“吴林峻”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种针对决策引擎的测试方法、装置及计算机可读介质-CN202310330197.4在审
发明人：史延莹;吴林峻 -专利权人：紫金诚征信有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种针对决策引擎的测试方法、装置及计算机可读介质，该方法包括：首先，确定与目标决策引擎对应的测试用例组；其次，基于测试用例组，对目标决策引擎进行回归测试，生成第一回归测试结果；目标决策引擎用于指示通过一个或多个决策节点组合而实现特定业务的逻辑；之后，判断第一回归测试结果是否满足预设条件；最后，若是，则基于第一回归测试结果，对实际决策引擎或者测试用例组进行调整，生成调整结果。由此，能够基于测试用例组对决策引擎所有决策节点进行覆盖，从而实现对决策引擎中所有决策节点的测试，进而减小决策引擎在生产环境中的故障率。
一种针对决策引擎测试方法装置计算机可读介质

[发明专利]考虑多因素的公轨两用悬索桥吊索疲劳智能化预测方法-CN202210570358.2在审
发明人：刘冒佚;姚刚;都宏波;杨阳;郝朝;孙文童;门武磊;马鑫龙;吴林峻;陈宇霄 -专利权人：重庆城投基础设施建设有限公司;重庆大学
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G06F30/13 文献下载
摘要：本发明公开了考虑多因素的公轨两用悬索桥吊索疲劳智能化预测方法，属于桥梁技术领域，包括以下步骤：基于实测交通流量确定疲劳标准车模型；模拟多种荷载对吊索的作用；悬索桥吊索疲劳损伤分析；选择模型预测公路车流量；基于车流预测的悬索桥吊索剩余寿命评估。本发明方法考虑了超大型预制构件运输车对悬索桥吊索疲劳损伤的影响，疲劳损伤分析结果会更加可靠；考虑风荷载、车辆荷载和轨道荷载同时作用以及多车道效应、双轨道效应和荷载作用顺序等多因素影响来评估桥梁疲劳损伤，分析方式更贴合实际情况，预测结果更加精准。对轨道疲劳标准车选取，风荷载作用以及车轨同时作用时都是以最不利的情况进行考虑，得到的结果更加安全。
考虑因素两用悬索桥吊索疲劳智能化预测方法

[发明专利]集成电路与背面及正面受光型图像传感器-CN201010237420.3有效
发明人：曾铕寪;吴林峻;林裕庭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-07-23 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明揭示一种集成电路与背面及正面受光型图像传感器，该集成电路包括一基底，其具有一接合焊盘区及一非接合焊盘区。一相对大的介层窗(via)形成于接合焊盘区的基底上，称之为“巨型介层窗”。巨型介层窗在朝向基底的俯视外观中具有一第一尺寸(dimension)。而集成电路也包括多个介层窗，形成于非接合焊盘区的基底上。每一介层窗的俯视外观具有一第二尺寸，且第二尺寸大体小于第一尺寸。本发明可改善打线未叠置于接合焊盘、接合焊盘剥离、及内层介焊盘层龟裂等现有装置存在的问题。
集成电路背面正面受光型图像传感器

[实用新型]集成电路晶体管-CN200420120272.7无效
发明人：高荣辉;曹昌胜;陈燕铭;吴林峻 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-12-22 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种集成电路晶体管，用于LDD离子布植制程的补偿间隙壁，此补偿间隙壁是不借由光微影与干蚀刻制程的全面性沉积所形成，此位于LDD区上的补偿间隙壁在一离子布植制程中可防止基底损失硅与防止掺杂质的污染，且具有致密化的特性以改善元件可靠度。
集成电路晶体管

[发明专利]集成电路晶体管与其形成方法-CN200410101512.3有效
发明人：高荣辉;曹昌胜;陈燕铭;吴林峻 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-12-22 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明是一种集成电路晶体管与其形成方法，是用于LDD离子布植制程的补偿间隙壁，此补偿间隙壁是不借由光微影与干蚀刻制程的全面性沉积所形成，此位于LDD区上的补偿间隙壁在一离子布植制程中可防止基底损失硅与防止掺杂质的污染，且具有致密化的特性以改善元件可靠度。
集成电路晶体管与其形成方法

[实用新型]具有覆盖层的熔丝-CN200420049932.7无效
发明人：吴瑞国;吴义郎;吴林峻;陈殿豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-04-26 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有覆盖层的熔丝，包括：一半导体基底，该半导体基底上有一金属内连线及一熔丝；其特征在于，一包含有一第一介电层、一停止层及一第二介电层所组成的覆盖层设于该半导体基底、该金属内连线及该熔丝的表面上；一金属焊垫设置于该覆盖层中；一保护层设置于该金属焊垫及该覆盖层上，其中该保护层中具有两个开口，其中一个开口露出该金属焊垫的表面，而另一开口位于该熔丝上方且该另一开口与该熔丝间相隔有一既定距离。本实用新型的覆盖层结构，具有隔离空气、保护芯片的作用，可有效确保熔丝的功效。
具有覆盖层

[发明专利]具有覆盖层的熔丝及其形成方法-CN02150202.1有效
发明人：吴瑞国;吴义郎;吴林峻;陈殿豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-11-04 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明提供一种具有覆盖层的熔丝及其形成方法，首先提供一具有内连线及熔丝结构的基底，在基底上形成由第一介电层、停止层及第二介电层组成的覆盖层，在覆盖层上形成一露出内连线表面的第一开口，第一开口上形成有突出覆盖层表面的金属焊垫，并在金属焊垫及覆盖层上依序形成保护层、抗反射层及具有第二开口及第三开口的图案化罩幕层，第二开口露出金属焊垫上方的抗反射层，第三开口露出熔丝上方的抗反射层；然后以图案化罩幕层为罩幕沿第二开口依序蚀刻抗反射层及保护层，及沿第三开口依序蚀刻保护层、第二介电层及停止层以形成熔丝窗。
具有覆盖层及其形成方法