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- [发明专利]扩散用高温炉-CN201610480202.X在审
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吕耀安
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无锡宏纳科技有限公司
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2016-06-27
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2016-08-24
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C30B31/10
- 本发明公开了一种扩散用高温炉，包括底座和石英管炉腔；石英管炉腔安装于底座之上；石英管炉腔为竖直柱状，其顶部设置有两个开口；石英管炉腔内设置有热电偶测量装置，热电偶测量传输线路通过第一开口传输至位于石英管炉腔外部的温度控制器；还包括多个加热器和多组热阻丝；多个加热器均与温度控制器相连接；每个加热器上对应连接有一组热阻丝；每组热阻丝螺旋状缠绕在石英管炉腔之外；相邻的热阻丝间隔距离相等；工艺气体通过气流控制器，进而通过第二开口输入石英管炉腔；底座上设置有气体出口；气体出口处安装有压力控制器。本发明在石英管炉腔外间隔均匀的设置有多组热阻丝，所以可以达到对石英管炉腔进行均匀加热的效果。
- 扩散高温
- [实用新型]一种光刻胶前烘缺陷检测修复装置-CN201520532756.0有效
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吕耀安
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无锡宏纳科技有限公司
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2015-07-21
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2015-12-16
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G01N21/88
- 本实用新型公开了一种光刻胶前烘缺陷检测修复装置，包括底板、上料传送带，扫描工位，修复工位、下料道和控制系统，所述上料传送带设置在底板上，上料传送带末端设置有挡板和侧推板，所述扫描工位和修复工位设置有底板上位于侧推板前进的方向上，所述扫描工位位于修复工位前侧，所述扫描工位和修复工位均包括有固定定位板和活动定位板，所述扫描工位上方设置有可移动扫描装置，所述修复工位上方设置有可移动修复装置，所述扫描装置和移动修复装置与控制系统电连，所述下料道设置在扫描工位后方，所述侧推板和活动定位板均连接有驱动部件，所述光刻胶前烘缺陷检测修复装置可自动检测前烘后光刻胶缺陷，并进行修复，提高了产品的良品率。
- 一种光刻胶前烘缺陷检测修复装置
- [发明专利]一种平面光波导分路器晶圆激光切割工艺-CN201510349840.3在审
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吕耀安
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无锡宏纳科技有限公司
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2015-06-23
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2015-09-09
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B23K26/53
- 本发明公开了一种平面光波导分路器晶圆激光切割工艺，其适用于石英基板平面光波导分路器的制造，其包括以下工艺步骤：1)版图设计：根据照激光切割工艺的特点设计定位标记，并按照激光切割的工艺特点进行晶圆中芯片的排版布局；2)激光切割：采用激光加工的方法通过定位标记将石英基板加工形成多个层面不同高度的切割线；3)裂片：通过裂片方法，将晶圆基板沿切割线掰开，即将晶圆切割成芯片。上述平面光波导分路器晶圆激光切割工艺采用激光切割的方法进行石英基板芯片的切割，与传统的机械切割加工方法相比，不仅大大提高了每张晶圆中芯片的数量，而且提高了晶圆切割加工的良率和质量，并降低了晶圆切割加工的成本和测试的成本。
- 一种平面波导分路器晶圆激光切割工艺
- [发明专利]一种VOA硅片手工键合的方法-CN201410061817.X无效
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吕耀安;翟继鑫
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无锡宏纳科技有限公司
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2014-02-22
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2015-08-26
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B81C3/00
- 本发明公开了一种VOA硅片手工键合的方法，其特征在于包括以下步骤：101、将硅片放入石英管中，在900~1200摄氏度状态下通以氧气或水汽进入石英管，在硅片表面发生反应，生成二氧化硅层，厚度在几十埃到几千埃之间；102、将处理后的硅片放入硫酸与双氧水的混合溶液中，其中硫酸与双氧水的混合比例大于3比1，然后加热到100-150度，持续时间为1-10分钟，用来去除表面残留的有机物；103、将硅片放入去离子水中反复冲洗2次以上，来去除表面可能残留的酸液；104、在热氮气氛围下，用甩干机对硅片进行甩干处理。本发明在简单设备条件下为热氧化硅片手工键合实现提供了可能，降低了VOA工艺实现难度。
- 一种voa硅片手工方法
- [发明专利]一种光纤阵列U槽的光刻方法-CN201310639072.6无效
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吕耀安;翟继鑫
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无锡宏纳科技有限公司
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2013-12-04
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2015-06-10
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G03F7/20
- 本发明公开了一种光纤阵列U槽的光刻方法，其特征在于：包括以下步骤101、在石英基片上涂一层光刻胶，胶厚1-1.5微米，石英基底1-2毫米，并烘干；102、用掩膜板盖在以上经过处理的石英基片上，用紫外线曝光，光强3-10兆瓦，曝光时间15-20秒；103、显影后，露光部分的光刻胶被去除，露出石英基片，然后清洗烘干；104、用氢氟酸腐蚀液腐蚀石英基片的露光部分，形成10-20微米的凹槽。本发明的二次刻蚀方法的可以很好的将胶水保护在封装器件中，并且牢固的将器件与上盖板粘合，保证了产品的可靠性。同时也减少了胶水用量，降低了成本。
- 一种光纤阵列光刻方法
- [发明专利]一种平面光波导分路器波导分叉的填充方法-CN201310623856.X在审
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吕耀安;翟继鑫
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无锡宏纳科技有限公司
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2013-12-01
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2015-06-03
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G02B6/125
- 本发明公开了一种平面光波导分路器波导分叉的填充方法，其特征在于包括以下步骤：101、将表面进行等离子体物理刻蚀后的晶圆放入上包层生长设备中进行上包层薄膜沉积；102、在晶圆表面生长一薄层高掺杂硼磷的二氧化硅薄膜；103、将生长完二氧化硅薄膜的晶圆放入1000-1500度高温炉中退火1-5小时；104、在晶圆表面上生长6-8微米低掺杂硼磷的二氧化硅薄膜；105、重复步骤104两次，即再生长12-16微米低掺杂硼磷的二氧硅薄膜；106、将生长完二氧化硅薄膜的晶圆放入1000-1500度高温炉中退火10-20小时后取出。本发明对平面光波导分路器的波导分叉进行有效填充，从而提高工艺稳定性和产品的合格率。
- 一种平面波导分路分叉填充方法
- [发明专利]一种二氧化硅薄膜片回收方法-CN201410276440.X在审
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吕耀安;翟继鑫
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无锡宏纳科技有限公司
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2014-06-19
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2014-09-03
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H01L21/02
- 本发明提供了一种二氧化硅薄膜片的回收方法，其包括以下步骤：1)选取做过监控工艺的二氧化硅薄膜片；2)将选取的二氧化硅薄膜片放入酸溶液中浸泡15-20分钟；3)将二氧化硅薄膜片取出后用去离子水冲洗并甩干；4)将二氧化硅薄膜片放入加温到70℃的氨水：双氧水＝4：1的溶液中，持续20-25分钟后取出；5)将二氧化硅薄膜片取出用去离子水冲洗甩干后，待用。上述回收方法采用加温后的氨水和双氧水混合溶液可以将互溶的部分腐蚀，并使残留物脱落，后经去离子水冲洗而完全去除。确保回收后的二氧化硅薄膜片无残留，提高了二氧化硅薄膜片的利用率。从而降低了在线成本，增加了在线工艺监控的效率。
- 一种二氧化硅薄膜回收方法
- [发明专利]一种干法刻蚀等离子损伤修复工艺-CN201410276251.2在审
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吕耀安;翟继鑫
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无锡宏纳科技有限公司
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2014-06-19
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2014-09-03
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H01L21/02
- 本发明提供了一种二氧化硅薄膜片的回收方法，其包括以下步骤：一种干法刻蚀等离子损伤修复工艺，其包括以下步骤：1)取经过等离子干法刻蚀后作业过的薄膜产品片；2)用氢氟酸溶液浸泡5～10分钟；3)将产品片取出后用去离子水冲洗并甩干；4)再将产品片放入通氢气的高温炉子中，加热到1000～1110℃，退火6～12小时；5)最后将产品片取出用去离子水冲洗甩干后，待用。上述干法刻蚀等离子损伤修复工艺先用氢氟酸去除表面的物理损伤薄层，再用高温下氢气电离后产生的H-去将化学损伤的化学键恢复成稳定的状态。从而增加产品的成品率，提高了产品的稳定性，降低生产成本。
- 一种刻蚀等离子损伤修复工艺
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