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[发明专利]微扬声器、微扬声器的制作方法以及电子设备-CN202310245810.2在审
发明人：卢亮宇;刘文娟;胡博豪;杨超翔;王健;孙博文;国世上;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H04R9/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种微扬声器、微扬声器的制作方法以及电子设备。该微扬声器包括：第一振膜；至少两个第一支撑结构，分别位于第一振膜的一个表面上；压电结构层，包括至少两个压电结构，一个压电结构围设在其他的压电结构的外周且分别位于至少三个第一支撑结构中的两侧的两个第一支撑结构的表面上，其他的压电结构位于两侧的两个第一支撑结构之间的第一支撑结构的表面上；至少两个第二支撑结构，分别位于压电结构层的远离第一支撑结构的表面上；第二振膜，位于第二支撑层的远离压电结构层的表面上。上述微扬声器可以增大振膜面外位移，增大声压级，进而提高微扬声器灵敏度。
扬声器制作方法以及电子设备

[发明专利]微扬声器的制备方法以及微扬声器-CN202310259846.6在审
发明人：卢亮宇;刘文娟;胡博豪;杨超翔;王健;孙博文;国世上;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H04R31/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种微扬声器的制备方法以及微扬声器。该方法包括：首先，提供第一衬底，第一衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；之后，于第一表面上形成第一压电结构；对第一压电结构进行刻蚀，形成第一驱动结构；之后，于第二表面上形成图案化的掩膜版；之后，以图案化的掩膜版为掩膜，对第一衬底的第二表面进行背腔刻蚀，形成至少两个空气腔体及至少一个振动连杆；最后，在第一衬底的第二表面上形成密封膜层。该方法使得第一驱动结构接收驱动信号发生形变，通过振动连杆驱动密封膜层振动，从而推动空气而发声，从而减小了未密封第一驱动结构的缝隙带来的声学损耗，进而解决了现有技术中微扬声器的声学损耗较大导致性能较低的问题。
扬声器制备方法以及

[发明专利]一种类器官的培养装置及方法-CN202310380773.6在审
发明人： 国世上;毛怡茜;龚芝伊 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C12M3/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种类器官的培养装置及方法，培养装置包括：叉指电极、培养腔室及压电基底。叉指电极和培养腔室设置在压电基底上，培养腔室内部具有多个沟道，多个叉指电极分为多组，每组以培养腔室的中心轴成对称轴分布；沟道的中心位于叉指电极产生的声波信号波节点的位置上；使用时，叉指电极激发的声表面波在培养腔室区域干涉叠加，形成声驻波场，声场的波节点处形成声势阱，声势阱位于每个沟道的中心。由于细胞在声势阱处受力最小，每个沟道内的细胞在声辐射力的作用会在此处快速团聚；聚集的细胞在声辐射力、流体曳力和阻力的共同作用下悬浮在沟道中央，更容易成球，得到大小均一的单颗类器官，便于后续的研究。
种类器官培养装置方法

[发明专利]一种声学谐振器、滤波器和多工器-CN202310171963.7在审
发明人：谷曦宇;刘炎;孙成亮;国世上;孙博文;丁志鹏 -专利权人：苏州敏声新技术有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H03H9/15 文献下载
摘要：本申请提供一种声学谐振器、滤波器和多工器，涉及声学器件领域，包括衬底及设置在衬底上的谐振结构；谐振结构包括层叠设置的电极结构和复合压电层；复合压电层包括至少两层子压电层，至少一层子压电层中掺杂钪元素(作为掺钪压电层)，可以通过控制掺钪压电层的厚度处于较为适宜的厚度区间，避免掺钪压电层的厚度过厚，从而降低膜内温度随薄膜厚度的变化所产生的差别，减少不同取向晶粒的生长，使得最终制备得到的掺钪压电层的晶粒取向较为一致，有效提高复合压电层的质量，以便于使得具有该复合压电层的声学谐振器能够具有较好的品质因数，由其所搭建的滤波器不仅能够实现带宽的调节，而且还能够具有较低的滤波器的带内插损。
一种声学谐振器滤波器多工器

[发明专利]体声波谐振器和滤波器-CN202111105960.0有效
发明人：孙成亮;谷曦宇;国世上;高超;邹杨;徐沁文 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种体声波谐振器和滤波器，涉及谐振器技术领域。该体声波谐振器包括具有空腔的衬底和依次设置于衬底上的底电极、压电层和顶电极；底电极、压电层和顶电极分别在衬底上的正投影的重合区域形成谐振区域；在谐振区域内，底电极和顶电极分别在衬底上的正投影的轮廓形状为由M条弧线首尾连接形成的封闭图形，且封闭图形为轴对称图形；其中，M为大于或等于2的整数，且弧线包括朝向谐振区域的中心凹设的内凹弧线和背向谐振区域的中心外凸的外凸弧线。该体声波谐振器能够减少声波简并，从而减少杂波谐振峰、减少伪模态，以获得较纯净的大机电耦合系数的主模。
声波谐振器滤波器

[发明专利]压电扬声器及其制备方法、电子设备-CN202310244911.8在审
发明人：胡博豪;刘文娟;卢亮宇;杨超翔;王健;孙博文;国世上;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H04R17/00 文献下载
摘要：一种压电扬声器及其制备方法、电子设备，涉及扬声器技术领域。该扬声器包括衬底、设于衬底相对两面的第一振膜和第二振膜、设于第一振膜上的第一有源发声区、设于第二振膜上的第二有源发声区以及两端分别与第一振膜和第二振膜连接的驱动推杆；第一有源发声区和第二有源发声区均包括层叠设置的第一电极层、压电层和第二电极层；第一电极层、压电层、第二电极层和声腔在衬底上的正投影的重合区域形成发声有源区；第一振膜具有围绕发声有源区设置的第一褶皱结构，第一褶皱结构通过在第一振膜的相对两个表面分别凹设第一凹槽得到，且所述第一振膜的相对两个表面的第一凹槽呈交错设置。该压电扬声器能够提高发声声压级、工作相对带宽。
压电扬声器及其制备方法电子设备

[发明专利]基于声子晶体提升品质因数的薄膜体声波谐振器-CN202211677918.0在审
发明人：蔡耀;许秉乾;孙成亮;邹杨;周禹;杨婷婷;国世上;刘炎 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于声子晶体提升品质因数的薄膜体声波谐振器，抑制现有薄膜体声波谐振器因加工中产生的材料C轴取向不一致导致的横向伪模式，将谐振器的纵向振动限制在上下电极覆盖部分的压电薄膜，提升谐振器品质因数。本发明基于FBAR的空气隙结构，在传统的上电极‑压电薄膜‑下电极的三明治结构中引入声子晶体作为侧边声波抑制结构，使得FBAR中横向传播的伪模态被抑制，减少了杂波。本发明设计的声子晶体的具体单元结构为：1.环绕传统多边形上下电极的电极群，从而减小电极区域的能量泄露；2.贯穿压电薄膜的图案化孔洞，从而将声波能量约束上下电极覆盖的压电薄膜区域内，即解决横向伪模态的声波传输，从而显著提升品质因数。
基于晶体提升品质因数薄膜声波谐振器

[发明专利]一种风冷式的多通道体声波微流控分选器件-CN202210499331.9有效
发明人： 国世上;吴泽政;杜亮 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种风冷式的多通道体声波微流控分选器件，包括：体声波芯片，其由刻蚀有流体沟道的单晶硅片和玻璃片组成，单晶硅片和玻璃片相互密封并形成驻波谐振腔，驻波谐振腔的两端分别设有进样口和出样口；压电陶瓷片，其通过超声耦合胶贴合在单晶硅片的下表面，压电陶瓷片向驻波谐振腔施加特定谐振频率的声波信号，以分离驻波谐振腔内流体不同粒径的粒子；芯片散热器，其包括通过导热硅脂贴合在压电陶瓷片下表面的半导体制冷片，半导体制冷片的底部通过导热硅脂贴合有风冷基座。本申请保证了压电陶瓷片在合适的温度范围内向驻波谐振腔施加特定谐振频率的声波信号，保证了体声波芯片对生物标志物可靠分离。
一种风冷通道声波微流控分选器件

[发明专利]一种可调谐的压电式光环谐振腔-CN202210429303.X有效
发明人：孙成亮;国世上;许秉乾;蔡耀;杨超翔;范宇晨;刘炎 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明属于MEMS光电器件技术领域，公开了一种可调谐的压电式光环谐振腔，包括压电悬臂梁组件、光学波导组件，光学波导组件位于压电悬臂梁组件的上方，光学波导组件包括微环谐振腔和耦合器，压电悬臂梁组件在电信号的作用下产生振动，微环谐振腔基于振动产生应变并改变其谐振频率。本发明解决了现有技术中微环谐振腔难以实现多频率工作且无法调谐的问题。本发明利用压电效应，通过电信号作用使压电悬臂梁组件产生振动，进而使微环谐振腔产生应变并改变其谐振频率，本发明具有较大的频响范围与可调谐性，本发明结构集成度较高，灵敏度优良，成本较低。
一种调谐压电光环谐振腔

[发明专利]一种谐振器及其制备方法-CN202211025475.7在审
发明人：孙成亮;龙开祥;孙博文;国世上;蔡耀;罗天成;邹杨 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种谐振器及其制备方法，涉及半导体技术领域，本发明的谐振器，包括第一衬底层以及在第一衬底层上依次层叠的支撑层、底电极层、压电层和顶电极层，支撑层和底电极层之间具有空腔，空腔通过释放孔与空气连通，顶电极层、压电层和底电极层在空腔的正投影重叠的部分共同构成有效谐振区域，压电层上设有第一凹槽，第一凹槽内填充介电材料以形成介电层，介电层分别与顶电极层和底电极层贴合以形成电容，电容位于有效谐振区域的侧面并与有效谐振区域并联。上述谐振器本身具有电容，且电容与有效谐振区域并联，在搭建滤波器时不会增大器件的占用面积，且能够调节电容的大小，同时，还能起到抑制谐振器中横向传播的杂波的作用。
一种谐振器及其制备方法

[发明专利]一种电调光波导相位调制器及相位调制方法-CN202210890019.2在审
发明人：孙成亮;许秉乾;蔡耀;周禹;国世上;刘炎;刘文娟 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明涉及一种电调光波导相位调制器及相位调制方法，上述相位调制器包括：基底、缓冲介质层、光学波导组件和压电组件，缓冲介质层沉积于基底上，光学波导组件沉积于缓冲介质层上，压电组件沉积于光学波导组件上，压电组件由外向内依次包括外电极、压电材料层和内电极，缓冲介质层由绝缘介质或导电介质制成。本发明中将压电组件与光学波导组件相结合，并可采用直流电压偏置的方式给压电层施加电压，从而通过逆压电效应产生应力并作用于光波导组件上，使其折射率发生改变，从而达到调制传播光相位的目的；本发明中可同时利用电光效应与应力光学效应进一步提升调制带宽与调制效率。
一种调光波导相位调制器调制方法

[发明专利]一种薄膜体声波传感器及其制备方法-CN202210446038.6在审
发明人：谷曦宇;刘炎;刘文娟;徐沁文;国世上;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G01D5/48 文献下载
摘要：一种薄膜体声波传感器及其制备方法，涉及传感器技术领域，该方法包括：在第一衬底上刻蚀形成第一凹槽，并在第一凹槽内沉积牺牲层；在第一衬底上依次形成支撑层和底电极层，并图案化底电极层形成底电极图案；在底电极图案上依次形成压电层和顶电极层，并图案化顶电极层形成顶电极图案，底电极图案、压电层和顶电极图案在层叠方向上的交叠区域作为谐振区域；在顶电极图案上刻蚀形成释放孔，释放孔依次穿透压电层、底电极图案和支撑层至露出牺牲层；经由释放孔刻蚀牺牲层至露出第一凹槽形成空腔，空腔包括对应谐振区域在第一衬底上的正投影的交叠区域以及位于谐振区域在第一衬底上的正投影之外的非交叠区域。该方法能够提高体声波传感器的灵敏度。
一种薄膜声波传感器及其制备方法

[发明专利]一种基于SOI的兰姆波声光调制器-CN202210568818.8在审
发明人：孙成亮;许秉乾;蔡耀;温志伟;国世上;刘炎 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G02F1/125 文献下载
摘要：本发明属于MEMS声光器件技术领域，公开了一种基于SOI的兰姆波声光调制器，包括SOI平台、波导组件和压电组件，波导组件集成在SOI平台上，SOI平台经刻蚀后形成有空腔，压电组件位于空腔的上方，压电组件激发产生的兰姆波经SOI平台传递至波导组件。本发明将用于激发产生兰姆波的压电组件与波导组件结合，采用更高频率范围的兰姆波代替表面波进行调制，结合设置的空腔能够实现更大的频率调制范围和更高的调制效率，基于SOI平台，有着更好的集成潜力，本发明能实现高灵敏度与多频段调制。
一种基于 soi 兰姆波声光调制器

[发明专利]一种膀胱癌类器官培养基及制备方法及应用-CN202011442994.4有效
发明人： 国世上;龚芝伊 -专利权人：武汉大学
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C12N5/09 文献下载
摘要：本发明属于肿瘤类器官培养领域，尤其涉及一种膀胱癌类器官培养基及制备方法及应用，所述培养基包括以下组分及用量：细胞培养基8‑12mM、成纤维细胞生长因子120‑145ng/mL、氢离子缓冲剂8‑12mM、抗生素0.8‑1.2％、表皮细胞生长因子45‑55ng/mL、重组蛋白180‑220ng/mL、分泌蛋白460‑520ng/mL、人胃泌素8‑12nM等。本发明中方法可操作性好，重复性高，快速，24小时内成型，成功率90％以上，并成功保留了肿瘤内免疫细胞，可为膀胱癌的发生、发展，肿瘤免疫类药物筛选，和体外药敏测试研究提供了一个理想的研究模型。
一种膀胱癌器官培养基制备方法应用

[发明专利]制备肿瘤类器官的装置-CN202110703463.4有效
发明人： 国世上;龚芝伊;吴主昊 -专利权人：武汉大学
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C12M3/04 文献下载
摘要：本发明提供一种制备肿瘤类器官的装置，包括：液滴激发装置，其包括第一调温模块、设置在第一调温模块上的压电基底、光刻在所述压电基底上的环形沟道、设置在环形沟道中的电极以及与电极电连接的声波信号发生装置；细胞捕获装置，其包括对应设置在所述环形沟道上方的细胞捕获板以及设置在细胞捕获板上的第二调温装置；将样品细胞基质放于环形沟道中，开启第一调温模块和第二调温模块，启动声波信号发生装置，声波信号发生装置通过电极产生声波信号进而激发液滴向上喷射于细胞捕获板上，细胞在细胞捕获板上团聚，对细胞进行培养产生肿瘤类器官。本发明制备肿瘤类器官的方法简单，该装置样本需求量少，所制备的类器官大小均一，高效可靠。
制备肿瘤器官装置

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