专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]可编程装置的软差错定位和敏感度检测-CN200710101398.8有效
  • D·刘易斯;N·D·尼格;A·L·李;J·黄 - 奥特拉股份有限公司
  • 2007-04-23 - 2007-10-31 - G06F11/10
  • 检测所储存的配置数据中发生的软差错是否为可被忽略的假肯定以使不必执行重新加载配置数据或其他补救措施的电路、方法和装置。一个示例提供了包括检错电路和敏感度处理器的集成电路。检错电路检测差错的存在。敏感度处理器判断检测到的差错是否可被忽略,或者是否应发起诸如提供差错标志、重新配置装置或纠正差错等补救动作。敏感度处理器可基于差错是否在配置未使用电路的存储单元中发生来作出这一判断。敏感度处理器可利用差错日志来跟踪可被忽略的已知差错,使得该判断无需在每次检查配置数据时进行。
  • 可编程装置差错定位敏感度检测
  • [发明专利]动态RAM存储方法-CN200510052753.8无效
  • J·特纳 - 奥特拉股份有限公司
  • 2005-03-10 - 2005-09-14 - G11C11/409
  • 本发明提供动态RAM (DRAM)单元。可以从DRAM单元中读取数据而存储在单元中的电荷不漏出。在读取循环中,电流在读位线和供电电压之间通过,且电荷不直接从DRAM存储节点中漏出。每个DRAM单元都包括少量的晶体管。DRAM单元可以用于将配置数据存储在可编程集成电路(IC)上。在可编程IC上使用选通栅极在芯片上驱动信号。以全供电电压将存储在DRAM单元中的数据直接提供给选通栅极来防止信号劣化。
  • 动态ram存储方法

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