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- [发明专利]功率半导体模块-CN201880050808.7有效
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川村大地;增田彻;楠川顺平
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株式会社日立功率半导体
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2018-07-19
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2023-09-05
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H01L23/28
- 本发明提供一种功率半导体模块，即使在为了实现功率半导体模块的大容量化且保证高绝缘可靠性而扩大绝缘基板上的表面电极的面积，使沿面距离缩小的情况下，也能够防止因沿面放电引起的短路击穿。功率半导体模块(100)的特征在于，具有：绝缘基板(2)，其在表背面上设有第一电极(7‑1)和第二电极(7‑2)；功率半导体芯片(1)，其与第一电极(7‑1)接合；金属基座(3)，其与第二电极(7‑2)接合；绝缘壳体(5)；以及硅凝胶(6)，其配置于由金属基座(3)和绝缘壳体(5)形成的空间内且密封绝缘基板(2)和功率半导体芯片(1)，绝缘基板(2)的互相对置的侧面彼此或与绝缘基板(2)对置的绝缘壳体(5)的侧面和绝缘基板(2)的侧面通过硬质树脂(8)接合，硬质树脂(8)覆盖缘基板(2)从第一电极(7‑1)露出的部分的一部分及绝缘基板(2)的侧面的一部分。
- 功率半导体模块
- [发明专利]功率半导体模块以及电力变换装置-CN202180057429.2在审
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增田彻;早川诚一;高柳雄治
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株式会社日立功率半导体
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2021-04-19
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2023-05-12
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H01L25/07
- 提供一种功率半导体模块，是将配置于同一基板上的多个功率半导体芯片进行多并联连接而构成的功率半导体模块，能够在减少基板上的芯片配置面积的同时减少模块内的布线电感。特征在于具备：第1绝缘基板；多个半导体开关元件，配置于所述第1绝缘基板上；第2绝缘基板，夹着所述多个半导体开关元件而与所述第1绝缘基板对置地配置；多个第1间隔件导体以及多个第2间隔件导体，配置于所述多个半导体开关元件与所述第2绝缘基板之间，成为所述多个半导体开关元件与所述第2绝缘基板之间的间隔件；以及间隔件导体间布线部，与所述多个第2间隔件导体一体地形成，将所述多个第2间隔件导体的各第2间隔件导体进行电连接，所述多个半导体开关元件各自具有第1电极以及设置于与所述第1电极相反的一侧的第2电极及控制电极，所述第1电极与设置于所述第1绝缘基板上的第1导体层电连接，所述第2电极经由所述第1间隔件导体而与设置于所述第2绝缘基板上的第2导体层电连接，所述控制电极通过所述第2间隔件导体以及所述间隔件导体间布线部而相互电连接，所述间隔件导体间布线部与所述第2导体层以具有预定的距离的方式对置地配置。
- 功率半导体模块以及电力变换装置
- [发明专利]功率半导体模块-CN201811253311.3有效
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川村大地;增田彻;楠川顺平;樱井直树
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株式会社日立功率半导体
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2018-10-25
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2022-09-16
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H01L23/31
- 提供功率半导体模块，在绝缘基板下产生空隙时抑制电晕放电、提高绝缘性。以硬钎焊料(8‑2)的端部(8‑2e)与绝缘基板(2)侧面的下方延长线之间距离为a，以助焊剂(11)的软钎焊料(9‑2)侧的端部(11e)与绝缘基板(2)侧面的下方延长线之间距离为b，则a小于b。软钎焊料(9‑2)的端部位置被助焊剂(11)限制，硬钎焊料(8‑2)的绝缘基板(2)的侧面一侧端部(8‑2e)的位置，相比于软钎焊料(9‑2)的绝缘基板(2)侧面一侧的端部位置，更接近绝缘基板(2)侧面一侧。即使硬钎焊料(8‑2)与软钎焊料(9‑2)之间产生空隙，因硬钎焊料(8‑2)及软钎焊料(9‑2)同为接地电势而抑制电晕放电。
- 功率半导体模块
- [发明专利]功率半导体模块-CN202080050953.2在审
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增田彻;早川诚一;高柳雄治
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株式会社日立功率半导体
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2020-04-06
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2022-03-04
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H01L25/07
- 本发明提供一种功率半导体模块，其在绝缘基板上并列配置有多个半导体芯片，能够实现半导体芯片的高密度安装，且半导体芯片间的动作特性差少、可靠性高。功率半导体模块具备：绝缘基板；第一导电图案，其配置在所述绝缘基板上；多个功率半导体芯片，其配置在所述第一导电图案上；架桥形状的第一布线，其将多个所述功率半导体芯片各自的栅极电极彼此直接连接；以及架桥形状的第二布线，其将多个所述功率半导体芯片各自的源极电极彼此直接连接，将所述第一布线沿着所述第二布线配置成与所述第二布线所成的角度在30度以内。
- 功率半导体模块
- [发明专利]半导体装置和使用其的电力转换装置-CN201980074828.2在审
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须藤建琉;渡边直树;增田彻;三木浩史
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株式会社日立功率半导体
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2019-10-21
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2021-06-25
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H01L29/78
- 提供高性能且高可靠性的功率半导体装置。半导体装置具有：形成于SiC基板(107)的第一主面且具有比SiC基板的杂质浓度低的杂质浓度的第一导电型的外延层(101)，形成于外延层的第二导电型的第一主体层和第二主体层(102)，形成于第一主体层的第一导电型的源极区域(103)，与作为被第一主体层和第二主体层夹着的外延层的JFET区域(104)和第一主体层相接且具有比外延层的杂质浓度高的杂质浓度的第一导电型的第一区域(105)，形成于JFET区域的第二导电型的第二区域(130)，在源极区域、第一主体层和第一区域中延伸而形成的沟槽(106)，形成于沟槽的内壁的绝缘膜(110)和形成于沟槽的绝缘膜上的栅极电极(111)。
- 半导体装置使用电力转换
- [发明专利]电力变换装置-CN201410290817.7有效
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增田彻;畑中步;森和久;石川胜美
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株式会社日立制作所
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2014-06-25
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2017-06-27
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H02M7/48
- 本发明提供电力变换装置。在具有半导体开关元件的电力变换装置中，迅速地实现谐振振动的收敛，降低成为其辐射噪声的谐波的功率电平。电力变换装置构成为与直流电源并联地连接平滑电容器电路、基于开关元件的第1串联电路、以及基于缓冲电路的第2串联电路，并且对第1串联电路的开关元件的连接点与第2串联电路的缓冲电路的连接点之间进行连接，该电力变换装置中，与直流电源并联地连接补偿阻抗电路，该补偿阻抗电路是与由第1电容器和电抗组成的并联电路串联地连接第2电容器而构成的。
- 电力变换装置
- [发明专利]频率合成器-CN200710108939.X有效
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增田彻
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瑞萨电子株式会社
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2007-06-07
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2012-05-09
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H03L7/16
- 本发明提供一种频率合成器，包括基准信号发生器(1)，输出单一频率的信号；频率倍增器(2)，基于输入信号的频率生成一个以上不同频率的中间信号而作为输出信号输出；频率选择器(3)；混频器(4)；以及频率合成器控制电路(5)，具有频率合成器控制端子，其中，将基准信号发生器(1)的输出作为频率倍增器(2)的输入，将频率倍增器(2)的1个以上的输出作为频率选择器(3)的1个以上的输入，将频率选择器(3)的输出和频率倍增器(2)的输出中的1个输出作为混频器(4)的第一和第二输入，将混频器(4)的输出作为频率合成器的输出。本发明在用于生成在超宽频带内使用的本振信号的结构中同时实现低相位噪声和低功耗。
- 频率合成器
- [发明专利]内置可变增益放大器的半导体集成电路-CN200810166541.6有效
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白水信弘;增田彻
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株式会社瑞萨科技
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2008-10-17
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2009-04-22
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H03F1/34
- 一种内置有可变增益放大器的半导体集成电路，该可变增益放大器具有偏置电路(BC)(1)、匹配电路(MC)(2)、可变增益电阻反馈放大器(FA)(3)、输出跟随器(EA)(4)。负载电阻(Rc)和反馈电阻(Rf)的电阻值协调性地改变。由于使低噪声放大器为高增益，因而处于负载电阻的高电阻时反馈电阻也为高电阻，可变增益电阻反馈放大器(3)的闭环的反馈时间常数τfb(c1)≒2π·RfCbe/(1+gmRc)大致恒定，在宽带下具有频率依赖性较小的增益。由于使低噪声放大器为低增益，因而处于负载电阻的低电阻时反馈电阻也为低电阻。负反馈量随着低电阻的反馈电阻而增大，成为低增益。负载电阻也为低增益，反馈时间常数τfb(c1)大致恒定，在高频区域下不会进一步降低增益。
- 内置可变增益放大器半导体集成电路
- [发明专利]半导体集成电路-CN200810108850.8无效
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增田彻;森博志
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株式会社瑞萨科技
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2008-05-29
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2009-02-04
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H03H11/50
- 本发明提供一种芯片占用面积小、低功耗的宽频带RF信号处理电路。半导体集成电路在半导体芯片上具备谐振电路，该谐振电路包括：第一电容器(1)，具有可由第一控制端子(101)的第一控制信号(Vc1)控制的电容(CR)；以及回转器(2、5)，包含具有可由第二控制端子(102)的第二控制信号(Vc2)控制的电容(CL)的第二电容器(3)，并等效地模拟电感器(L)。电容(CR)和电感器(L)构成并联谐振电路。当变更并联谐振频率时，协调地变更第一电容器(1)和第二电容器(3)的电容。并联谐振电路适用于连接在放大元件(Q1)的输出电极上的有源负载。
- 半导体集成电路
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