永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：提供存储器装置、存储器系统和刷新存储器装置的方法。一种示例存储器装置可包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元行；行锤击处理器，被配置为确定是否执行用于刷新所述多个存储器单元行中的与被密集访问的第一行邻近的邻近存储器单元行的行锤击处理操作，产生确定结果；刷新管理器，被配置为基于行锤击处理器的确定结果执行用于顺序地刷新存储器单元行的正常刷新操作或行锤击处理操作。
锤击存储器单元存储器装置刷新存储器处理操作处理器存储器单元阵列邻近存储器单元存储器系统刷新管理器刷新操作单元行配置邻近访问

[发明专利]半导体存储器器件和具有半导体存储器器件的存储器系统-CN201811124242.6在审
发明人：辛薰;金度延;宋镐永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器器件和具有该半导体存储器器件的存储器系统。该半导体存储器器件包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元阵列块；以及刷新控制器，被配置为控制存储器单元阵列块来执行正常刷新操作和锤击刷新操作。刷新控制器控制除第一存储器单元阵列块和与第一存储器单元阵列块相邻的一个或多个第二存储器单元阵列块之外的一个或多个第三存储器单元阵列块来在对存储器单元阵列块当中的第一存储器单元阵列块执行正常刷新操作的同时执行锤击刷新操作。
存储器单元阵列块半导体存储器器件刷新操作存储器系统单元阵列块刷新控制器锤击存储器单元阵列第二存储器控制存储器配置

[发明专利]修复存储器单元的设备和方法及包括该设备的存储器系统-CN201310064093.X无效
发明人：孙敎民;宋镐永;黄祥俊;金澈;孙东贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：提供用于修复存储器系统中的存储器单元的方法和装置。测试设备根据测试命令通过测试存储器设备而检测故障地址，并且在故障地址存储器（FAM）中临时存储故障地址。根据故障地址传送模式，故障地址被传送到存储器设备，并且被临时存储在存储器设备的临时故障地址存储器中，然后被存储在作为非易失性存储设备的反熔丝阵列中。为了确保数据的可靠性，存储的数据被读取以便验证数据并且验证结果经由数据管脚被串行或并行地传送到测试设备。
修复存储器单元设备方法包括系统

[发明专利]同步半导体存储器件-CN200710147300.2无效
发明人：金贤真;宋镐永;朴润植;张星珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-09-06 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种同步半导体存储器件包括输出控制信号发生器，其响应于通过将内部时钟信号除以n获得的延迟内部时钟信号、通过延迟该内部时钟信号获得的第一采样信号和第二采样信号、通过将内部时钟信号除以n获得的第一输出控制时钟信号、以及列地址选通(CAS)等待时间信号，而生成与通过延迟读取信息信号所获得的信号对应的输出控制信号。该同步半导体存储器件还包括数据输出缓冲器，其通过响应于所述输出控制信号以及所述第一输出控制时钟信号而缓冲内部数据，来输出数据。
同步半导体存储器件

[发明专利]半导体存储器件及其延时信号生成方法-CN200610077358.X有效
发明人：朴光一;全永铉;张星珍;宋镐永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-04-29 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：公开了一种延时信号生成方法和相应的半导体存储器件。该方法包括：接收用于半导体存储器件的时钟信号；接收模式特性信号；提供DQS；并根据模式特性信号调节DQS的前同步状态的持续时间，以增进DQS的选通状态与时钟信号的一致性。
半导体存储器件及其延时信号生成方法

[发明专利]存储器系统、存储器设备和输出数据选通信号生成方法-CN200510113828.9无效
发明人：朴光一;张星珍;宋镐永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-10-19 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：一种输出数据选通信号生成方法和存储器系统，其包括多个半导体存储器设备；和用于控制半导体存储器设备的存储器控制器，其中，存储器控制器向半导体存储器设备提供命令信号和片选信号。一个或多个半导体存储器设备可以响应命令信号和片选信号而检测读命令和伪读命令，并且根据所计算的前同步周期数来生成一个或多个前同步信号。
存储器系统设备输出数据通信生成方法

[发明专利]延迟控制电路及延迟控制方法-CN200410049392.7无效
发明人：李相普;宋镐永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-06-09 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： G11C11/4076 文献下载
摘要：一种包括存储单元阵列和输出缓冲器的存储器件，该缓冲器从存储单元阵列接收已编址的数据，并根据延迟信号输出数据。延迟电路基于CAS延迟信息，有选择地使至少一个传送信号与至少一个采样信号相关联，以在相关联的采样与传送信号之间产生需要的定时关系。延迟电路依照至少一个采样信号存储所读信息，并基于与存储所读信息时所用的采样信号相关联的传送信号，产生延迟信号。
延迟控制电路控制方法

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