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[发明专利]一种射频信号放大装置及方法-CN202111530170.7在审
发明人： 姬春晖;韩冬;王天祥;杜明德;张伟伟 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H04B10/293 文献下载
摘要：本申请涉及通信技术领域，公开了一种射频信号放大装置及方法，能够降低射频信号放大的功耗开销、以及支持更大带宽的射频信号放大。该射频信号放大装置包括电光转换单元、光放大单元和光电转换单元，光放大单元分别与电光转换单元和光电转换单元连接；电光转换单元，用于将第一射频信号转换为第一光信号；光放大单元，用于根据第二光信号的所需功率，将第一光信号放大X倍，得到第二光信号，第二光信号的所需功率大于或等于第一功率阈值，X大于或等于1；光电转换单元，用于将第二光信号转换为第二射频信号。采用该射频信号放大装置能够获得功率不小于第一射频信号的第二射频信号。
一种射频信号放大装置方法

[发明专利]供电匹配电路、接收光组件及光电系统-CN202111085773.0在审
发明人：张伟伟;陈沛豪;颜敏;王天祥;李旭;吕毅博;姬春晖 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H04B10/80 文献下载
摘要：本申请涉及供电匹配电路、接收光组件和光电系统。供电匹配电路用于将光电探测器阵列的电流信号转换为电压信号，光电探测器阵列包括第一光电探测器和第二光电探测器。第一光电探测器包括依次排布的第一阴极、第一阳极和第二阴极；第二光电探测器包括依次排布的第三阴极、第二阳极和第四阴极；供电匹配电路包括第一电源电极、第一地电极、第一射频电极和第二射频电极；第一阳极电连接至第一射频电极，第二阳极电连接至第二射频电极，第二阴极、第三阴极均电连接至第一地电极，第四阴极电连接至第一电源电极。本申请通过共用第一地电极和第一电源电极的设计极大的简化了供电匹配电路的电极排布，降低了设计复杂度。
供电匹配电路接收组件光电系统

[发明专利]一种垂直结构的二氧化钒太赫兹调制器及其调控方法-CN201810962611.2有效
发明人：吴志明;姬春晖;张帆;向梓豪;杨仁辉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构的二氧化钒太赫兹调制器，涉及一种基于二氧化钒薄膜的太赫兹调制器垂直结构的设计，其目的在于提供一种电控触发的二氧化钒调制器的制备方法，解决传统二氧化钒调制器开关速度慢、需要外加装置等问题。该垂直结构的太赫兹调制器由介质基底、底层透明导电薄膜、二氧化钒薄膜和顶层电极构成。其中介质基底和底层导电薄膜都对太赫兹波高度透明，同时导电薄膜作为衬底有助于上层二氧化钒薄膜的制备。器件通过对垂直式结构中的底层导电薄膜和顶层电极施加驱动电压，触发中间层的二氧化钒薄膜相变来实现太赫兹波的调制。本发明具有插入损耗低、速度快、功耗低、集成度高、结构简单等优点，有利于二氧化钒薄膜在高速太赫兹调制器件上的应用。
一种垂直结构氧化赫兹调制器及其调控方法

[发明专利]一种适用于汉语言文学专业教学的辅助装置-CN202110095207.1有效
发明人：闫孝银;王小爱;姬春晖;赵霞;李清 -专利权人：焦作大学
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G09B5/06 文献下载
摘要：本发明涉及教学辅助装置技术领域，公开了一种适用于汉语言文学专业教学的辅助装置，包括：底座、外筒体、内筒体、水平转动机构、光源发射端、微处理器和电源模块，外筒体连接于底座的上端，沿其周向均匀分布有多个放置孔，每个放置孔内均固定有镜头，内筒体设于外筒体内，沿其周向有多个安装孔，安装孔与放置孔位置一一对应，安装孔内安装有幻灯片，每张幻灯片上绘制有一个历史人物画像，水平转动机构设于内筒体内，光源发射端固定于水平转动机构上，微处理器与水平转动机构信号连接，电源模块分别与水平转动机构、光源发射端和微处理器电连接，本发明装置能够将汉语言文学专业教学过程中的历史人物画像按照时间顺序逐一投射在教室内的墙壁上。
一种适用于汉语言文学专业教学辅助装置

[发明专利]一种通信装置、通信系统和非线性补偿方法-CN202011383136.7在审
发明人：吕毅博;王天祥;李旭;张伟伟;姬春晖 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H04B10/2575 文献下载
摘要：本申请公开了一种通信装置、通信系统和非线性补偿方法，用以降低通信系统的硬件复杂度以及功耗，同时保证通信系统具有较为良好的线性化效果。其中的第一通信装置包括生成模块，以及与生成模块连接的接口模块，生成模块用于根据多个波长生成合成光相关码，接口模块用于传输合成光相关码。该合成光相关码用于指示与第一通信装置连接的第二通信装置传输数据信号或反馈信号。合成光相关码可用于控制访问第二通信装置，由于合成光相关码是根据多个波长生成的，不是数字光信号，自然不需要基于数字光通信协议来传输，也就不需要设置为了处理数字光信号的ADC、DAC、数字处理模块等器件，可降低第一通信装置的硬件复杂度和功耗。
一种通信装置系统非线性补偿方法

[发明专利]一种多功能汉语言教学互动展示板-CN202110095066.3在审
发明人：孙卫峰;苗涛;王刘杨;张志成;姬春晖 -专利权人：焦作大学
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G09B5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多功能汉语言教学互动展示板，包括壳体、汉语言教学展示系统，汉语言教学展示系统包括数据接收模块、展示控制中心、数据读取模块、数据储存模块、电机控制模块、音量调节模块、语音朗读模块、汉语言展示模块、视频播放模块，本发明中，启动电机，螺纹杆使得升降板上升，挤压块将会使得清理轮向右侧移动，挤压杆将会向右侧移动，从而使得开合板打开，在弹簧的弹力作用下，将会使得清理轮始终紧密贴合展示板的表面，便于对展示板的表面进行清理，保证设备的清洁度，同时在展示板收回到壳体内部时，挤压杆将会在弹簧的弹力作用下回复，进而将开合板及时关闭，避免灰尘落入壳体内部，无需人工关闭，方便教学使用。
一种多功能汉语言教学互动展示

[发明专利]基于场效应晶体管的量子点近红外探测器及其制备方法-CN201811573358.8有效
发明人：吴志明;石沅林;向梓豪;姬春晖;王军;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于场效应晶体管的量子点近红外探测器及其制备方法，属于光电探测领域；该探测器利用结型场效应晶体管的原理进行探测，结构从下至上包括：硅衬底层、硅沟道层、离子注入区、绝缘介质层、金属电极层、量子点层，金属电极层包括由金属源电极和金属源漏电极构成的金属源漏电极阵列，每两个源漏电极之间有一层量子点层，金属源漏电极与量子点由绝缘介质层隔开。本发明通过设计叉指电极，从而使得该结构的单元探测器易于阵列化集成，并且同时根据量子点材料的选取不同在可见光到近红外波段具有高响应度和低响应时间。
基于场效应晶体管量子红外探测器及其制备方法

[发明专利]一种采用低价钒种子层优化氧化钒薄膜性能的方法-CN201810601870.2有效
发明人：吴志明;张帆;姬春晖;向梓豪;杨仁辉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用低价钒种子层优化氧化钒薄膜性能的方法，涉及电子材料领域，所述方法采用磁控溅射技术，以金属钒为靶材，以Al2O3为基底，在有氧环境下分两次溅射，第一次溅射氧浓度低于第二次溅射，两次溅射分别前后得到低价钒种子层和氧化钒薄膜，最后通过退火即得到采用低价钒种子层优化的氧化钒薄膜。本发明所制备的具有低价钒种子层的氧化钒薄膜具有大的相变幅度，小的回线宽度，更接近室温的相变温度，进而提高热致开关调制类器件的灵敏度、稳定性、可靠性以及应用前景；另外，利用本发明制备相变氧化钒薄膜所需的退火温度可以显著降低，与MEMS工艺兼容性更好，可以适用于大批量生产。
一种采用低价种子优化氧化薄膜性能方法

[发明专利]一种微透镜掩模版及其制备方法-CN201910590015.0有效
发明人：王军;崔官豪;刘贤超;姬春晖;苟君 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种微透镜掩模版及其制备方法，属于纳米光子器件技术领域，方法包括：在衬底上组装单层聚苯乙烯微球，形成第一样片；在第一样片上涂布第一胶体，刻蚀第一胶体以露出部分聚苯乙烯微球，形成第二样片；去除第二样片上的聚苯乙烯微球，得到球形空腔模具；在球形空腔模具填充第二光刻胶，并定型、曝光以固化第二光刻胶；分离第二光刻胶和球形空腔模具，得到可重复使用的微透镜掩模版。本发明制备的微透镜掩模版可在大面积辅助光刻微纳图案中重复使用，成本低周期短效率高。
一种透镜模版及其制备方法

[发明专利]一种溶液静置法制备定向排布单壁碳纳米管的方法-CN201610604496.2有效
发明人：王军;周泓希;黄泽华;孙斌玮;吴雪飞;姬春晖;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： C01B32/159 文献下载
摘要：本发明公开了一种溶液静置法制备定向排布单壁碳纳米管的方法，通过将表面带有平行电极的衬底倾斜静置在单壁碳纳米管、去离子水、表面活性剂、有机聚合物混合制得的胶状液体中，由于平行电极对碳纳米管的尺寸效应使碳纳米管能够在平行电极间定向排布。本方法相比传统的化学气相沉积法制备垂直排列的定向碳纳米管，操作简单，制备了水平定向排布的碳纳米管，可以应用于在场效应管、场发射器和化学传感器中。
一种溶液法制定向排布单臂碳纳米方法

[发明专利]一种在掺杂膜层上制备黑硅的方法-CN201610169139.8有效
发明人：吴志明;李睿;杜玲艳;唐菲;胡征;李世彬;李伟;吴雪飞;姬春晖 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光电子材料领域，应用于掺杂黑硅的制备。具体地说是在制备掺杂膜层之后，利用飞秒激光辐照的方法制备掺杂黑硅微结构。本发明通过靶材贴合的方式，用磁控溅射的方法在清洁的硅衬底表面沉积一层掺杂硅膜膜层，接着利用飞秒激光辐照制备表面微结构，在气氛环境下热退火后制备得到对400nm～2400nm波段的光都有一致的高吸收特性的掺杂黑硅材料在400～1100nm的可见光波段有95％的吸收率，在1100～2400nm的近红外波段有90％的吸收率，为拓展黑硅材料的应用打下了技术基础。相对现有技术，固体膜层掺杂的方式丰富了掺杂元素种类，提高了掺杂浓度，降低了掺杂成本；减少了工艺步骤，提高了制备效率。
一种掺杂膜层上制备方法

[发明专利]一种制备黑硅材料的方法-CN201610169188.1在审
发明人：吴志明;唐菲;杜玲艳;李睿;胡征;李世彬;李伟;吴雪飞;姬春晖 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明属于黑硅材料制备领域，具体涉及一种采用热蒸发和磁控溅射的方式制备硒硅复合膜，并利用飞秒激光刻蚀制备黑硅的方法。本发明通过在现有工艺中硒膜上溅射的一层硅膜作为保护层，减少了飞秒刻蚀过程中硫族元素的挥发，提高了掺杂含量，且可以阻止激光脉冲照射引入的杂质Se向晶粒边界扩散，从而保持其在表面的掺杂浓度，以提高黑硅的吸收率。使用该方法制备的黑硅在400～1100nm波段的吸收率高于95％，在1100～2200nm波段的吸收率高于90％。相比于未覆盖硅保护层，仅热蒸发一层硒膜制备的黑硅材料，本方法制备的黑硅在近红外波段的吸收率有明显提高。
一种制备材料方法

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