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[发明专利]一种籽晶粘接烧结定位装置及提高晶体质量的粘接方法-CN202310951604.3在审
发明人：夏振伟;高攀;贺贤汉 -专利权人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种籽晶粘接烧结定位结构及提高晶体质量的粘接方法，依次包括压块、籽晶、籽晶托、石墨纸、籽晶托定位环、籽晶定位环、螺纹孔、石墨螺钉，螺纹。所述籽晶托定位环上中部设有螺纹孔，底部设有螺纹。本发明通过螺纹钉及籽晶托定位环、籽晶定位环对籽晶进行定位，避免籽晶在粘接过程中发生偏移。通过本发明的籽晶粘结结构与方法，不仅实现籽晶的完全对中，而且可应用于各种尺寸的籽晶粘结。
一种籽晶烧结定位装置提高晶体质量方法

[发明专利]一种硅表面平坦化和湿式清洗工艺-CN202310951601.X在审
发明人：江成陈;贺贤汉;曹德坤 -专利权人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅表面平坦化和湿式清洗工艺，本发明工艺可以更好地维持硅片表面粗糙度。另外，高温溶液以及碱性溶液对于粗糙度的影响最大，这两种溶液中OH‑的浓度非常高，而氢氧根离子会刻蚀Si表面，引起表面粗糙度的恶化。因而本发明不使用这些高温溶液，在保护硅片表面粗糙度方面具有优良的表现。在本发明中清洗工艺也会引起硅片粗糙度的变化，但是由于表面活性剂易于附着于硅表面，使得H2O2和HF对硅片表面的氧化与刻蚀速度更加均匀，因此表面粗糙度也可以很好的保持。
一种表面平坦清洗工艺

[发明专利]一种碳化硅晶片集中清洗设备及集中清洗方法-CN202310951602.4在审
发明人：钟超;贺贤汉;高攀;陈辉;章磊 -专利权人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅晶片集中清洗设备及集中清洗方法，包括清洗室、集中清洗夹具等装置，其中集中清洗夹具包括第一清洗夹具以及第二清洗夹具,在碳化硅晶片集中放置完毕后，通过控制第一清洗夹具翻转至第二清洗夹具上方让二者位置对应能够形成清洗区域，在清洗的过程中能够控制晶片在清洗区域内移动，让碳化硅晶片不同的位置与清洗区域内不同内壁相接触，能够让碳化硅晶片周向的边缘部分均裸露于清洗区域内，能够提高兆声清洗设备对晶片边缘部分的清洗效果，避免污染物质残留。该发明能够在碳化硅晶片清洗的过程中通过偏转夹具的方式让碳化硅晶片位置发生偏转，加强了对其底端边缘位置的清洁效果，提高了整体清洁效率。
一种碳化硅晶片集中清洗设备方法

[发明专利]一种可加快坩埚悬空冷却吊具-CN202310951605.8在审
发明人：殷仲阳;高攀;贺贤汉 -专利权人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B66C1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种可加快坩埚悬空冷却吊具，涉及到碳化硅晶体制备技术领域，包括用于将生长炉内坩埚吊起悬空冷却的重力夹持吊具，还包括利用所述坩埚所带热量作为动力源为所述坩埚进行散热的热动力散热机构。本发明结构合理，本发明在原吊具上增设热动力散热机构，本冷却吊具利用坩埚自身的热量进行发电并给电机提供电能，并利用产生的风力对坩埚进行散热，可加快坩埚的悬空冷却速度，且本热动力散热机构散热效果温和，并不会对坩埚以及晶体产生影响。
一种加快坩埚悬空冷却

[发明专利]一种减少导电型碳化硅晶体PVT法生长多型的方法及生长装置-CN202310804197.3在审
发明人：王升;孔海宽;陈建军;张永良 -专利权人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少导电型碳化硅晶体PVT法生长多型的方法及生长装置，涉及到晶体制备技术领域，包括如下步骤，S1:将4H碳化硅籽晶粘接到坩埚盖底部，然后将碳化硅粉料放入装料坩埚中，最后装上中圈、环形导模套和坩埚盖；S2:抽真空达到至10‑4Pa后充氩气至6～13mba后开始加热,控制维持内部中心温度达到2000～2300℃；S3:100～120h后晶体生长结束,以50～80℃/h速率冷却到室温。环形导模套的内径比籽晶直径小，可避免间隙的产生，进而防止在间隙中产生6H多型晶体；中环形导模套的壁厚不对称，装配后的环形导模套的最大壁厚处与最小壁厚处的连线平行于籽晶定位边，且厚壁面处居于晶体生长大面处，薄壁面处居于晶体生长小面处，可抑制6H多型晶体的生长。
一种减少导电碳化硅晶体 pvt 生长方法装置

[发明专利]一种碳化硅晶体电化学抛光工艺-CN202310967129.9在审
发明人：陈辉;贺贤汉;钟超 -专利权人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶体电化学抛光工艺，使用本发明的工艺，粗抛中碳化硅晶体表面粗糙度Sa从83.364nm下降到1.977nm；半精抛30min内使碳化硅晶体表面粗糙度Sa从2.195nm下降到0.489nm，在提高抛光效率的基础上，还能兼顾表面质量；精抛光能够得到无损伤、超光滑表面，表面粗糙度Sa达到0.112nm，符合碳化硅作为衬底材料的使用要求，同时材料去除率MRR达到0.849km/h。
一种碳化硅晶体电化学抛光工艺

[发明专利]一种用于晶圆片背胶清洗的加工方法-CN202310792500.2在审
发明人：江成陈;曹德坤 -专利权人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于晶圆片背胶清洗的加工方法，包含以下步骤：a、将晶圆片放入带有超声的柠檬酸溶液中浸泡，b、晶圆片放入纯水中溢流，c、利用甩干机甩干晶圆片，d、晶圆片单片预清洗，e、晶圆片单片清洗，本发明的优点在于不需要通过擦拭的方式去除背胶，避免了划痕的产生，大大的节约了因划痕导致CMP返工所产生的费用。晶片保护膜保护了晶片，避免了划痕、颗粒、有机物对表面的伤害及污染，本发明解决了撕下保护膜后留下的背胶清洗问题，有利于晶片防护的推广，有利于晶片有效使用面积的提升，有利于半导体行业的进步。
一种用于晶圆片背胶清洗加工方法

[发明专利]一种籽晶分离装置及使用方法-CN202310951603.9在审
发明人：王升;贺贤汉;涂小牛;忻隽 -专利权人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种籽晶分离装置及使用方法，涉及到碳化硅晶体技术领域，包括升降单元：用于承载坩埚盖与籽晶并进行整体的高度调节；线切割单元：用于对坩埚盖与籽晶之间的高温胶层进行切割以使得坩埚盖与籽晶分离。本装置采用线切割单元对较后的高温胶层进行切割处理，可使得坩埚盖与带有晶体的籽晶安全且快速分离，还包括调节上金刚线与下金刚线两线之间距离以及自动调节金刚线张紧度的调节单元，可自动保持金刚线张紧度的同时可调节上金刚线与下金刚线之间的间距，以适应对不同厚度的高温胶层的切割，扩大其使用范围。
一种籽晶分离装置使用方法

[发明专利]一种不规则碳化硅晶锭快速磨切装置-CN202310959660.1在审
发明人：姚智勇;贺贤汉;左轩;高攀 -专利权人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种不规则碳化硅晶锭快速磨切装置，涉及到货物运输领域，包括磨切单元：设置有多个，用于对不规则碳化硅晶锭进行磨切处理；驱动单元：用于同时带动多个所述磨切单元进行直线移动；旋转承载单元：用于承载不规则碳化硅晶锭并对碳化硅晶锭进行旋转操作其中，多个磨切单元均安装在所述驱动单元上，所述驱动单元安装在所述旋转承载单元上。本装置采用多个磨切单元对晶锭进行竖向旋转磨切，可快速对晶锭上不规则的部分切除，且金刚线可采用较小直径的（可根据精细打磨精度进行选择），对晶锭进行切割的同时还对其具有精细打磨作用，可一次性得到标准的圆形晶锭（即经过传统打磨工艺后的得到的合格晶锭），本装置操作方便且快捷。
一种不规则碳化硅快速装置

[发明专利]一种大颗粒碳化硅粉料制备装置与方法-CN202310654992.9在审
发明人：涂小牛;贺贤汉;忻隽;孔海宽;李书顶 -专利权人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本发明公开了一种大颗粒碳化硅粉料制备装置与方法，涉及到半导体材料技术领域，包括带有降温结构的高温加热炉、坩埚以及坩埚盖，还包括密封罩，所述密封罩靠近开口端的内腔壁上突出设有密封环，且所述密封环位于所述坩埚盖与所述坩埚连接缝隙处下方，所述密封罩上安装有与其内腔相通的连接管，且所述连接管通过连接件与贯穿所述高温加热炉的排气管进行密封连接，所述排气管位于所述高温加热炉外壁的部位上安装有排气单向阀，所述密封罩的内腔顶部固定有支撑件。本方法基于传统的固相合成方法，并借鉴气相合成原理，通过改变烧料坩埚的长径比，显著提高合成的碳化硅粉料颗粒度，可实现大批量合成大颗粒碳化硅粉料，具有显著经济效益。
一种颗粒碳化硅制备装置方法

[发明专利]一种颗粒度均匀的碳化硅粉料制备装置与方法-CN202310675593.0在审
发明人：涂小牛;贺贤汉;孔海宽;忻隽;李书顶 -专利权人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本发明公开了一种颗粒度均匀的碳化硅粉料制备装置与方法，涉及到半导体材料技术领域。本发明结构合理，方法基于传统的固相合成方法，通过设计长径比为0.95的烧料坩埚，在烧料坩埚内基本没有温度梯度，保证烧料坩埚内部的碳化硅晶粒能够原位长大，形成颗粒度均匀的碳化硅粉料。此外，通过调控合成时间还可以进一步调节颗粒度大小和占比。具有粒度大且可调、操作简单、无需分级等优点，能工业化制备高纯碳化硅粉料，具有显著经济效益。
一种颗粒均匀碳化硅制备装置方法

[发明专利]一种石墨纸籽晶承载装置及其制备工艺-CN202310648733.5在审
发明人：忻隽;贺贤汉;孔海宽;陈建军;涂小牛 -专利权人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨纸籽晶承载装置及其制备工艺，包括生长腔室、承载托、位控组件等组件，其中承载托包括可以相互分离的第一承载组件以及第二承载组件，在高温制备碳化硅晶体的过程中，控制第一承载组件以及第二承载组件底端端面平齐，能够以平整密封的端面来安装碳化硅籽晶，以避免籽晶发生背升华，避免引起晶体缺陷的形成；在降温的过程中，控制第二承载组件抬升远离第一承载组件，此时能够形成交替的间隙，能够在降温的过程中让晶体内部的应力能够释放。该发明能够解决降温的过程中晶体内部应力释放的问题，提高成品碳化硅晶体的质量。
一种石墨籽晶承载装置及其制备工艺

[发明专利]一种快速加工晶圆片倒角的方法及其装置-CN202310427677.2在审
发明人：曹德坤;钟超;顾雪龙;贺贤汉 -专利权人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速加工晶圆片倒角的方法及其装置，涉及碳化硅材料加工技术领域，包括S1:将晶圆片居中放置在真空吸附载台上并进行真空吸附定位；S2:三个盘式砂轮旋转、移动并靠近真空吸附载台上固定的所述晶圆片并同时对所述晶圆片进行倒角操作，且倒角过程中需要冷却水对打磨部进行冷却。本发明放弃了利用槽式砂轮加工倒角的方式，采用盘式砂轮，避免了槽式砂轮利用率不高，单片成本过高的状态。本发明采用了三体位同时加工的方式，摒弃了原始研磨方式（T1/R研磨模式、T2研磨模式、T3研磨模式）中的先后加工方式，极大的优化了加工工艺，提高了研磨的效率，降低了倒角崩边的概率，也有效的提高了倒角工序的产量，有利于大批量的商业生产。
一种快速加工晶圆片倒角方法及其装置

[发明专利]一种双层结构碳化硅晶体生长坩埚及生长方法-CN202310675595.X在审
发明人：忻隽;贺贤汉;孔海宽;陈建军;涂小牛 -专利权人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种双层结构碳化硅晶体生长坩埚及生长方法，包括料盒、生长室、分散装置、输送组件等装置，上下两个生长室均与下方的料盒相连通，料盒内的粉体开始分解升华，输送至生长室内完成凝华结晶，在两个单独的生长室内能够连续完成两个碳化硅晶体的制备，可以在单一生长周期内同时制备个碳化硅单晶体，有效提高生产效率，降低了生产制造成本。该发明能够在上下两个生长室内同时生长出碳化硅晶体，并且保证了远离料盒一侧碳化硅晶体生长得均匀一致，保证了碳化硅晶体的质量。
一种双层结构碳化硅晶体生长坩埚生长方法

[发明专利]一种提高碳化硅粉料堆积密度的方法-CN202310191454.0在审
发明人：涂小牛;贺贤汉;李书顶;忻隽;胡阳 -专利权人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明设计了一种简便可行的高堆积密度碳化硅粉料的制备方法，可在保持粉料纯度不降低的情况下，将现有粉料的堆积密度提高20‑30%，以满足生长更厚碳化硅单晶的需求。
一种提高碳化硅堆积密度方法

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