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[发明专利]数据收集系统、数据收集装置、数据收集方法以及数据收集程序-CN202280017209.1在审
发明人： 守屋刚;茂木弘典;鱼山和哉;松泽贵仁;片冈勇树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在基板处理中的处理条件的探索中，收集适当的数据。一种数据收集系统，具有：具有第1处理空间的第1基板处理装置、具有第2处理空间的第2基板处理装置、和与所述第1基板处理装置及第2基板处理装置连接的数据收集装置，具有：修正量计算部，比较通过在相同的处理条件下在所述第1处理空间和第2处理空间中分别处理相同或类似形状的基板而观测到的观测数据，计算出对通过在所述第2处理空间中进行处理而观测到的观测数据进行修正的修正量；和收集部，在通过在所述第2处理空间中改变处理条件来处理基板从而探索处理条件时，基于所述修正量来对通过在所述第2处理空间中进行处理而观测到的观测数据进行修正，并收集修正后的观测数据。
数据收集系统装置方法以及程序

[发明专利]管理装置、预测方法和预测程序-CN202180086072.0在审
发明人： 守屋刚;茂木弘典;片冈勇树;鱼山和哉;松泽贵仁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G05B13/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种预测控制对象中处理值的变化并利用预测结果的结构。本发明的管理装置，包括：预测模型部，学习了控制对象中的时刻T时的多变量控制值与所述控制对象中的时刻T+ΔT时的多变量处理值的输入输出关系；以及优化模型部，探索将由所述预测模型部输出的时刻T+ΔT时的多变量处理值与对应的目标值之间的各差值最小化的时刻T时的多变量控制值，并利用所探索出的该多变量控制值对所述控制对象进行控制，其中，在存在来自管理所述预测模型部的代理部的请求时，所述预测模型部对以指定的控制值对所述控制对象进行控制的情况下的所述控制对象中的时刻ΔT后的多变量处理值进行预测，并输出至所述代理部。
管理装置预测方法程序

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201980050065.8有效
发明人：铃木悠介;守屋刚;光成正;岩下伸也;森贞佳纪;野吕尚孝;加贺谷宗仁;田中谕志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供一种成膜装置，该成膜装置具有：处理容器；支承机构，其将基板支承成能够升降；第1气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面供给第1气体；第2气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的背面供给第2气体；以及第3气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面和背面中的至少任一者供给第3气体。
装置方法

[发明专利]成膜装置-CN201910505338.5有效
发明人：岩下伸也;铃木步太;进藤崇央;传宝一树;松土龙夫;森田靖;菊地贵伦;守屋刚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置，能够将在同一成膜装置中形成的薄膜的膜质控制为多种多样的膜质。本公开的成膜装置具备：能够进行真空排气的处理容器、下部电极、上部电极、气体供给部、电压施加部以及切换部。在处理容器内，在下部电极载置被处理基板。在处理容器内，上部电极与下部电极相向地配置。气体供给部将用于在上部电极与下部电极之间的处理空间进行等离子体化的成膜原料气体供给到处理空间。电压施加部具有高频电源和直流电源，并向上部电极施加从高频电源和直流电源中的至少一方输出的电压。切换部将向上部电极施加的电压在从高频电源输出的高频电压、从直流电源输出的直流电压、以及将直流电压叠加于高频电压所得到的叠加电压之间进行切换。
装置

[发明专利]成膜方法-CN201880064563.3有效
发明人：岩下伸也;守屋刚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C23C16/509 文献下载
摘要：在一实施方式的成膜方法在基片载置于支承台上的状态下被执行。该成膜方法包括：从气体供给部向腔室主体的内部空间供给包含前体的前体气体的步骤；从气体供给部向内部空间供给反应性气体的步骤；生成反应性气体的等离子体以增强前体与反应性气体的反应的步骤。在生成反应性气体的等离子体的步骤中，调节供给到下部电极的第2高频的电功率与供给到上部电极的第1高频的电功率之比，并且用相位调节电路，相对于上部电极的电压的相位相对地调节下部电极的电压的相位。
方法

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN202080020699.1在审
发明人：加贺谷宗仁;川上聪;守屋刚;松土龙夫;山涌纯;小野田裕之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。分隔板具有绝缘性，将处理容器的内部分隔为载置被处理体的反应室和生成等离子体的等离子体生成室。此外，分隔板在等离子体生成室侧的面设置第一电极，形成有用于将在等离子体生成室内生成的等离子体所包含的活性种供给到反应室的多个贯通孔。第二电极与第一电极相对地配置在等离子体生成室。在等离子体生成室生成等离子体时，电功率供给部对第一电极和第二电极中的任一者供给将多个频率的高频电功率进行相位控制并叠加而成的高频电功率。
等离子体处理装置方法

[发明专利]异物检查系统、异物检查方法、程序以及半导体制造装置-CN202110410813.8在审
发明人： 守屋刚;榎美贵;远山时生;高桥通宏;森拓也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明涉及异物检查系统、异物检查方法、程序以及半导体制造装置。提供判定附着于检查对象的异物的位置以及种类的技术。是检查附着于检查对象的异物的异物检查系统，并通过具有以下部分来解决上述课题：光源部，向上述检查对象照射激励光；检测部，检测照射上述激励光而产生的荧光的发光；判定部，根据上述荧光的发光判定附着于上述检查对象的异物的位置以及种类；以及输出部，输出上述判定部的判定结果。
异物检查系统方法程序以及半导体制造装置

[发明专利]碳硬掩模、成膜装置和成膜方法-CN201980080907.4在审
发明人：堀胜;关根诚;杉浦启嗣;守屋刚;田中谕志;森贞佳纪 -专利权人：东京毅力科创株式会社;国立大学法人东海国立大学机构
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在层叠于被蚀刻膜上的碳硬掩模的一个实施方式中，碳硬掩模中所含的亚甲基CH2和甲基CH3的浓度比满足下述式。CH2/(CH2+CH3)≥0.5。
碳硬掩模装置方法

[发明专利]成膜方法和半导体制造装置-CN201980071967.X在审
发明人：铃木悠介;守屋刚;长谷部一秀;远藤笃史;田中谕志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法，其包括：准备与基片的正面状态的测量结果相应的掩模的步骤；将上述掩模送入处理容器内的步骤；将上述基片送入上述处理容器内的步骤；和在上述基片的背面配置有上述掩模的状态下，对上述基片的背面进行成膜的步骤。
方法半导体制造装置

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及基板处理装置的维护方法-CN201610597359.0有效
发明人：牟田行志;守屋刚;森拓也;竹下和宏;江崎智规;水永耕市;田中雅山;金川耕三;中野圭悟 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及基板处理装置的维护方法。在对晶圆进行加热处理时分解由于晶圆的处理而产生的升华物，从而抑制升华物附着于排气路径的情况。另外，在利用来自光源部的光对晶圆W进行加热等处理时将附着到透光窗的升华物去除。在处理容器的内表面形成热催化剂层，对该热催化剂层进行了加热。因此，在自晶圆上的涂敷膜升华而引入到处理容器内的升华物到达了热催化剂层的附近时，利用热催化剂层的热活性化从而升华物被分解去除。另外，在将附着到透光窗的升华物去除时，将在表面形成有热催化剂层的清洁用基板输入处理容器内，在将热催化剂层靠近了透光窗后，加热清洁用基板，从而将附着到透光窗的表面的升华物去除。
处理装置方法以及维护

[发明专利]硬掩模、基板处理方法以及基板处理装置-CN202010413378.X在审
发明人： 守屋刚;石坂忠大;森贞佳纪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供一种硬掩模、基板处理方法以及基板处理装置，该硬掩膜进行了应力调整。所述硬掩模形成于在基板形成的对象膜之上，并且是通过将一个以上的具有第一方向的应力的第一膜和一个以上的具有与所述第一方向相反的第二方向的应力的第二膜交替地层叠而成的硬掩模。
硬掩模处理方法以及装置

[发明专利]温度测量用基板以及温度测量系统-CN201780002554.7有效
发明人：光成正;田中谕志;守屋刚;松田俊也;宫川正章;岩崎贤也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-04-06 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： G01K11/32 文献下载
摘要：本发明提供温度测量用基板以及温度测量系统，温度测量用基板具备：基板，其为半导体晶片或者平板显示器用基板的任一个；和至少一根光纤，其敷设于所述基板的表面，具有第一图案部、和比所述第一图案部更密地形成的第二图案部。
温度测量用基板以及系统

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201711284172.6有效
发明人：铃木步太;山本康介;松崎和爱;加贺谷宗仁;守屋刚;光成正;久保敦史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供控制在作为基片的晶片面内的膜厚分布的技术。在将供给原料气体和作为反应气体的O2气体来形成单分子层的循环反复进行多次，在晶片(W)形成规定膜厚的SiO2膜时，从形成有在晶片(W)的径向上同心圆状地划分成多个而得的、能够彼此独立地排出气体的第一～第三划分区域(Z1～Z3)的气体排出部(4)排出气体。通过原料气体和O2气体的反应来形成SiO2膜，通过改变原料气体的供给量和O2气体的供给量，使SiO2膜的膜厚变化。因此，通过控制成原料气体的供给量和O2气体的供给量在第一～第三划分区域(Z1～Z3)之间彼此不同，能够调整晶片(W)的径向的膜厚，控制膜厚分布。
装置方法

[发明专利]等离子体处理方法-CN201880064580.7在审
发明人：岩下伸也;菊地贵伦;野吕尚孝;长谷川敏夫;守屋刚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的一实施方式的等离子体处理方法在基片被载置于腔室主体的内部空间之中的支承台上的状态下被执行。在该等离子体处理方法中，对基片实施等离子体处理。接着，用相位调节电路，相对于上部电极的电压的相位相对地调节下部电极的电压的相位，以使得在使为了进行等离子体处理而生成的等离子体不消失的情况下使支承台与等离子体之间的鞘层的厚度增大。然后，在停止了高频的供给的状态下，使用排气装置，将腔室主体的内部空间之中的气体和颗粒排出。
等离子体处理方法

[发明专利]基板清洗方法和基板清洗装置-CN201180008727.9有效
发明人：松井英章;守屋刚;成岛正树 -专利权人：东京毅力科创株式会社;岩谷产业株式会社
申请日： 2011-02-03 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种基板清洗方法，其能够清除基板上附着的异物，且防止基板和该基板上形成的膜的劣化。向附着有异物（22）且配置在几乎真空气氛中的晶片（W）以0.3MPa~2.0MPa中的任一压力喷雾清洗气体形成包含多个气体分子（20）的团簇（21），使该团簇（21）不离子化就向晶片（W）碰撞。
清洗方法装置

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