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[发明专利]一种共源共栅级联型GaN器件、限流装置及其制备方法-CN202310834356.4在审
发明人： 吴毅锋;杨超;高吴昊 -专利权人：珠海镓未来科技有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/8252 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种共源共栅级联型GaN器件、限流装置及其制备方法。本发明制备集成于共源共栅级联型GaN器件的限流装置时，利用光刻技术在晶圆上形成离子注入区域和非离子注入区域，利用光刻胶作为掩膜材料，通过离子注入工艺去除所述离子注入区域处的2DEG，利用光刻技术在所述晶圆上形成欧姆接触区域，在所述欧姆接触区域上制作欧姆接触电极，最后利用热退火技术对所述欧姆接触电极进行处理。本发明的制备工艺与常用有源区隔离工艺兼容，且能够增加器件在不同工作温度下限流装置的相对稳定性及电阻的功率能力，从整体上优化了EMI控制效果。
一种共源共栅级联 gan 器件限流装置及其制备方法

[实用新型]一种用于功率开关器件的场板结构及功率开关器件-CN202320394431.5有效
发明人： 吴毅锋;曾凡明 -专利权人：珠海镓未来科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体功率器件技术领域，公开了一种用于功率开关器件的场板结构及功率开关器件。本实用新型的半导体功率器件结构包括源极、栅极及漏极，栅极位于所述源极及所述漏极之间，栅极上方设置至少一个场板，所述场板具有支撑于所述栅极上方的支撑部分和从所述支撑部分向所述漏极的方向延伸的延伸部分，所述延伸部分由多个间隔设置的延伸部构成，每相邻两个延伸部之间形成一空隙。本实用新型通过对场板结构进行改进，大幅度减小了场板的总覆盖面积，且在器件关态截止工作状态下，场板中相邻的延伸结构产生的耗尽区会相互重叠而夹断沟道并承受关态电压，从而能够有效减少场板引入的寄生电容。
一种用于功率开关器件板结

[实用新型]一种用于氮化镓场效应管的内绝缘TO封装结构-CN202320394483.2有效
发明人：张大江;张文理;吴毅锋 -专利权人：珠海镓未来科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于氮化镓场效应管的内绝缘TO封装结构，包括：散热底板、陶瓷基板、氮化镓晶体管、MOSFET、栅极、漏极、源极与多个引脚；散热底板与各引脚均电气绝缘；陶瓷基板设置于散热底板上；氮化镓晶体管与MOSFET设置在陶瓷基板上；陶瓷基板、氮化镓晶体管与MOSFET电连接；栅极、漏极与源极与引脚电连接，并分别与陶瓷基板、氮化镓晶体管和MOSFET电连接。散热底板与陶瓷基板以及引脚均电气绝缘，使得散热底板与封装结构中的任一极均电气绝缘，可以在不额外增加热阻的情况下使结构具备更高的安全性以及增加散热效果，解决现有的氮化镓场效应管的外部绝缘方式存在耐压安全风险与热阻较大的问题。
一种用于氮化场效应绝缘 to 封装结构

[发明专利]一种低阻抗高过流的氮化镓器件、驱动装置和电子设备-CN202310500129.8在审
发明人：杨超;高吴昊;吴毅锋 -专利权人：珠海镓未来科技有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种低阻抗高过流的氮化镓器件、驱动装置和电子设备，该氮化镓器件包括衬底、形成在衬底之上的外延层、设置在外延层上的漏极、源极和栅极以及设置在漏极、源极和栅极上方的第一金属层；栅极还与栅极屏蔽场板连接，栅极屏蔽场板设置在第一金属层与栅极之间，栅极屏蔽场板与栅极形成共栅结构；源极和漏极与第一金属层的金属线之间采用平行布局并通过通孔连接。该氮化镓器件通过栅极屏蔽场板与栅极形成共栅结构提高了该氮化镓器件的响应速度；采用金属线平行布局连接方式的该氮化镓器件的金属连接结构，降低了该氮化镓器件的电阻；共栅结构和金属线平行布局连接方式使得该氮化镓器件能够满足高功率密度电源产品的需求。
一种阻抗高过氮化器件驱动装置电子设备

[发明专利]一种半导体功率器件及其制备方法-CN202310206900.0有效
发明人： 吴毅锋;曾凡明 -专利权人：珠海镓未来科技有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体功率器件及其制备方法。半导体功率器件包括由下而上依次叠设的背电极、衬底层、绝缘缓冲层、沟道层、势垒层、介质层和钝化层，将传统的单一导电衬底层替代为包含导电衬底区和绝缘衬底区的组合衬底层，将绝缘缓冲层划为三个区域：位于导电衬底区上方的控制区、在漏极正下方和绝缘衬底区上方的高压绝缘区，以及控制区与高压绝缘区之间的电子漂移区。本发明提供的半导体功率器件制备方法用于制备本发明提供的半导体功率器件。本发明提供的半导体功率器件及其制备方法具有改善半导体功率器件的动态电阻特性、提高耐压能力、提高应用耐压和减少寄生电容的技术效果。
一种半导体功率器件及其制备方法

[发明专利]用于功率开关器件的场板结构及制备方法、功率开关器件-CN202310203484.9在审
发明人： 吴毅锋;曾凡明 -专利权人：珠海镓未来科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体功率器件技术领域，公开了用于功率开关器件的场板结构及制备方法、功率开关器件。本发明的半导体功率开关器件结构包括源极、栅极及漏极，栅极位于所述源极及所述漏极之间，栅极上方设置至少一个场板，所述场板具有支撑于所述栅极上方的支撑部分和从所述支撑部分向所述漏极的方向延伸的延伸部分，所述延伸部分由多个间隔设置的延伸部构成，每相邻两个延伸部之间形成一空隙。本发明通过对场板结构进行改进，大幅度减小了场板的总覆盖面积，且在器件关态截止工作状态下，场板中相邻的延伸结构生的耗尽区会相互重叠而夹断沟道并承受关态电压，从而能够有效减少场板引入的寄生电容。
用于功率开关器件板结制备方法

[发明专利]一种用于氮化镓场效应管的内绝缘TO封装结构-CN202310203447.8在审
发明人：张大江;张文理;吴毅锋 -专利权人：珠海镓未来科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于氮化镓场效应管的内绝缘TO封装结构，包括：散热底板、陶瓷基板、氮化镓晶体管、MOSFET、栅极、漏极、源极与多个引脚；散热底板与各引脚均电气绝缘；陶瓷基板设置于散热底板上；氮化镓晶体管与MOSFET设置在陶瓷基板上；陶瓷基板、氮化镓晶体管与MOSFET电连接；栅极、漏极与源极与引脚电连接，并分别与陶瓷基板、氮化镓晶体管和MOSFET电连接。散热底板与陶瓷基板以及引脚均电气绝缘，使得散热底板与封装结构中的任一极均电气绝缘，可以在不额外增加热阻的情况下使结构具备更高的安全性以及增加散热效果，解决现有的氮化镓场效应管的外部绝缘方式存在耐压安全风险与热阻较大的问题。
一种用于氮化场效应绝缘 to 封装结构

[发明专利]用于集成III-氮化物器件的模块配置-CN202180042514.1在审
发明人：大卫·迈克尔·罗兹;吴毅锋;芮成海;普里米特·帕里克 -专利权人：创世舫科技有限公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种用于半桥电路的电子模块包括具有在第一金属层和第二金属层之间的绝缘层的基底衬底。穿过第一金属层形成的沟槽将第一金属层的第一部分、第二部分和第三部分彼此电隔离。高侧开关包括增强型晶体管和耗尽型晶体管。耗尽型晶体管包括导电衬底上的III‑N材料结构。耗尽型晶体管的漏电极连接到第一部分，增强型晶体管的源电极连接到第二部分，增强型晶体管的漏电极连接到耗尽型晶体管的源电极，耗尽型晶体管的栅电极连接到导电衬底，并且导电衬底连接到第二部分。
用于集成 iii 氮化物器件模块配置

[实用新型]一种用于功率氮化镓HEMT器件的4引脚TO-247封装结构-CN202221454955.0有效
发明人：张文理;吴毅锋;张大江 -专利权人：珠海镓未来科技有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于功率氮化镓HEMT器件的4引脚TO‑247封装结构。该封装结构包括导电载片台、平面型氮化镓HEMT芯片和可插接引脚；平面型氮化镓HEMT芯片固定在导电载片台的表面，平面型氮化镓HEMT芯片的正面包括栅极、源极和漏极；可插接引脚位于导电载片台的同一侧。本实用新型实施例的技术方案增加设置开尔文源极引脚，可有效解耦功率回路和控制回路，提高氮化镓HEMT器件的开关速度，降低开关损耗，减小开关涟波，提高器件使用的稳定性。并且该封装结构的可插接引脚的设置顺序与对应的垂直型硅基或碳化硅基MOSFET器件的引脚功能设置顺序相同，从而实现直接替代，扩大了功率氮化镓HEMT器件的应用范围。
一种用于功率氮化 hemt 器件引脚 to 247 封装结构

[发明专利]一种用于功率氮化镓HEMT器件的4引脚TO-247封装结构-CN202210649449.5在审
发明人：张文理;吴毅锋;张大江 -专利权人：珠海镓未来科技有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于功率氮化镓HEMT器件的4引脚TO‑247封装结构。该封装结构将平面型氮化镓HEMT芯片，其正面包括栅极、源极和漏极；与导电载片台以及与之位于同侧的可插接引脚通过金属连接部件互连，其中平面型氮化镓HEMT芯片的源极与导电载片台通过金属部件连接。本发明实施例的技术方案相较于传统3引脚TO‑247封装，增加设置开尔文源极引脚，可有效解耦功率回路和控制回路，提高氮化镓HEMT器件的开关速度，降低开关损耗，减小开关涟波，提高器件使用的稳定性。并且这种平面型氮化镓HEMT封装结构的可插接引脚的电气功能的设置顺序与对应的垂直型结构的硅基或碳化硅基MOSFET器件的引脚功能设置顺序相同，从而实现直接替代，扩大了功率氮化镓HEMT器件的应用范围。
一种用于功率氮化 hemt 器件引脚 to 247 封装结构

[发明专利]一种级联型GaN基功率器件的封装结构及封装方法-CN202111618972.3在审
发明人： 吴毅锋;王美玉;曾凡明;李生东 -专利权人：珠海镓未来科技有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种级联型GaN基功率器件的封装结构及封装方法。其中，该封装结构中，HEMT芯片、MOSFET芯片、框架基岛和导电连接结构封装于塑封材料中；框架基岛的第一侧表面设置有凹槽，导电连接结构固定于凹槽内且与框架基岛绝缘；MOSFET芯片倒置于框架基岛的第一侧表面，MOSFET芯片的栅极与导电连接结构电连接，源极与第一侧表面的非凹槽所在区电连接；HEMT芯片正置于框架基岛的第一侧表面，源极与MOSFET芯片的漏极通过引线电连接；栅极通过引线与框架基岛电连接。本发明实施例提高了芯片散热性能和可靠性，同时，降低了寄生感抗，提高了开关性能和能源效率。
一种级联 gan 功率器件封装结构方法

[发明专利]III-氮化物器件的集成设计-CN202080036199.7在审
发明人： 吴毅锋;约翰·柯克·格里特尔斯 -专利权人：创世舫科技有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件包括III‑N器件和场效应晶体管(FET)。III‑N器件包括III‑N材料结构的第一侧上的衬底，III‑N材料结构的与衬底相对的侧上的第一栅极、第一源极和第一漏极。FET包括第二半导体材料结构、第二栅极、第二源极和第二漏极，并且第二源极在第二半导体材料结构的与第二漏极相对的侧上。FET的第二漏极直接接触且电连接到III‑N器件的第一源极，且通孔穿过暴露出衬底的顶表面的部分的III‑N材料结构的部分形成，且第一栅极经由通孔电连接到衬底。
iii 氮化物器件集成设计

[发明专利]具有铁氧体磁珠的开关电路-CN202010602181.0在审
发明人：王展;吴毅锋;詹姆斯·哈尼 -专利权人：创世舫电子有限公司
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：一种电路包括电子部件封装，所述电子部件封装包括至少第一引线、处于所述电子部件封装中的III‑N装置、栅极驱动器和铁氧体磁珠。所述III‑N装置包括漏极、栅极和源极，其中所述源极被耦合到所述第一引线。所述栅极驱动器包括第一端子和第二端子，其中所述第一端子被耦合到所述第一引线。所述铁氧体磁珠耦合在所述III‑N晶体管的所述栅极与所述栅极驱动器的所述第二端子之间。当进行切换时，所述电路栅极环路的寄生电感的有害影响因所述铁氧体磁珠而得到减轻。
具有铁氧体开关电路

[发明专利]具有铁氧体磁珠的开关电路-CN201580035088.3有效
发明人：王展;吴毅锋;詹姆斯·哈尼 -专利权人：创世舫电子有限公司
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：一种电路包括电子部件封装，所述电子部件封装包括至少第一引线、处于所述电子部件封装中的III‑N装置、栅极驱动器和铁氧体磁珠。所述III‑N装置包括漏极、栅极和源极，其中所述源极被耦合到所述第一引线。所述栅极驱动器包括第一端子和第二端子，其中所述第一端子被耦合到所述第一引线。所述铁氧体磁珠耦合在所述III‑N晶体管的所述栅极与所述栅极驱动器的所述第二端子之间。当进行切换时，所述电路栅极环路的寄生电感的有害影响因所述铁氧体磁珠而得到减轻。
具有铁氧体开关电路

[发明专利]桥式电路及其元件-CN201510140463.2有效
发明人：詹姆斯·霍尼亚;吴毅锋 -专利权人：特兰斯夫公司
申请日： 2009-02-10 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H03K17/0814 文献下载
摘要：桥式电路及其元件。本发明描述了一种半桥，所述半桥具有至少一个晶体管，所述晶体管具有能够处于第一工作模式、第二工作模式和第三工作模式的沟道，所述第一工作模式在至少一个方向上阻挡基本电压，所述第二工作模式在一个方向上通过该沟道传导基本电流，所述第三工作模式在相反方向上通过该沟道传导基本电流。所述半桥可具有带有这样的晶体管的两个电路。
电路及其元件

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