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[发明专利]用于捕捉或发射物理量的电子器件及制造方法-CN202180057350.X在审
发明人：弗雷德里克·马耶尔;弗雷德里克·梅西埃;埃尔文·多内尔;伊万-克里斯多夫·罗宾 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：公开一种用于捕捉或发射物理量的电子器件(10)，包括下支撑件(11)；下导电元件(12)；包括有源部分的有源元件(13)，并且每个有源元件(13)包括电连接到至少一个下导电元件(12)的下部(13a)和上部(13b)；上导电元件(14)；其中，每个有源元件(13)的上部(13b)电连接到上导电元件(14)之一；其中，至少一个第一电绝缘元件(16)被布置在并排设置在下支撑件(11)的支撑表面上的至少两个相邻的有源元件(13)的侧壁(13c)之间；其中，第一电绝缘元件(16)被布置在上导电元件(14)之一和下导电元件(12)之一之间。
用于捕捉发射物理量电子器件制造方法

[发明专利]包括发光二极管的光电设备-CN201980043610.0在审
发明人：伊万-克里斯多夫·罗宾;埃尔文·多内尔;弗雷德里克·梅西埃 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电设备(10)，其包括：基板(12)；至少第一导电层(18)，其覆盖基板；显示像素(Pix)，其包括第一和第二相对面(20、22)，该第一和第二相对面(20、22)附接到第一导电层，每个像素包括电子电路(30)和至少一个光电电路(40)，该电子电路(30)包括第一面和与第一面相对的第三面(32)，第一面固定到第一导电层，并且该至少一个光电电路(40)固定到第三面并且包括至少两个发光二极管(LED)，每个发光二极管的电极中的至少一个通过第三面连接到电子电路。光电电路还包括覆盖发光二极管的光致发光块(44)、和围绕光致发光块的导体或半导体壁(46)；以及至少一个第二导电层(26)，其电连接到像素中的至少一个。
包括发光二极管光电设备

[发明专利]在基板背面上具有电子组件的光电设备及制造方法-CN201980022332.0在审
发明人：伊万-克里斯多夫·罗宾;马蒂厄·法博尼耶;泽维尔·于贡;埃尔文·多内尔 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：光电设备(10)包括基板(11)和多个发光二极管(DELi)的配件(Di)，其中每个配件(Di)包括：多个发光二极管(DELi)；第一下电极；第二上电极；电子电路(16i)的电子组件，其在不承载发光二极管的基板(11)的面(13)的侧面上形成于基板(11)的第一部分(14i、14'i)中；以及第一导电装置，其穿过第一部分(14i、14'i)而形成并且将电子组件的第一端子电连接到第一电极和第二电极之一。给定配件(Di)的第一导电装置与其他配件(Di)的第一导电装置电绝缘。
基板背面上具有电子组件光电设备制造方法

[发明专利]包括具有改进的对比度和亮度的像素的光电器件-CN201780053399.1在审
发明人：蒂费纳·杜邦;希尔维亚·斯卡林盖拉;埃尔文·多内尔;菲力浦·吉贝尔;菲力浦·吉莱;泽维尔·于贡;法比耶娜·古托迪耶 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电器件(10)，包括具有相对的表面第一和第二表面的衬底(12)和延伸进衬底中并界定第一电绝缘半导体的或导电部分(20)的横向电绝缘元件(18)。对于每个第一部分，光电器件包括电连接到第一部分的电致发光二极管的组件(D)。光电器件包括覆盖所有电致发光二极管的电极层(36)、覆盖电极层的保护层(40)以及延伸进保护层中并界定围绕或面对电致发光二极管的组件(D)的第二部分的壁(42)。所述壁包含包括在包括空气、金属、半导体材料、金属合金、部分透明材料的组中的至少一种材料，以及由覆盖有不透明或反射层的至少部分透明的材料制成的芯。
光电器件电致发光二极管部分透明保护层衬底界定半导体材料电绝缘元件覆盖电极层第二表面金属合金不透明电极层电绝缘电连接反射层所述壁延伸导电像素覆盖半导体金属改进

[发明专利]具有发光二极管的光电子器件-CN201480053827.7有效
发明人：克里斯多夫·布维尔;埃尔文·多内尔;泽维尔·于翁;卡洛·卡利 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电子器件(5)，包括：半导体衬底(10)，其可选地掺杂有第一导电类型；第一半导体区(14)，其电连接到掺杂有第一导电类型或相反的第二导电类型的衬底，并且比所述衬底掺杂更重；在所述第一半导体区上存在的第一发光二极管(DEL)的第一集合(A)，所述第一发光二极管包括线形、圆锥形或尖椎形的半导体元件；以及与所述第一半导体区相接触的导电部分(36)。
具有发光二极管光电子器件

[发明专利]包括发光二极管的光电器件及其制造方法-CN201480059521.2有效
发明人：克里斯多夫·布维尔;埃尔文·多内尔 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及光电器件(5)，包括：支撑件(10)，其具有第一表面(12)；第一发光二极管(DEL)的第一组件(A)，其包括每个位于第一接触柱(14)的第二表面(15)上的第一线形、圆锥形或截头圆锥形的半导体元件(20)，每个第一接触柱此外还包括与所述第二表面相对的第三表面(17)；以及第一导电层(18；56)，其连接第一接触柱并且至少在每个第一接触柱的所述第二表面或所述第三表面的一部分上延伸，所述第一导电层和/或所述第一接触柱位于所述支撑物上。
包括发光二极管光电器件

[发明专利]包括发光二极管的光电子装置-CN201480062876.7有效
发明人：克里斯多夫·布维尔;埃尔文·多内尔 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电子装置(5)，其包括包括第一和第二对置面(12、14)的半导体基板(10)；第一发光二极管(DEL1)的第一集合(D1)，其置于所述基板的第一部分(541)并且包括圆锥或截头圆锥丝形的半导体元件(201)；覆盖每个第一发光二极管(DEL1)的第一电极(301)；第一导电部分(421)，其与所述基板绝缘，并且延伸穿过所述基板并连接至所述第一电极；第二发光二极管(DEL2)的第二集合(D2)，其置于所述基板的第二部分(542)并且包括圆锥或截头圆锥丝形的半导体元件(202)；覆盖每个第二发光二极管(DEL2)的第二电极(302)；第二导电部分(422)，其与所述基板绝缘并且连接至所述第二电极；以及第一导电元件(461、51、482)，其在所述第二面的一侧将所述第一导电部分连接至所述基板的第二部分。
包括发光二极管光电子装置