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[实用新型]滴剂沉积装置及化学阵列-CN200520017002.8无效
发明人：比尔·J·佩克;埃里克·M·勒普鲁;戴维·R·阿达斯金;陈广;威廉·G·切斯克;唐纳德·J·施伦普;斯坦利·P·伍兹 -专利权人： 安捷伦科技公司
申请日： 2005-04-19 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： C12Q1/68 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于产生一生物聚合物阵列的滴剂沉积装置，所述生物聚合物阵列包含具有不同尺寸的生物聚合物特征，其特征是所述装置包含：至少一个沉积头，其具有与至少一个小孔相关的至少一个储蓄器以用于在一阵列基板上的复数个位置处分配包含用于产生生物聚合物的试剂的液滴；和一小孔喷射器，其与所述小孔相关联并可由一处理器所控制，所述处理器向所述喷射器提供一信号以改变由位于所述基板的所述表面处的所述小孔而沉积的一流体量。在某些实施例中，根据本方法制造而成的阵列的至少两个特征具有不同尺寸。实施例也包括具有不同尺寸的特征的化学阵列。本实用新型提供的包括流体沉积装置的实施例，其能够制造具有不同尺寸的特征的化学阵列。
滴剂沉积装置化学阵列

[发明专利]运算放大器及其制造方法-CN200510066354.7无效
发明人：林秉义;张丽萍 -专利权人： 安捷伦科技公司
申请日： 2005-04-22 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明揭示了一种运算放大器，其包括一第一信号输入端，用来接收一电流信号；一第二信号输入端，用来耦接至一参考电平；一外壳，所述外壳耦接至所述第二信号输入端；及一导电环，环绕所述第一信号输入端，并连接到所述第二信号输入端。
运算放大器及其制造方法

[发明专利]具有一质量负荷周边的薄膜体声波谐振器-CN200510079662.3有效
发明人：丰红均;R·沙恩·法斯奇奥;理查德·鲁比;保罗·布拉德利 -专利权人： 安捷伦科技公司
申请日： 2005-06-24 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明揭示了一种由中间夹有一压电材料的电极制成的谐振器结构(FBAR)。所述两个导电电极的相交界定了所述声波谐振器的有效面积。将所述有效面积划分为两个同心区域：一周边或框及一中心区域。将一环添加到两个导电电极中的一个以提高电性能(就Q而言)。
具有质量负荷周边薄膜声波谐振器

[发明专利]测量场效应晶体管(FET)特性的方法-CN200510132826.4无效
发明人：齐藤升 -专利权人： 安捷伦科技公司
申请日： 2005-12-22 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：在一种FET特性测量的方法中，将从一偏压三通管的一输出端子输出的一预定偏压电压施加到一FET的漏极，且将从一脉冲发生器输出的一脉冲施加到其栅极，以借此导致产生漏极电流。通过连接到所述偏压三通管的一AC输出端子的一负载阻抗将所述漏极电流转换成一电压脉冲，并基于所述电压脉冲测量所述漏极电流。所述方法包括：将所述偏压电压增加一对应于由所述负载阻抗引起的一电压降的量且重复测量一所述电压脉冲值一预定次数，和对通过所述预定次数的重复测量所得到的所述电压脉冲值的最后两个值应用外推法以确定待施加到所述FET的一漏极电压。
测量场效应晶体管 fet 特性方法

[发明专利]内嵌于无线外围设备中的非谐振天线-CN200510088846.6无效
发明人：迈克尔·J·布罗斯南 -专利权人： 安捷伦科技公司
申请日： 2005-07-29 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： G06F3/033 文献下载
摘要：本发明提供一种包括一外壳、一半导体装置和一天线的外围设备。所述外围设备产生射频(RF)控制信号并将其发射到一主机装置。所述半导体装置包含于所述外壳内且产生所述RF控制信号。所述天线完全包含于所述半导体装置内，且向所述主机装置发射所述RF控制信号。
无线外围设备中的谐振天线

[发明专利]具有透过一可移动手持光标器提供可见光的光源的指向装置-CN200510088847.0无效
发明人：约翰·S·温斯特兰;马克思·萨法伊 -专利权人： 安捷伦科技公司
申请日： 2005-07-29 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： G06F3/033 文献下载
摘要：一种包括一基础表面的指向装置。所述指向装置包括一被限定在一手持光标器(puck)运动区域内的所述基础表面上移动的可移动手持光标器。所述指向装置包括一用于识别所述手持光标器的一位置的位置检测器。所述指向装置包括一用于透过所述手持光标器提供可见光的一第一光源。
具有透过移动手持光标提供可见光光源指向装置

[发明专利]具有第二输入装置的鼠标输入装置-CN200510088848.5无效
发明人：马克斯·萨法伊 -专利权人： 安捷伦科技公司
申请日： 2005-07-29 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： G06F3/033 文献下载
摘要：一种包括一追踪装置和一第二输入装置的鼠标输入装置。所述追踪装置追踪所述鼠标输入装置在一底层表面上的移动。所述第二输入装置定位于所述鼠标输入装置的一表面上。所述第二输入装置具有一滑动结构。所述滑动结构相对于所述鼠标输入装置的所述表面的运动幅度和方向受到监控。
具有第二输入装置鼠标

[发明专利]检验阵列衬底的方法和装置-CN200510127974.7无效
发明人：板垣信孝;乘松秀行 -专利权人： 安捷伦科技公司
申请日： 2005-12-07 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：一种用于检验有源矩阵显示面板阵列衬底的方法，所述方法包括：一第一步骤，其在一晶体管导电的同时将一电压V₁施加到所述晶体管的数据端子，使所述晶体管进入一不导电状态，将一电压V₁+ΔV施加到所述数据端子，使所述晶体管进入一导电状态，并测量电荷ΔQ；一第二步骤，其当所述晶体管不导电且所述数据端子电压是V₃时将一电压V₀施加到所述数据端子，并测量当所述晶体管导电时流经所述晶体管的一电荷Q₁；一第三步骤，其当所述晶体管不导电且所述数据端子电压是V₄时将一电压V₀′施加到所述数据端子，并测量当所述晶体管导电时流动的电荷Q₂；和一第四步骤，其基于ΔV、ΔQ、V₀、V₀′、V₃、V₄、Q₁和Q₂来确定电容器的电容。
检验阵列衬底方法装置

[发明专利]有源矩阵TFT阵列的测定方法-CN200510123676.0无效
发明人：宫本隆;田岛佳代子 -专利权人： 安捷伦科技公司
申请日： 2005-11-18 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明提供一种TFT阵列保持电容的保持特性测试中的高精度测试方法。本发明系关于一种测定方法，其特征在于：其是包含具备保持电容的复数个像素电路的有源矩阵TFT阵列的保持特性测定方法，且上述复数个像素电路中至少具备第1与第2像素电路，并且包含如下步骤，向第1像素电路的保持电容充电，其次向第2像素电路的保持电容充电，进而进行消除由浮动电容产生的影响的操作，并对充电后经过特定保持时间的上述第1与第2像素电路的保持电容的电荷进行测定。
有源矩阵 tft 阵列测定方法

[发明专利]成形空间滤波器的空间响应的方法及系统-CN200510093167.8无效
发明人：斯蒂芬·亨斯特勒;罗摩克里希纳·卡卡腊拉 -专利权人： 安捷伦科技公司
申请日： 2005-08-19 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： H03H19/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种空间滤波器，其包括数个在时间域中生成单独信号的光电探测器。所述单独信号随后被分割并组合以形成从空间滤波器的I通道及Q通道输出。在I及Q通道形成之前，使用一窗函数来成形所述空间滤波器的空间响应。
成形空间滤波器响应方法系统

[发明专利]集成波导及设计集成波导的方法-CN200510093166.3无效
发明人：彼得·B·卡特利塞;约翰·S·温斯特兰 -专利权人： 安捷伦科技公司
申请日： 2005-08-19 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明揭示一种集成波导，其包括一构造成通过一第一主表面接收一第一电磁场分布并具有一第二主表面的介电结构，其中所述第一电磁场分布在所述介电结构内产生一第二电磁场分布。所述波导进一步包括在所述介电结构中设置于所述第一主表面与所述第二主表面之间的至少一个金属元件，所述至少一个金属元件构造并定位成实现所述第二电磁场分布以增加入射到所述第二主表面的一所选区域上的所述第二电磁场分布的量。
集成波导设计方法

[发明专利]集成电路光电探测器的光学增强-CN200510093168.2有效
发明人：钦塔马尼·帕尔苏莱;约翰·H·斯坦贝克;托马斯·E·邓根;马克·D·克鲁克 -专利权人： 安捷伦科技公司
申请日： 2005-08-19 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体集成电路结构及其制作方法。该半导体集成电路结构包括一与一半导体衬底成一体的光敏装置、一设置于该光敏装置上面的覆盖介电层及一设置于该覆盖介电层上的透镜形成介电层(lens－formationdielectriclayer)。光可透射过该覆盖介电层；且可透射过该透镜形成介电层。该透镜形成介电层形成一嵌入式凸微透镜。该微透镜将光引导至光敏装置上。
集成电路光电探测器光学增强

[发明专利]采用基于动态缓冲器容量水平压缩调节的图像编码-CN200510093163.X有效
发明人：唐纳德·M·里德;埃雷尔·R·克拉克二世 -专利权人： 安捷伦科技公司
申请日： 2005-08-19 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： G06T9/00 文献下载
摘要：本发明描述了多种用于对图像进行编码的方法、系统和计算机程序。在一个方面，从图像的一连串块中依序产生量化频率域向量。每一量化频率域向量包括从一相应图像块中导出的一组量化前向变换系数。针对每一连续的量化频率域向量，确定一缓冲器的当前输入容量水平，并在确定所述当前输入容量水平低于一规定阈值时修改量化频率域向量以增加可压缩性。将修改的和未修改的量化频率域向量编码成一连串编码图像块。将所述一连串编码图像块存储在缓冲器中。
采用基于动态缓冲器容量水平压缩调节图像编码

[发明专利]在集成电路中制作低泄漏互连层的方法-CN200510093165.9无效
发明人：钦塔马尼·帕尔苏莱;杰伊·迈耶;约翰·H·斯坦贝克;杰里米·A·泰尔;马克·D·克鲁克;柯克·A·林达尔 -专利权人： 安捷伦科技公司
申请日： 2005-08-19 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于制作低泄漏集成电路结构的方法。将一抗反射层无中间层地直接设置在一互连导体的顶部上，并在该抗反射层上设置一介电层。该互连导体是铝；该抗反射层是氮化钛，且该抗反射层的厚度小于或等于650埃并大于或等于150埃。开制一接触窗口，该接触窗口至少向下延伸至该抗反射层。
集成电路制作泄漏互连方法

[发明专利]使可印材料精确跟踪的系统和方法-CN200510105052.6无效
发明人：约翰·P·厄特尔;谢彤;马歇尔·T·迪普 -专利权人： 安捷伦科技公司
申请日： 2005-09-26 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： G03G15/00 文献下载
摘要：本发明揭示了用于打印材料的精确呈现的系统。一系统可包含一基底、一与所述基底紧密接触的辊和一跟踪所述辊的运动的运动传感器。通过一推进机构将一基底朝向一打印机构推进，且将一辊与所述基底相接触放置，使得所述基底的运动引起所述辊的运动。光学和/或运动传感器可用于跟踪所述辊的所述运动。在某些实施例中，一个以上的运动传感器可用于跟踪所述球辊在一个以上运动平面中的运动。
使可印材料精确跟踪系统方法

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