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[发明专利] 高电压输出放大器 -CN201910195907.0 有效
发明人：
小仓静雄
- 专利权人：
小仓将希
申请日：
2019-03-14
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公布日：
2023-07-28
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主分类号：
H03F1/48 文献下载
摘要： 提供一种高电压输出放大器，正侧输出级电路的高电压放大器具备Nch MOS FET和Nch MOS FET，负侧输出级电路的高电压放大器具备Nch MOS FET和Nch MOS FET，连接Nch MOS FET的源极和Nch MOS FET的漏极，连接Nch MOS FET的源极和Nch MOS FET的漏极，分别对Nch MOS FET的源极、Nch MOS FET的源极进行电流控制，通过负侧光电耦合器对Nch MOS FET的源极进行电流控制，经过电容器连接了Nch MOS FET的栅极和Nch MOS FET的栅极。电压 输出 放大器
[发明专利] 宽带放大器调谐 -CN202180072256.1 在审
发明人：
蒋荣 ;胡沙利·沙阿
- 专利权人：
派赛公司
申请日：
2021-09-09
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公布日：
2023-07-11
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主分类号：
H03F1/48 文献下载
摘要： 使用单个低噪声放大器(LNA)来在维持高增益和低噪声因数的同时提供对RF频率的宽带的放大的电路和方法。实施方式包括放大器电路，该放大器电路包括：输入信号路径，用于接收宽带RF信号；开关电感器调谐块，其耦接至输入信号路径并且被配置成选择性地将多个电感中的一个电感耦接至输入信号路径；以及放大器，其耦接至开关电感器调谐块并且被配置成在RF信号通过所选择的耦接电感之后接收RF信号。开关电感器调谐块包括多个可选择的分支，每个可选择的分支包括：RF输入开关；RF输出开关；电感器，其耦接在RF输入开关与RF输出开关之间；以及第一分流开关和第二分流开关，其耦接在电感器的相应端子与电路接地之间。宽带 放大器 调谐
[发明专利] 应用于包络跟踪电源调制器的高带宽高摆幅线性放大器 -CN201910581309.7 有效
发明人：
陈明凤 ;洪志良
- 专利权人：
复旦大学
申请日：
2019-06-29
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公布日：
2023-05-30
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主分类号：
H03F1/48 文献下载
摘要： 本发明属于集成电路设计领域，具体为一种应用于包络跟踪电源调制器的高带宽高摆幅的线性放大器。该线性放大器包括偏置电路、放大器电路和补偿电路。偏置电路由偏置电流选择模块和偏置模块组成；放大器电路的第一级为轨至轨输入的折叠共源共栅跨导放大器，第二级为Class‑AB型放大器；补偿电路采用CASCODE米勒补偿和前馈补偿两种补偿方式。米勒补偿电容实现主次极点分离；前馈补偿电容可以对高频信号提供一条前馈通路，扩展带宽，改善放大器的高频性能。另外前馈补偿电容可以解决电源调制器输出端引入的封装电感而导致的高频振荡。Class‑AB型输出级采用核心管和I/O管叠加结构。该线性放大器最高可实现LTE‑100M的包络信号的跟踪，跟随动态范围达到0.5V‑3V。应用于 包络 跟踪 电源 调制器 带宽 高摆幅 线性 放大器
[发明专利] 毫米波功率放大单元及放大器 -CN201910174553.1 有效
发明人：
李一虎 ;熊永忠
- 专利权人：
成都中宇微芯科技有限公司
申请日：
2019-03-08
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公布日：
2023-04-28
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主分类号：
H03F1/48 文献下载
摘要： 本发明公开一种毫米波功率放大单元，包括第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管，第一三极管的集电极作为所述放大单元的输出端，第一三极管的基极通过第一电容接地，第一三极管的发射极通过第一电感与第二三极管的集电极连接，第二三极管的基极通过第二电容接地，第二三极管的发射极通过第二电感同时与第三三极管和第四三极管的集电极连接，第三三极管和第四三极管的发射极接地，第三三极管的基极作为放大单元的输入端，第四三极管的集电极连接有第一外接电源。本发明可以在减小放大单元输入电容的同时提高放大单元的电压摆幅，从而使采用本申请提供的放大单元的放大器具有高宽带和高输出功率。毫米波 功率 放大 单元 放大器
[发明专利] 宽带内匹配功率放大器 -CN201610658144.5 有效
发明人：
杜跃鑫 ;马爽 ;王博
- 专利权人：
成都泰格微电子研究所有限责任公司
申请日：
2016-08-12
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公布日：
2023-03-07
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主分类号：
H03F1/48 文献下载
摘要： 本发明公开了一种宽带内匹配功率放大器，它包括输入端口、兰格耦合器、带通滤波阻抗变换网络、稳定网络、功率芯片和输出端口，输入端口与第一兰格耦合器的第一端口连接，第一兰格耦合器的第三端口和第四端口分别与第一带通滤波阻抗变换网络和第三通滤波阻抗变换电路的输入连接，第一带通滤波阻抗变换网络的输出端与第一稳定网络的输入连接，第一稳定网络的输出与第一功率芯片的第一端连接，第一功率芯片的第二端与第三带通滤波阻抗变换网络的输入连接，第三带通滤波阻抗变换网络的输出与第二兰格耦合器的第一端口连接。宽带内匹配功率放大器能同时兼顾宽带和较高的增益指标，利用兰格耦合器进行功率合成，改善了输入输出驻波，方便前后级多管级联使用。宽带 匹配 功率放大器
[发明专利] 带有级内与级间电感式耦合的多级宽频放大器 -CN202210013325.8 在审
发明人：
林嘉亮 ;简廷旭
- 专利权人：
瑞昱半导体股份有限公司
申请日：
2022-01-07
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公布日：
2023-03-03
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主分类号：
H03F1/48 文献下载
摘要： 一多级放大器包含一第一级与一第二级。该第一级包含一第一共源极放大器、一第一电感式负载网络与一第一级间电感，该第一电感式负载网络包含串联连接的一第一负载电阻与一第一负载电感，并包含一第一源极网络，用来接收一第一信号以及输出一第一负载信号，该第一级间电感用来将该第一负载信号耦合至一第二信号。该第二级包含一第二共源极放大器、一第二电感式负载网络与一第二级间电感，该第二电感式负载网络包含串联连接的一第二负载电阻与一第二负载电感，并包含一第二源极网络，用来接收该第二信号以及输出一第二负载信号，该第二级间电感用来将该第二负载信号耦合至一第三信号。该第一负载电感与该第二负载电感被布局来加强一级间电感式耦合。带有 电感 耦合 多级 宽频 放大器
[发明专利] 一种单端输入的伪差分超宽带晶体管放大器 -CN202110958868.2 有效
发明人：
洪伟 ;唐大伟 ;李泽坤 ;周培根
- 专利权人：
东南大学
申请日：
2021-08-20
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公布日：
2022-11-11
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主分类号：
H03F1/48 文献下载
摘要： 本发明公开一种单端输入的伪差分超宽带晶体管放大器，包括一路差分共发射极结构放大器(1)、一路差分共基极结构放大器(2)，差分共发射极放大器的接地输入端(3)、差分共基极放大器的接地输入端(4)直接接地、两路放大器的同相输入端(7)相连接、两路放大器的同相输出端(5)相连接、两路放大器的反相输出端(6)相连接；差分共基极放大器基级(b)接共模电阻Rb (11)、差分共射极放大器射级(e)接共模电阻Re (13)。本发明通过将差分输入端中的一个接地，并使用共模电阻抑制共模信号，避免了传统伪差分结构共模抑制特性差、且需要旁路和隔直电容导致带宽降低的问题，具有从直流到射频的超宽带输入匹配与放大特性。一种 输入 伪差分超 宽带 晶体管 放大器
[发明专利] 前馈和反馈交叉耦合结构的快速稳定高带宽放大器 -CN202210186785.0 在审
发明人：
陈莹梅 ;杨凡
- 专利权人：
东南大学
申请日：
2022-02-28
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公布日：
2022-05-27
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主分类号：
H03F1/48 文献下载
摘要： 本发明公开了一种前馈和反馈交叉耦合结构的快速稳定高带宽放大器，包括三个限幅放大器、一个加法器、两个反馈回路和一个前馈回路构成。三个限幅放大器和一个加法器构成主放大器的高速主通道；两个反馈回路采用交叉有源负反馈技术，能够有效地拓展主放大器的带宽，避免使用无源电感，降低了芯片的面积和成本；前馈回路中，电阻R1和R2的阻值相等，通过交叉跨接在放大器Gm1和Gm2两侧的电容快速提取主通道高速信号的直流值，转递给加法器并消除主通道信号的DC失调。该主放大器在保证增益和带宽下，既能快速消除由输入端输入的DC失调，又能改善由工艺、温度所导致MOS管差分对、电阻等不匹配问题。反馈 交叉 耦合 结构 快速 稳定 带宽 放大器
