专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件的制造方法-CN200910054971.3有效
  • 吕丹;宋铭峰 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2009-07-16 - 2011-01-26 - H01L21/768
  • 本发明公开了一种半导体器件的制造方法,包括步骤:提供晶片,在所述晶片表面包括导电层,位于导电层上层的绝缘层;在所述绝缘层表面涂覆光掩模层;图案化晶片中央区域的所述光掩模层,并且晶片边缘区域的光掩模层不进行图案化,使得所述晶片上中央区域的部分绝缘层的被暴露,而晶片边缘区域的绝缘层被完全覆盖;对暴露的绝缘层进行刻蚀,从而在绝缘层中形成暴露所述导电层的通孔,减少了晶片表面由于导电杂质碎屑造成的缺陷。
  • 半导体器件制造方法
  • [发明专利]返工处理方法-CN200610116882.3有效
  • 李建茹;宋铭峰 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2006-09-30 - 2008-04-02 - G03F7/16
  • 一种返工处理方法,其中,所述光致抗蚀剂层位于介质层表面;所述返工处理方法包括:确定需返工的光致抗蚀剂层;灰化处理需返工的光致抗蚀剂层;进行介质层表面剥除步骤;重新涂覆并图案化光致抗蚀剂层;对光致抗蚀剂层进行检测;对检测不合格的光致抗蚀剂层重复上述步骤;获得检测合格的光致抗蚀剂层。通过在移除光致抗蚀剂层后,增加一介质层表层剥除步骤,可去除介质表面变质的薄层,在光致抗蚀剂层返工后获得性质均匀的介质层表面,继而保证在后续刻蚀过程中介质层表面的刻蚀速率不被改变,进而不再形成刻蚀开路缺陷,获得良好的返工效果。
  • 返工处理方法
  • [发明专利]去除刻蚀残留物的方法-CN200610026325.2有效
  • 王灵玲;宋铭峰;郭佳衢;李建茹;方标;刘轩;王秀;郑莲晃;王润顺 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2006-04-30 - 2007-10-31 - G03F7/20
  • 本发明公开了一种去除刻蚀残留物的方法包括:提供一半导体衬底;在衬底上形成功能层,在所述功能层表面形成掩膜层;图案化所述掩膜层;干法刻蚀所述功能层以形成所需图形并采用气体喷流去除刻蚀残留物;湿法清洗去除刻蚀残留物。本发明的另一种去除刻蚀残留物的方法在刻蚀所述功能层以形成所需图形之后先利用湿法去除刻蚀残留物;然后采用灰化方法去除刻蚀残留物;最后进行灰化后的清洗。本发明的刻蚀残留物去除方法对刻蚀后聚合物残留物有很好的去除效果,而且能够抗止光刻胶去除后的残留物再沉积,很好地解决了由于被去除残留物的再沉积而引起的例如堵塞通孔等问题。
  • 去除刻蚀残留物方法

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