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[实用新型]一种离相封闭母线的新型自动排水装置-CN202020499167.8有效
发明人：刘炜;郭国胜;王微;周宏敏;赵利军;窦家新;王银峰;王小伟;李岩;杨海亭;孙国梁;王宁;张晓光;张全 -专利权人：内蒙古京能康巴什热电有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H02G5/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种离相封闭母线的新型自动排水装置，在离相封闭母线导体外封闭的套装有与离相封闭母线导体形状轨迹相匹配的离相封闭母线外壳，在离相封闭母线外壳上竖直向下的连接有排水管，排水管的进水口位于盘式绝缘子的最低端，在排水管上从上至下依次安装有手动阀和疏水阀，排水管的底端安装有吸湿容器；本实用新型的有益效果：通过在离相封闭母线外壳上安装盘式绝缘子和排水管，并在排水管上安装吸湿容器，使离相封闭母线外壳内凝结的水滴自动汇集到吸湿容器内，使吸湿容器内的蓝色硅胶变为红色，进而可以直接观查吸湿容器的变色情况，判断离相封闭母线内部运行情况，保证离相封闭母线外壳内部无积水现象，消除机组运行隐患。
一种封闭母线新型自动排水装置

[实用新型]一种发光二极管-CN202020886966.0有效
发明人： 周宏敏;汤恒;董金矿;李政鸿;林兓兓;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管，至少包括依次层叠的衬底、第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，以及第一电极和第二电极，所述第一电极与第一导电型半导体层电性连接，所述第二电极与第二导电型半导体层电性连接，所述发光层包括由量子阱层和量子垒层交替层叠的量子阱结构，其特征在于：所述量子阱层包括第一量子阱层和第二量子阱层，所述第二量子阱层位于第一量子阱层和量子垒层之间，所述第二量子阱层的能隙小于第一量子阱层。本实用新型可以降低量子阱层中的极化电场，提高发光效率。
一种发光二极管

[发明专利]基于模型驱动SCR脱硝喷氨靶向控制回路-CN202010725926.2在审
发明人：刘炜;贾志军;王微;张全;潘海峰;周宏敏;刘瑞锋;赵来顺;吕永兴;马强强;高健;王剑飞;马涛;呼斯乐;郭越;张毅;杨竟夫;梁才;吕向波;高博;张博 -专利权人：内蒙古京能康巴什热电有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于模型驱动SCR脱硝喷氨靶向控制回路，其包括SCR稳态模型、动态预测模型、靶向控制模型、SCR入口NOx浓度软测量模型和SCR氨逃逸软测量模型，SCR脱硝系统出口NOx浓度与所述动态预测模型输出值相加后，作为所述SCR稳态模型的输入信号，所述SCR稳态模型根据输入信号的方向及大小以及前后周期内偏差度来给出一个参考指令供所述靶向控制模型进行调节，同时该参考指令还作为所述动态预测模型、SCR入口NOx浓度软测量模型、SCR氨逃逸软测量模型的信号输入值，所述SCR入口NOx浓度软测量模型、SCR氨逃逸软测量模型的信号输出反馈给所述动态预测模型。本发明能有效降低喷氨量，提高机组的运行经济性。
基于模型驱动 scr 脱硝喷氨靶向控制回路

[发明专利]超临界直流锅炉机组中间点温度四象限控制方法及其控制回路-CN202010666781.3在审
发明人：刘炜;贾志军;王微;张全;潘海峰;周宏敏;刘瑞锋;赵来顺;吕永兴;马强强;高健;王剑飞;马涛;呼斯乐;郭越;张毅;杨竟夫;梁才;吕向波;高博;张博 -专利权人：内蒙古京能康巴什热电有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： F22B35/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种超临界直流锅炉机组中间点温度四象限控制方法，其以主汽压力与其压力设定值之差△P为横坐标，以中间点温度与其温度设定值之差△T为纵坐标建立四象限坐标系，当△T和△P均为正时，优先减少燃料量修正值；当△T为正，△P为负时，优先增加给水流量修正值；当△T和△P均为负时，优先增加燃料量修正值；当△T为负，△P为正时，优先减少给水流量修正值。本发明采用的所述控制方法，在保证中间点温度符合机组运行要求的同时还能保证主汽压力波动幅度小，给水流量、给煤量等运行参数波动变小。
临界直流锅炉机组中间温度象限控制方法及其回路

[实用新型]一种石墨盘-CN202020205875.6有效
发明人： 周宏敏;王瑜;唐超;李政鸿;林兓兓;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体设备领域，尤其涉及一种石墨盘，其用于放置晶片，包括复数个放置晶片的凹槽，其特征在于：所述石墨盘包括内圈盘和外圈盘，所述内圈盘和外圈盘的下端中心分别连接内圈转轴和外圈转轴。本实用新型通过调节内圈盘和外圈盘的旋转速率，改善内、外圈因气流差异而导致的效率差异和良率差异。
一种石墨

[实用新型]一种石墨盘-CN202020059232.5有效
发明人： 周宏敏;林兓兓;李政鸿;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体设备领域，尤其涉及一种石墨盘，具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置复数个放置晶片的凹槽，所述凹槽外缘包括迎风区域和非迎风区域，其特征在于：所述迎风区域设置用于分散气流的突出部。本实用新型在凹槽外缘的迎风区域设置分散气流的突出部，当石墨盘高速旋转时，突出部可以使流入的气流降低流速，进而从突出部的两侧进行流动，从而有效解决迎风区域的波长不均匀性问题。
一种石墨

[发明专利]一种具有复合电子阻挡层的发光二极管及其制备方法-CN202010446626.0在审
发明人：董金矿;汪玉;黄文宾;周宏敏;李政鸿;林兓兓;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，尤其涉及一种具有复合电子阻挡层的发光二极管及其制备方法，其中复合电子阻挡层位于有源层和P型半导体层之间，为AlxInyGa1‑x‑yN层和石墨烯层周期性交替层叠形成。本发明可以促进空穴横向扩展，改善电子溢流，提升亮度。
一种具有复合电子阻挡发光二极管及其制备方法

[实用新型]一种金属有机化合物容器-CN201922038985.8有效
发明人： 周宏敏;王瑜;唐超;董金矿;李政鸿;林兓兓;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2019-11-23 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种金属有机化合物容器，用于盛放MO源，包括MO源瓶体、进气管路、出气管路、所述进气管路和出气管路的端部均设置有与MOCVD设备连接的连接头，所述连接头和MO源瓶体之间均设置手动阀，其特征在于：所述连接头和手动阀之间设置感应阀，通过控制连接头与MOCVD设备的连接和断开控制感应阀的打开和关闭。本实用新型通过在连接头和手动阀之间增设感应阀，并且在连接头的下端设置感应器，通过感应器感应连接头与MOCVD设备的连接和断开状态，进而控制感应阀的打开和关闭，以确保MO源瓶体内的MO源无法与外界空气接触，进而防止因手动阀误操作而导致的事故。
一种金属有机化合物容器

[实用新型]一种石墨盘-CN201921594592.9有效
发明人： 周宏敏;唐超;王瑜;李政鸿;张佳胜;林兓兓;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体设备领域，尤其涉及一种石墨盘，用于放置衬底，包括石墨盘本体和转轴，石墨盘本体包括若干用于放置衬底的凹槽，所述石墨盘本体内设置有气道和集气环，所述气道在凹槽侧壁处对应设置有气道口，气道与集气环相通；转轴设置于石墨盘本体中心的下方，所述转轴外包裹管道，所述管道与集气环连通；还包括送气装置，所述送气装置与管道连通，用于将气体送入每路气道中，使得衬底在气体的驱动下转动。本实用新型降低了离心力对衬底的影响，得到较好均匀性的片源，提高良率。
一种石墨

[实用新型]一种用于MOCVD设备的过滤器-CN201920736901.5有效
发明人： 周宏敏;唐超;王亚伟;林兓兓;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： B01D46/24 文献下载
摘要：本实用新型属于过滤装置领域，尤其涉及一种用于MOCVD设备的过滤器，包括多虑器本体、设于侧壁的进气口、顶端的出气口及滤芯，该滤芯上下表面由滤芯密封圈密封并安装在滤芯固定座上，且由螺杆支撑架、螺杆和螺帽固定，后端安装有固定盖板，该滤芯通过密封法兰固定于过滤器壳体内，其特征在于：所述滤芯内设置有螺旋叶片，所述螺旋叶片横向或者纵向设置于所述滤芯内。
一种用于 mocvd 设备过滤器

[实用新型]一种石墨盘及其配套衬底-CN201921220024.2有效
发明人： 周宏敏;唐超;王瑜;林兓兓;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型属于发光半导体设备领域，尤其涉及一种石墨盘及其配套衬底，石墨盘包括多个用于放置衬底的晶圆凹槽，衬底的侧面设置有卡槽，晶圆凹槽的顶部周边设置有上层组件，上层组件底部的至少一侧位于晶圆凹槽的侧壁，上层组件上设有用于固定衬底的侧向组件，侧向组件为可伸缩结构，侧向组件嵌于衬底的卡槽内。本实用新型降低了离心力对衬底的影响，使得衬底在生长时无法翘起，或翘起时角度较小，不会干扰到石墨盘面的气流模型，得到较好均匀性的片源，提高良率。
一种石墨及其配套衬底

[实用新型]一种石墨盘-CN201921594881.9有效
发明人： 周宏敏;唐超;王瑜;李政鸿;张佳胜;林兓兓;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体设备领域，尤其涉及一种石墨盘，用于放置衬底，包括石墨盘本体和转轴，石墨盘本体包括若干用于放置衬底的凹槽，所述凹槽底部连通有中空腔室，相邻的两个中空腔室通过设置气道连通；转轴设置于石墨盘本体中心的下方，转轴外包裹管道，管道与气道连通；还包括抽气装置，所述抽气装置与管道连通，用于将中空腔室、气道和管道中的空气抽出，使得衬底吸附于凹槽的底部。本实用新型降低了离心力对衬底的影响，得到较好均匀性的片源，提高良率。
一种石墨

[实用新型]一种MO源瓶恒温槽-CN201920451702.X有效
发明人：董金矿;汪玉;黄文宾;周宏敏;王亚伟;林兓兓;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： B01F13/08 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体设备领域，尤其涉及一种MO源瓶恒温槽，用于使MO源瓶温度恒定，至少包括槽体，所述槽体内盛有使MO源瓶恒温的液体，其特征在于，所述槽体内设置放置MO源瓶的支架，所述支架下方设置使所述液体流动的搅拌装置，所述搅拌装置下方设置使所述搅拌装置沿槽体内壁升降的升降装置。本实用新型通过搅拌装置减小液体温度的不均匀和波动，通过升降装置自动调节液位的高低，通过槽体的第一保温层和第二保温层减慢液体温度的降低。
搅拌装置本实用新型升降装置体内保温层支架半导体设备温度恒定液体流动恒温槽通过槽槽体减小沿槽液位减慢升降

[发明专利]一种发光二极管-CN201711474080.4有效
发明人：江汉;王亚伟;周宏敏;徐志军;李政鸿;寻飞林;林兓兓;蔡吉明 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管，其通过在P型氮化物层中引入Fe掺杂氮化物层，用Fe元素和Mg元素共同作为空穴提供原子；由于Fe掺杂氮化物层空穴生成速率较Mg掺杂氮化物层的空穴生成速率快，以此来弥补传统Mg掺杂P型氮化物层相对多量子阱结构层物理位置前后差异导致的空穴迁移差异，从而形成较高浓度和较为稳定的空穴载子流。
空穴氮化物层发光二极管掺杂多量子阱结构层空穴迁移物理位置掺杂P型载子流引入

[实用新型]一种MOCVD设备的冷却装置-CN201821468148.8有效
发明人：董金矿;黄文宾;汪玉;周宏敏;史志结;林兓兓;蔡吉明 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体设备领域，尤其涉及一种MOCVD设备的冷却装置，其至少包括放置石墨盘的底座，所述底座边缘凸起形成支撑架，其特征在于：所述底座上表面具有复数个间隔排列的支撑柱，所述支撑架和支撑柱用于承载石墨盘，所述支撑架内设置有贯通的冷却气体孔。本实用新型的冷却装置改变传统的单一水冷冷却方式，而采用支撑柱、冷却气体以及热传导结构对石墨盘上的晶片进行多种方式的快速冷却，从而提高冷却效率，提高LED的量产。
冷却装置石墨盘支撑架支撑柱本实用新型冷却气体半导体设备底座上表面热传导结构底座边缘间隔排列快速冷却冷却效率传统的复数晶片量产凸起底座承载贯通