“夫厚尔·杰恩”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]温度敏感偏置电路-CN201911308278.4有效
发明人：安东尼·K·史塔佩尔;夫厚尔·杰恩 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03F3/04 文献下载
摘要：本发明涉及温度敏感偏置电路，其中，一种示例装置包括：除其它以外，主动装置，包括第一端子；第一偏置电阻器，与该第一端子连接；以及第一电阻器，包括第一相变材料，与该第一偏置电阻器并联连接，其中，该第一相变材料针对小于第一相变温度的温度呈现第一低导电相并针对大于该第一相变温度的温度呈现第一高导电相。
温度敏感偏置电路

[发明专利]具有包覆式基极层的双极结型晶体管-CN202210040374.0在审
发明人： 夫厚尔·杰恩;J·R·霍尔特;塔耶尔·内谢瓦特;J·J·派卡里克;克里斯多佛·杜尔詹 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本申请涉及具有包覆式基极层的双极结型晶体管，揭示了双极结型晶体管的装置结构及制造方法。该装置结构包括衬底以及位于该衬底中的沟槽隔离区。该沟槽隔离区围绕该衬底的主动区。该装置结构还包括位于该衬底的该主动区中的集电极，具有设置于该主动区上的第一区段以及相对于该第一区段以一角度取向的第二区段的基极层，设置于该基极层的该第一区段上的发射极，以及设置于该沟槽隔离区上方并邻近该发射极的非本征基极层。该基极层的该第二区段侧向设置于该非本征基极层与该发射极间。
具有包覆式基极双极结型晶体管

[发明专利]具有底切非本征基极区的异质结双极晶体管-CN202111195950.0在审
发明人：萨拉·麦克塔格特;刘岂之;夫厚尔·杰恩;M·莱维;保拉·费希尔;詹姆斯·R·埃利奥 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有底切非本征基极区的异质结双极晶体管，揭示了异质结双极晶体管的器件结构和制造方法。沟槽隔离区位于半导体衬底中以定义有源区。基极层包括分别位于有源区上方的第一区段和分别位于沟槽隔离区上方的第二区段。发射极指状物分别位于基极层的第一区段上。基极层的第一区段包括单晶半导体材料，且基极层的第二区段包括多晶半导体材料。基极层的第二区段在垂直方向与沟槽隔离区隔开以定义在基极层的周边周围延伸的第一空腔和连接到第一空腔的第二空腔。
有底基极异质结双极晶体管

[发明专利]在相同晶圆上的异质接面双极晶体管装置的整合方案-CN201711172672.0有效
发明人：瑞纳塔·A·卡米罗-卡斯罗;夫厚尔·杰恩;刘岂之;安东尼·K·史塔佩尔 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明涉及在相同晶圆上的异质接面双极晶体管装置的整合方案，大体上关于半导体结构，并且尤指相同晶圆上的异质接面双极晶体管装置的整合方案及其制造方法。该结构包括：在晶圆上包含基极、集电极与发射极的功率放大器(PA)装置；以及在该晶圆上包含基极、集电极与发射极的低噪声放大器(LNA)装置，该发射极与该基极具有相同结晶结构。
相同晶圆上异质接面双极晶体管装置整合方案

[发明专利]高电阻率半导体层中的富陷阱层-CN202110149108.7在审
发明人：安东尼·K·史塔佩尔;夫厚尔·杰恩;J·J·派卡里克;史蒂芬·M·宣克;约翰·J·艾利斯-蒙纳翰 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及高电阻率半导体层中的富陷阱层，揭示包括电性隔离的结构以及形成包括电性隔离的结构的方法。在半导体衬底上方形成半导体层，并在该半导体层中形成浅沟槽隔离区。该半导体层包括具有大于或等于1000欧姆‑厘米的电阻率的单晶半导体材料。该浅沟槽隔离区经设置以围绕该半导体层的一部分，从而定义主动装置区。多晶层位于该半导体层中，并横向延伸于该主动装置区及围绕该主动装置区的该浅沟槽隔离区下方。
电阻率半导体中的陷阱

[发明专利]用于改善迁移率的具有应力材料的异质接面双极晶体管-CN201711291721.2有效
发明人：安东尼·K·史塔佩尔;夫厚尔·杰恩;瑞纳塔·A·卡米罗-卡斯罗 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明涉及用于改善迁移率的具有应力材料的异质接面双极晶体管，根据本文中的半导体装置，该装置包括衬底。主动装置形成在该衬底中。该主动装置包括集极区、形成于该集极区上的基极区、及形成于该基极区上的射极区。隔离结构围绕该主动装置而形成在该衬底中。以压缩材料填充的沟槽形成于该衬底中，并且侧向地安置成相邻于该射极区与基极区。该沟槽至少部分地延伸入该基极区内。
用于改善迁移率具有应力材料异质接面双极晶体管

[发明专利]用于双极晶体管的集成电路结构的制造-CN201710474531.8有效
发明人： 夫厚尔·杰恩;刘岂之 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/8222 文献下载
摘要：本发明涉及用于双极晶体管的集成电路结构的制造，依据本发明的方法可包括：提供衬底，该衬底包括：第一半导体区域、第二半导体区域，以及横向位于该第一半导体区域与第二半导体区域之间的沟槽隔离(TI)；在该衬底的该沟槽隔离及该第二半导体区域上形成晶种层，使该衬底的该第一半导体区域暴露；在该衬底及该晶种层上形成外延层，其中，该外延层包括：位于该衬底的该第一半导体区域上方的第一半导体基极材料，以及位于该晶种层上方的外部基极区；在该外部基极材料及该晶种层内形成开口以暴露该第二半导体区域的上表面；以及在该开口中形成第二半导体基极材料。
用于双极晶体管集成电路结构制造

[发明专利]双极结型晶体管的紧凑器件结构-CN201710187559.3有效
发明人： 夫厚尔·杰恩;瑞纳塔·卡米罗-卡斯罗;刘岂之;J·J·派卡里克;亚文·Ｊ·乔瑟夫;P·B·格雷 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一双极结型晶体管的紧凑器件结构及使用一衬底制造一器件结构的方法。一个或多个主沟槽隔离区域围绕该衬底的一有源器件区域以及该衬底的一集电极接触区域的周围而形成。一基极层形成于该有源器件区域以及该集电极接触区域上，且该有源器件区域包括一集电极。各主沟槽隔离区域垂直延伸至该衬底内的一第一深度。一沟槽横向位于该基极层与该集电极接触区域之间而形成，并垂直延伸通过该基极层并延伸至该衬底内小于该第一深度的一第二深度。一介电质形成于该沟槽内以形成一次沟槽隔离区域。一发射极形成于该基极层上。
双极结型晶体管紧凑器件结构

[发明专利]具有不同基极外形的异质接面双极晶体管的整合-CN201611137241.6在审
发明人： 夫厚尔·杰恩;刘岂之 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明涉及具有不同基极外形的异质接面双极晶体管的整合，其包括用于异质接面双极晶体管的装置结构及制造方法。在基底的第一装置区上形成第一基极层。形成与该第一基极层界定第一接面之第一射极。在基底的第二装置区上形成第二基极层。形成与该第二基极层界定第二接面之第二射极。该第一基极层与该第二基极层有不同的厚度、组成、电活性掺质的浓度、或以上的组合。
具有不同基极外形异质接面双极晶体管整合

1
共 9 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top