专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]滤波器结构调控方法、装置和滤波器-CN202310199046.X在审
  • 陈晓阳;张智欣;叶志;史向龙;王宇;苏波;周培根;范佰杰 - 北京航天微电科技有限公司
  • 2023-03-03 - 2023-07-07 - H03H9/02
  • 本申请涉及滤波器领域,提供一种滤波器结构调控方法、装置和滤波器。所述方法包括:根据温度补偿层厚度变化引发的频率温度系数变化,确定最佳温度补偿层厚度;根据压电单晶衬底切型变化引发的机电耦合系数变化,确定最佳压电单晶衬底切型;根据所述最佳温度补偿层厚度和所述最佳压电单晶衬底切型,对滤波器的温度补偿层和压电单晶衬底进行调控。本申请实施例提供的滤波器结构调控方法、装置和滤波器可以使得滤波器的机电耦合系数为2.5%到3%,同时频率温度系数为‑20ppm/℃到20ppm/℃,从而使得滤波器有效带宽满足需求,同时使得滤波器的相对带宽为0.5%到1%,提高窄带通信质量。
  • 滤波器结构调控方法装置
  • [发明专利]半导体微声器件制作方法、装置和半导体微声器件-CN202310194093.5有效
  • 陈晓阳;张智欣;叶志;史向龙;王宇;苏波;周培根;范佰杰 - 北京航天微电科技有限公司
  • 2023-03-03 - 2023-04-28 - H03H3/08
  • 本申请涉及半导体器件领域,提供一种半导体微声器件制作方法、装置和半导体微声器件,所述方法包括:根据微声基片欧拉角的自转角变化引发第一模式的激发强度在第一范围内的变化,确定所述微声基片的第一自转角;根据微声基片欧拉角的进动角变化引发第一模式的激发强度在第二范围内的变化,确定所述微声基片的第一进动角;根据第一自转角和第一进动角确定最佳欧拉角,并根据最佳欧拉角制作微声基片,采用半导体工艺制作金属叉指电极,得到半导体微声器件。本申请实施例提供的半导体微声器件制作方法、装置和半导体微声器件可以达到较好的第一模式抑制效果,提高半导体微声器件的低频段性能,从而进一步提高半导体微声器件的整体性能。
  • 半导体器件制作方法装置
  • [发明专利]中心谐振频率可调的宽带毫米波振荡器-CN201811548669.9有效
  • 陈继新;周培根;严蘋蘋;侯德彬;洪伟 - 东南大学
  • 2018-12-18 - 2023-01-31 - H03B5/18
  • 本发明公开了一种中心谐振频率可调的宽带毫米波振荡器,振荡器中引入了开关切换感值可调的电感。本发明通过调节开关切换感值可调的电感的开关电压(0V或1V),得到不同的基极电感值,进而改变谐振腔的中心谐振频率,结合变容管的频率调谐特性,可以大幅度改善毫米波振荡器的工作带宽。由于开关切换感值可调的电感的开关用来切换位于地平面的次级线圈,开关切换的同时对初级线圈的品质因数影响很小,因此本发明改善振荡器输出带宽的同时不恶化振荡器的相位噪声且不改变振荡器的功耗。本发明适合于宽工作频率、低相位噪声和低功耗的毫米波振荡器应用场合。
  • 中心谐振频率可调宽带毫米波振荡器
  • [发明专利]一种差模信号相合与共模信号相消的晶体管放大器-CN202110947189.5有效
  • 洪伟;唐大伟;李泽坤;周培根 - 东南大学
  • 2021-08-18 - 2022-11-11 - H03F3/45
  • 本发明公开一种差模信号相合与共模信号相消的晶体管放大器,包括晶体管放大器包括一路差分共发射极结构放大器(1)、一路差分共基极结构放大器(2),差分共发射极结构放大器(1)的同相输入端(3)与差分共基极结构放大器(2)的同相输入端相连接,反相输入端(4)与差分共基极结构放大器的反相输入端相连接,差分共射极结构放大器(1)的同相输出端(5)与差分共基极放大器(2)的同相输出端相连接,反相输出端(6)与差分共基极结构放大器(2)的反相输出端相连接;本发明将差分共射放大器与差分共基放大器并行交错连接,同时实现了差模信号功率合成与共模信号功率抵消,具有传统结构无法实现的优异性能。
  • 种差信号相合与共晶体管放大器
  • [发明专利]一种单端输入的伪差分超宽带晶体管放大器-CN202110958868.2有效
  • 洪伟;唐大伟;李泽坤;周培根 - 东南大学
  • 2021-08-20 - 2022-11-11 - H03F1/48
  • 本发明公开一种单端输入的伪差分超宽带晶体管放大器,包括一路差分共发射极结构放大器(1)、一路差分共基极结构放大器(2),差分共发射极放大器的接地输入端(3)、差分共基极放大器的接地输入端(4)直接接地、两路放大器的同相输入端(7)相连接、两路放大器的同相输出端(5)相连接、两路放大器的反相输出端(6)相连接;差分共基极放大器基级(b)接共模电阻Rb(11)、差分共射极放大器射级(e)接共模电阻Re(13)。本发明通过将差分输入端中的一个接地,并使用共模电阻抑制共模信号,避免了传统伪差分结构共模抑制特性差、且需要旁路和隔直电容导致带宽降低的问题,具有从直流到射频的超宽带输入匹配与放大特性。
  • 一种输入伪差分超宽带晶体管放大器
  • [发明专利]一种底电极激发式声表面波器件结构-CN202211053125.1在审
  • 于海洋;康绍峥;张倩;倪烨;李希雯;周培根 - 北京航天微电科技有限公司
  • 2022-08-31 - 2022-11-04 - H03H9/02
  • 本发明涉及一种底电极激发式声表面波器件结构,包括支撑衬底层、绝缘层和压电材料层;所述支撑衬底层上设置有所述绝缘层,所述绝缘层的厚度小于所述支撑衬底层的厚度,所述压电材料层设置于所述绝缘层上,所述绝缘层内间隔设置有叉指换能器结构和输入/输出电极结构,且所述输入/输出电极结构连接端延伸出所述压电材料层或所述支撑衬底层并形成焊球或者焊点,所述焊球或者焊点位于所述支撑衬底层表面或压电材料层表面。本发明能有效的减少声表面波器件受到外部环境的影响,也可实现温补作用以控制器件的温漂在合适范围内,此外,相关器件在Q值也有大幅提升并适用于硅基半导体加工工艺。
  • 一种电极激发表面波器件结构
  • [发明专利]一种基于高频率低功耗应用需求的毫米波静态分频器-CN201811239904.4有效
  • 周培根;向渝 - 南京迈矽科微电子科技有限公司
  • 2018-10-24 - 2022-05-27 - H03L7/08
  • 本发明公开了一种基于高频率低功耗应用需求的毫米波静态分频器,属于基本电子电路的技术领域,其包括输入时钟信号差分管对、锁存器驱动管对、锁存器锁存管对、发射极跟随器差分管对和由电感电阻串联的射频扼流负载,通过合理布局差分管对及锁存器输出差分线和反馈差分线使锁存器内部互连线最短且呈高度对称性,大幅度缩短锁存器间连接线的长度,减少毫米波频段的反馈相移和电阻电容寄生参数并大幅度提升差分布线的对称性,克服了传统毫米波静态分频器工作频率相对较低和功耗相对较高的缺点。用电感电阻串联的射频扼流负载取代传统毫米波静态分频器电阻负载后,有效地降低分频器功耗的同时也可以提升其工作频率。
  • 一种基于频率功耗应用需求毫米波静态分频器
  • [实用新型]一种基于微声集成的变频通道模块及电子设备-CN202122803678.1有效
  • 魏家贵;范佰杰;周培根 - 北京航天微电科技有限公司
  • 2021-11-16 - 2022-04-19 - H04B1/40
  • 本实用新型涉及一种基于微声集成的变频通道模块及电子设备,变频通道模块包括陶瓷表贴管座,陶表贴管座设置至少一个中频引脚、至少一个射频引脚和至少一个本振引脚;陶瓷表贴管座内贴装至少一组变频通道裸体芯片组合,变频通道裸体芯片组合中的第一放大器按照预设方向贴装,或者按照预设方向的反方向贴装;变频通道裸体芯片组合的中频端、射频端和本振端通过对应的引脚引出;贴装完成的陶瓷表贴管座通过金属盖板封装。本实用新型抗干扰能力强、体积小;对于确定的通道数,可实现一种封装对应不同变频工作模式,从而减少封装种类;便于过程检验,减少了手工焊接引入的焊接隐患。
  • 一种基于集成变频通道模块电子设备

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