“周理评”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果11个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202211627233.5在审
发明人：刘佳玉;柯韦帆;刘胜男;胡鹏杰;吴巧添;彭钰仁;郭桓卲;周理评 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其外延结构包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；通过在第一焊盘电极的上表面及侧壁上包覆有第一金属包覆层，且第一金属包覆层在第一焊盘电极侧壁的底部设置有凸起，凸起位于绝缘层的下方，使得金属包覆层能够对焊盘电极进行完全包覆，且能够保护焊盘电极底部边缘处，防止绝缘层在此处脱落后，其下方的焊盘电极中的活性材料与外部环境接触，提升发光二极管的可靠性。
发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管阵列-CN201610171733.0有效
发明人： 周理评;杨於铮;叶瑞鸿 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-04-25 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管阵列，该发光二极管阵列由N个(N≧3)发光二极管单元所组成，包括：永久基板；粘结层位于永久基板之上；第二导电层位于粘结层之上；第二分隔层位于第二导电层之上；跨接金属层位于第二分隔层之上；第一分隔层位于跨接金属层之上；导电性连接层位于第一分隔层之上；外延结构位于导电性连接层之上；第一电极位于外延结构之上。发光二极管单元间经跨接金属层彼此电性连接。
发光二极管阵列

[发明专利]半导体发光元件-CN201310005652.X无效
发明人：颜伟昱;周理评;陈复邦;张智松 -专利权人：联胜光电股份有限公司
申请日： 2013-01-08 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光元件，其包括：缓冲层、第一光反射层、第一电性半导体层、发光层、保护结构与黏着层。其中第一电性半导体层位于缓冲层与发光层之间。第一光反射层位于第一电性半导体层与缓冲层之间。保护结构位于第一光反射层与缓冲层之间。此外黏着层位于第一电性半导体层与保护结构之间，以提升元件可靠度。
半导体发光元件

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN201210409068.6无效
发明人：颜伟昱;周理评;陈复邦;张智松 -专利权人：联胜光电股份有限公司
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种半导体发光元件及其制造方法，半导体发光元件包括发光的磊晶结构、第一电极结构、光反射层及电阻增加结构。其中，磊晶结构具有相对的第一面及第二面；第一电极结构与第一面电性相接；光反射层与第二面相邻；电阻增加结构与光反射层相邻，并远离第二面，且与第一电极结构之位置相对应。另提供半导体发光元件之制造方法。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]具反射镜保护层的发光二极管-CN201210194916.6无效
发明人：颜伟昱;周理评;陈復邦;张智松 -专利权人：联胜光电股份有限公司
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具反射镜保护层的发光二极管，其包含依序堆叠的一N型电极、一N型半导体层、一发光层与一P型半导体层、一金属反射层、一保护层、一缓冲层、一结合层、一永久基板与一P型电极，其中该保护层为金属氧化物，且形成为一裸空的框架图案，并该框架图案覆盖或支持该金属反射层的边缘，据此通过该保护层的环绕遮蔽可以保护该金属反射层，避免该金属反射层于后续制程中氧化，可让该金属反射层维持应有的反射率，而增加发光二极管的出光效率及电性稳定性。
反射保护层发光二极管

[发明专利]发光二极管的电极接触结构-CN201210135570.2无效
发明人： 周理评;陈复邦;张智松 -专利权人：联胜光电股份有限公司
申请日： 2012-05-03 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明为一种发光二极管的电极接触结构，应用于一发光二极管，该发光二极管包含依序堆叠的多个N型电极、一N型半导体层、一发光层与一P型半导体层、一反射层、一缓冲层、一结合层、一永久基板与一P型电极，且该N型半导体层形成有一不规则表面，其中该N型半导体层形成多个接触平台，该多个接触平台具一图案分布的设置于该N型半导体层上，且该不规则表面形成于该N型半导体层不具该多个接触平台的区域，并该多个N型电极分别形成于该多个接触平台上，据此本发明通过该多个接触平台提供平坦界面，让该多个N型电极形成于该多个接触平台上时，不会产生空隙，故可维持良好的电性接触，同时可避免分子旋键拘限载子，而提高发光效率。
发光二极管电极接触结构

[发明专利]发光二极管的缓冲层结构-CN201210115001.1无效
发明人： 周理评;颜伟昱;陈复邦;张智松 -专利权人：联胜光电股份有限公司
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明为一种发光二极管的缓冲层结构，应用于一发光二极管结构，该发光二极管结构包含依序堆迭的一P型电极、一永久基板、一结合层、一缓冲层、一反射层、一P型半导体层、一发光层、一N型半导体层与一N型电极，且本发明的该缓冲层为复合材料，且该缓冲层的复合材料为至少二种材料元素构成，且于材料边界处彼此交融，据此由于该缓冲层中的复合材料没有明显的介面分隔，因而可以消除介面效应与材料间的应力，而提升发光二极管的发光效率与制造良率。
发光二极管缓冲结构

[发明专利]发光二极管阵列-CN201110102886.7有效
发明人： 周理评;杨於铮;叶瑞鸿 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-04-25 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管阵列，该发光二极管阵列由N个(N≥3)发光二极管单元所组成，包括：永久基板；粘结层位于永久基板之上；第二导电层位于粘结层之上；第二分隔层位于第二导电层之上；跨接金属层位于第二分隔层之上；第一分隔层位于跨接金属层之上；导电性连接层位于第一分隔层之上；外延结构位于导电性连接层之上；第一电极位于外延结构之上。发光二极管单元间经跨接金属层彼此电性连接。
发光二极管阵列

[发明专利]发光元件-CN201110253632.5有效
发明人：陈昭兴;杨於铮;周理评;叶慧君;古依雯 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件，其包含：一半导体叠层，具有一第一面以及一与第一面相对的第二面；一沟槽形成于半导体叠层之中，具有一开口接近第二面、一底部、与一内侧壁连接开口与底部，其中开口的面积大于底部的面积。发光元件还包含一介电层形成于沟槽的内侧壁与第二面上；及一第一金属层形成于介电层上。
发光元件

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN200810129835.1有效
发明人：秦玉玲;周理评;杨宇智;杨于铮;陈纬守;郭政达 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-08-07 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电元件制造方法，其步骤包含提供一半导体叠层；在半导体叠层上，利用印刷技术形成至少一金属胶；以及提供一能量加热上述金属胶，使金属胶形成一金属电极，其中上述金属电极与半导体叠层形成欧姆接触。根据本发明，有效地降低了光电元件的制造成本。
发光元件及其制造方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN200710089768.0有效
发明人：杨于铮;郭政达;黄森彬;周理评 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2007-03-26 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制造方法。此发光二极管至少包括：一导电基板具有相对的第一表面以及第二表面；一反射结构至少包括一导电反射层接合在导电基板的第一表面上、以及一导电分散式布拉格反射结构叠设在导电反射层上；一发光磊晶结构设于反射结构上；一第一电极设于部分的发光磊晶结构上；以及一第二电极接合于导电基板的第二表面。
发光二极管及其制造方法

1
共 11 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top