“孔令沂”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果44个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种硅酮密封胶注入装置-CN202321318346.7有效
发明人：刘锋;郝永哲;孔令沂 -专利权人：山东航空港建设工程集团有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： E01C23/09 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅酮密封胶注入装置，包括用于存放硅酮密封胶筒的存放筒，所述存放筒为倾斜状布置，所述存放筒固定在水平布置的支板上表面中部位置，所述支板的两端均安装有支撑轮，所述存放筒倾斜上端对称固定连接有两个连杆，所述连杆沿着存放筒的长度方向布置，所述连杆远离存放筒的一端与用于存放蓄电池的圆筒固定连接，所述圆筒面向存放筒的一面固定连接有沿圆筒长度方向布置的与蓄电池电性连接的电动推杆，所述电动推杆活动端与滑动安装在硅酮密封胶筒内的胶筒塞相接触，所述圆筒远离连杆的一端安装有抓握件，本实用新型具有如下的有益效果：实现使人员采用站姿对机场跑道的接缝处进行注胶操作。
一种硅酮密封胶注入装置

[发明专利]水槽沉积结构精细重构方法及装置-CN202211414437.0在审
发明人：唐明明;韩迪;马慧芳;孔令沂;钱思源;张茜;熊思琛;黄伯阳;张炎;韩仔坤;解容;彭晨阳;程佳俊;洪瑞峰 -专利权人：中国石油大学(华东)
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01N15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种水槽沉积结构精细重构方法及装置，所述装置包括若干局域冷冻槽，所述局域冷冻槽包括：底面开放且内部中空的长方体形槽体、位于所述槽体顶面的、与其中空的内部连通的至少两个通道，其中任一通道供冷冻介质进入，另一通道供使用后的冷冻介质流出，及位于所述槽体顶面的与所述两个通道不同位置处的三个直径不同的金属颗粒。本发明可在不对实验结果产生高破坏性的前提下，显著提稿水槽沉积结构精细重构的精度和效率。
水槽沉积结构精细方法装置

[发明专利]一种抑制外延边缘Crown缺陷的方法-CN202110771412.5有效
发明人：韩景瑞;李浩然;孔令沂;杨旭腾;梁土钦;李锡光 -专利权人：东莞市天域半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种抑制外延边缘Crown缺陷的方法：在衬底上进行外延生长，所述衬底包括内部斜切形成的偏角部以及围绕偏角部的平台部，外延生长时，平台部的上方设置有遮挡件，所述遮挡件的底面与平台部的上表面的高度差为0.1‑0.3mm。本发明在生长外延时，使用遮挡件遮挡住衬底边缘的平台部，即衬底边缘无台阶结构的位置，由于未被遮挡的偏角部是具有斜切形成的台阶结构的，因此偏角部仍能以台阶流的生长模式进行生长，而被遮挡的平台部生长气体难以进入，沉积效率极为低下，几乎无法沉积，因此可以避免平台部通过二维生长模式而形成Crown状缺，从而保障了单一晶型的生长并且成功抑制了边缘缺陷的形成。
一种抑制外延边缘 crown 缺陷方法

[实用新型]一种机场道面刻槽成型装置-CN202220436587.0有效
发明人：刘锋;孔令沂;李岩 -专利权人：山东航空港建设工程集团有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： E01C23/09 文献下载
摘要：本实用新型提供一种机场道面刻槽成型装置，包括刻槽成型主体，所述刻槽成型主体的驱动轴连接刻槽刀，所述刻槽刀上端设置半圆型外壳，所述半圆型外壳后端滑动设置滑块，所述滑块后端中间位置安装调节组件，所述调节组件后端设置安装筒，所述安装筒内部活动安装圆盘，所述圆盘上端与安装筒内部顶端之间设置弹性件，所述圆盘下端中间位置固定连接用于装配滑石笔的直筒且直筒延伸出安装筒下侧，该设计能将滑石笔插接到直筒内，并在弹性件的作用下，保证滑石笔始终与道面接触，在刻槽成型过程中，使滑石笔沿着道面上的标线进行移动，从而保证刻槽刀沿着道面上的标线进行刻槽成型作业，提升刻槽成型质量。
一种机场道面刻槽成型装置

[发明专利]一种SiC化学气相沉积设备反应腔配件清洁方法-CN202010452392.0有效
发明人：梁土钦;孔令沂;韩景瑞;杨旭腾;周泽成;李锡光;邹雄辉 -专利权人：东莞市天域半导体科技有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及SiC化学气相沉积技术领域，具体涉及一种SiC化学气相沉积设备反应腔配件清洁方法，包括如下步骤：(1)机械摩擦；(2)除尘；(3)超声清洗；(4)高温纯化：将配件置于高温炉中并通入气体进行纯化，控制高温炉的气压为50‑300mbar，温度为1300‑1700℃，持续30‑240min，通入的气体中，H2流量为30‑50slm，HCl流量为100‑1000sccm。本发明首先通过机械摩擦、除尘和超声清洗的方式去除配件表面明显的沉积物，而后利用氯化氢气体以及高温条件对配件进行纯化，去除沉积物杂质，本发明清洗过程不损坏原有涂层，而清洗后的配件的表面也较为平整，满足配件继续使用的要求。
一种 sic 化学沉积设备反应配件清洁方法

[发明专利]一种有效去除晶圆正反面颗粒团聚的清洗方法-CN201910988726.3有效
发明人：刘福成;徐悅璐;孔令沂;邓菁;孙国胜;张新河;李锡光 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体清洗技术，尤其涉及一种有效去除晶圆正反面颗粒团聚的清洗方法，包括如下步骤：在距离出水口5cm‑20cm、流速0.1ml/min‑0.8ml/min的纯水出水口下，通过海绵刷分别刷洗晶片正反面1min‑5min；丙酮没过晶片放入超声仪中进行超声清洗1min‑8min；倒出丙酮，加入纯水没过所述晶片后倒出；重复所述步骤“加入纯水没过所述晶片后倒出”3遍；纯水没过所述晶片放入超声仪进行超声清洗1min‑8min；将所述晶片放入甩干机甩干。本发明采用单片式流体冲刷的清洗方法快速有效的去除SiC晶片正反面颗粒团聚，提高了SiC晶片的清洗效率及清洗质量。
一种有效去除正反面颗粒团聚清洗方法

[发明专利]一种降低外延片堆垛层错缺陷的外延方法及其应用-CN202010439296.2有效
发明人：李云廷;冯禹;姚晓杰;孔令沂 -专利权人：东莞市天域半导体科技有限公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低外延片堆垛层错缺陷的外延方法，包括以下步骤：S1、将衬底放置于反应室内的生长位置；S2、向反应室内通入氢气，升温，在氢气氛围下刻蚀10～20min；S3、向反应室内通入乙烯和三氯氢硅气体直到C/Si比值为0.9～1.2，低速生长第一外延缓冲层；S4、向反应室内继续通入乙烯及三氯氢硅气体直到C/Si比值为0.6～0.9，低速生长第二外延缓冲层；S5、停止向反应室内通入乙烯和三氯氢硅，并降温，在氢气氛围下刻蚀4～10min；S6、逐渐增加乙烯和三氯氢硅的流量直到C/Si比值为1.0～1.2，高速生长外延层，形成外延片；S7、降低反应室温度，取出外延片并进行检测、清洗和封装。
一种降低外延堆垛缺陷方法及其应用

[发明专利]一种渐变式PN结材料的制备方法-CN202010501945.7有效
发明人：韩景瑞;杨旭腾;孔令沂;周泽成;邱树杰;冯禹 -专利权人：东莞市天域半导体科技有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种渐变式PN结材料的制备方法，包括如下步骤：设定LPCVD的生长条件外延缓变层；生长条件通过如下方法设置：(1)设定部分生长条件；(2)设定缓变层载流子浓度的最大值a和最小值b以及对应掺杂源的最大流速c和最小流速d；(3)根据缓变层的厚度和生长速率计算得到生长时间e；(4)在通入生长气体和载气气体后，通入最大流速c的掺杂源，然后控制掺杂源的质量逐渐减少，在生长时间e结束时，控制掺杂源的质量为最小流速d。通过外延法在外延层制备缓变结技术较为容易，制备的缓变结的载流子浓度随厚度变化的线性关系较好，形成的缓变结质量较为稳定，缓变结内晶体点缺陷少，缓变结质量稳定。
一种渐变 pn 材料制备方法

[实用新型]一种碳化硅化学气相沉积反应器-CN202122118366.7有效
发明人：梁土钦;孔令沂;李锡光 -专利权人：东莞市天域半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本实用新型公开一种碳化硅化学气相沉积反应器。包括反应器本体，反应器本体具有基板、顶板和至少两块侧板，基板、顶板和两块侧板围成一个反应空间，两块侧板能够根据晶片尺寸的大小调节反应空间的大小。本实用新型采用了能够调节反应空间的反应器本体，只需要通过改变两块侧板的安装位置即可实现反应空间的大小调节，能够根据2～12寸的晶片尺寸设计定位槽；也可以选用不同高度的侧板来进一步调节反应空间的大小。气体分布器能够根据气体分布器可根据晶片尺寸、反应器空间的大小灵活调整进气面积。能够适应不同规格的晶片的兼容性问题和原材料浪费问题，节约设备升级成本，降低碳化硅外延片制造成本。
一种碳化硅化学沉积反应器

[实用新型]抑制SiC外延片背面生长白斑或颗粒物的托盘结构-CN202121597910.4有效
发明人：李云廷;冯禹;姚晓杰;孔令沂 -专利权人：东莞市天域半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型公开一种抑制SiC外延片背面生长白斑或颗粒物的托盘结构，包括承载托盘和衬底放置底片，承载托盘的正面设有凹槽，衬底放置底片能够放入在所述凹槽内。本实用新型包含两个组合件；一个组合是带凹槽的承载托盘，凹槽的侧壁上有台阶结构，表面有SiC涂层；另一个组合是能完全放入承载托盘的凹槽中的薄片(或衬底放置底片)，薄片(或衬底放置底片)表面有TaC涂层。将薄片放置于承载托盘的凹槽内，再将衬底放置在衬底放置底片上，衬底背面紧贴衬底放置底片。本实用新型能在保证不改变原有外延质量的情况下，既能抑制晶片背面白斑或颗粒物的产生，还能通过更换组合件的方式，尽可能延长组合件的使用寿命，达到降低生产成本的目的。
抑制 sic 外延背面生长白斑颗粒托盘结构

[实用新型]一种湿作业成孔灌注桩基-CN202120261232.8有效
发明人：王浩;孔令沂 -专利权人：山东航空港建设工程集团有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： E02D5/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种湿作业成孔灌注桩基，具体涉及成孔灌注桩基技术领域，包括钢管道，所述钢管道内部设有加固机构，所述钢管道底部设有调节固定机构；所述加固机构包括空心管，所述空心管底部设有贯穿套，所述贯穿套贯穿钢管道并延伸至钢管道底部，所述空心管与贯穿套外侧活动套接，所述空心管两侧均固定设有钢筋条。本实用新型通过设置加固机构和调节固定机构，凸形的双重支撑结构大大加强了灌注桩基的受力能力，在灌注桩基强度提高的同时也提高了灌注桩基的稳定性，可套接的空心管上的钢筋条可以进一步提高灌注桩基的承载力，适用于对于承载力要求较高的建筑物。
一种作业灌注桩基

[实用新型]一种碳化硅化学气相沉积设备气体混合装置-CN202121551692.0有效
发明人：梁土钦;孔令沂;邹雄辉;李锡光 -专利权人：东莞市天域半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开一种碳化硅化学气相沉积设备气体混合装置，包括进气混合管路、气体混合腔体和出气混合管路，进气混合管路的一端连接气体混合腔体的进气口，出气混合管路的一端连接气体混合腔体的出气口，进气混合管路的通道内间隔设有多片扰流片。本实用新型能够提高原材料气体混合的均匀性，确保晶片片内沉积层的均匀性；气体混合效率得到有效保证，提升了工艺的稳定性，有效提升SiC外延片产品的良率和质量。
一种碳化硅化学沉积设备气体混合装置

[实用新型]一种钢筋笼一次性吊装定位装置-CN202120244547.1有效
发明人： 孔令沂;庞道胜 -专利权人：山东航空港建设工程集团有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： B66C1/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钢筋笼一次性吊装定位装置，具体涉及建筑工程技术领域，包括加强支撑基环，所述加强支撑基环的底部设置有吊装定位机构，所述吊装定位机构包括限位支撑连接环，所述限位支撑连接环固定设置在加强支撑基环的底部，所述限位支撑连接环的外侧开设有多个连接槽。本实用新型通过设置吊装定位机构，便于工作人员安装装置，节约大量的吊装时间，吊钩会由于受到钢筋笼重量所带来的压力原因，沿着支撑连接块的中心点发生旋转，继而使得对个吊钩能够牢牢的卡在钢筋笼的外侧钢筋上，增加吊运时的稳定性，避免吊运时发生晃动，设计简单，便于工作人员安装的同时，能够有效的确保钢筋笼吊运时的精度，进一步的增加工作效率。
一种钢筋一次性吊装定位装置

[发明专利]一种采用金刚石抛光膏的碳化硅晶片快速抛光方法-CN202010500927.7在审
发明人：卓俊辉;谢绍棕;孔令沂;姚晓杰;李锡光;邹雄辉 -专利权人：东莞市天域半导体科技有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种采用金刚石抛光膏的碳化硅晶片快速抛光方法，包括如下步骤：将SiC晶片装好在放置装置的无蜡吸附垫上；在抛光垫上涂抹粒径为0.2～1.0μm金刚石抛光膏；将所述放置装置放置于抛光设备上，将所述抛光设备的磨抛压力设置为25～255g/cm2、抛光盘转速为30～60rpm，抛光头转速为10～55rpm；往所述抛光盘中加入1～20ml/min的液体对所述SiC晶片执行抛光操作，且每间隔20～60分钟补涂所述金刚石抛光膏；对SiC晶片进行清洗及检测，抛光完毕。本发明可以快速抛光碳化硅晶片表面，该方法还能使生产出的碳化硅晶片拥有低损伤层和低表面粗糙度。
一种采用金刚石抛光碳化硅晶片快速方法

[实用新型]一种化学气相沉积行星托盘装置-CN201921592172.7有效
发明人：梁土钦;孔令沂;孙国胜;邓菁;张新河;李锡光 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种化学气相沉积行星托盘装置，包括一基盘、一传动盘和多个与传动盘啮合的行星盘，传动盘和行星盘间隙设置于基盘的腔体内，腔体底部设有一开口，开口内设有一传动连接组件，传动连接组件一端与传动盘传动连接，传动连接组件另一端与基盘传动连接，基盘或所述传动连接组件由一驱动机构带动旋转，进而带动传动盘转动，传动连接组件底部设有一供辅助气体进入的支撑进气组件，支撑进气组件通过传动连接组件上的多个进气孔与开口连通。通过机械传动带动行星盘自转，保证各个行星盘的转速一致，同时，注入辅助气体使行星盘悬浮，辅助行星盘转动，消除机械振动，提高行星盘转动稳定性。
一种化学沉积行星托盘装置

1
2
3
下一页»
尾页
共 44 条