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[发明专利]处理装置以及温度调整方法-CN202310286515.1在审
发明人： 吉井弘治;山口达也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供能够促进处理容器的冷却的均匀化的技术。作为解决手段涉及一种处理装置，其具备：收容基板的处理容器；覆盖上述处理容器的周围，将上述处理容器所收容的上述基板进行加热的炉主体；向上述处理容器与上述炉主体之间的调温空间供给冷却用的气体的气体供给部；以及从上述调温空间排出上述气体的气体排出部。上述气体排出部在上述炉主体的侧壁沿着该炉主体的轴向的多个地方，具备排出上述调温空间的气体的多个排气孔。
处理装置以及温度调整方法

[发明专利]绝热构造体和立式热处理装置-CN201910184953.0有效
发明人： 吉井弘治;山口达也;林宽之;冈田充弘;高木聪;高桥敏彦;庄司正文;北村和也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制从晶圆处理区域向炉口部分的热移动、热传递的绝热构造体和立式热处理装置。一实施方式的绝热构造体用于立式热处理装置，该立式热处理装置具备：双层管构造的处理容器，其具有内管和上部封闭着的外管，并在下端具有开口；气体供给部和排气部，其设置于所述处理容器的下侧；盖部，其从所述开口导入和排出基板，并且能够使所述开口开闭；以及加热部，其以从外侧覆盖所述处理容器的方式设置，该立式热处理装置利用所述加热部对基所述板进行热处理，在所述绝热构造体中，该绝热构造体设置于所述内管与所述外管之间。
绝热构造立式热处理装置

[发明专利]热处理装置和温度控制方法-CN201810028997.X有效
发明人：山口达也;小原一辉;菊池康晃;吉井弘治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在短时间内收敛于规定温度的热处理装置和温度控制方法。一个实施方式的热处理装置具备：处理容器，其收纳基板；炉主体，其具有对收纳于所述处理容器中的所述基板进行加热的加热器，所述炉主体设置于所述处理容器的周围；鼓风机，其向所述处理容器与所述炉主体之间的空间供给制冷剂；以及控制部，其具有对所述鼓风机连续地通电的连续运转模式以及对所述鼓风机反复进行通电和通电停止的间歇运转模式，所述控制部基于指示电压来控制对所述鼓风机的驱动，其中，所述控制部在所述指示电压比0V大且比规定的阈值电压小的情况下，以间歇运转模式驱动所述鼓风机。
热处理装置温度控制方法

[发明专利]热电偶结构、热处理装置及热电偶结构的制造方法-CN202010908594.1在审
发明人：井上久司;小林正寿;菊池康晃;山口达也;吉井弘治;森田健介;板桥淳 -专利权人：东京毅力科创株式会社;株式会社古屋金属
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：提供一种具有多个测温部的热电偶结构，其能够实现省空间化。该热电偶结构，包括：第一热电偶线；多个第二热电偶线，与所述第一热电偶线的顶端或中间的不同位置接合，并且由与所述第一热电偶线不同的材料形成；绝缘性的覆盖部件，覆盖所述第一热电偶线和所述第二热电偶线中的至少任意一者；以及保护管，容纳所述第一热电偶线和所述第二热电偶线。
热电偶结构热处理装置制造方法

[发明专利]热处理装置和热处理方法-CN201911155129.9在审
发明人：山口达也;菊池康晃;吉井弘治;中嶋亘;马场则夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供热处理装置和热处理方法。本发明的一个方式的热处理装置包括：收纳基片的处理容器；设置于上述处理容器的周围的加热装置；对上述处理容器与上述加热装置之间的空间吹出冷却流体的多个吹出装置；和开闭件，其同时开闭上述多个吹出装置的至少2个以上，与各上述吹出装置对应地形成有隙缝。本发明中，从低温至高温的温度控制性提高。
热处理装置方法

[发明专利]成膜装置-CN201610689242.5有效
发明人：米泽雅人;三浦繁博;赤间裕之;吉井弘治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置，将基板载置于设于处理容器内的旋转台的上表面，一边使旋转台旋转一边利用加热部件加热基板，并进行预定的成膜处理，其中，该成膜装置包括：接触型的第1温度测定部件，其用于测定所述加热部件的温度；非接触型的第2温度测定部件，其用于测定被载置于所述旋转台的基板的温度；控制部件，其基于由所述第1温度测定部件测定的第1测定值和由所述第2温度测定部件测定的第2测定值中的至少任一者来对向所述加热部件供给的电力进行控制，所述控制部件在对所述基板进行预定的成膜处理的情况下和在相对于所述处理容器进行所述基板的输入或输出的情况下变更对向所述加热部件供给的电力进行控制的控制方法。
温度测定部件加热部件基板旋转台成膜处理成膜装置处理容器控制部件对向非接触型加热基板接触型上表面变更输出

[发明专利]温度测量方法和热处理装置-CN201610505674.6在审
发明人：和田祐辉;吉井弘治;小原一辉 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明提供一种温度测量方法和热处理装置。温度测量方法是利用放射温度测量部来测量半导体制造装置中的处理容器内的温度的温度测量方法，其中，该放射温度测量部检测从对象物放射的红外线来测量温度，在该温度测量方法中，利用所述放射温度测量部来检测从室温(20℃)下的电阻率为0.02Ω·cm以下的低电阻硅晶圆放射的红外线。
温度测量方法热处理装置

[发明专利]热处理装置和温度控制方法-CN201610499994.5在审
发明人：小原一辉;吉井弘治;和田祐辉;菊池仁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种热处理装置和温度控制方法。热处理装置将基板载置于设置在处理容器内的旋转台的表面，一边使旋转台旋转一边利用加热单元加热基板来进行规定的成膜处理，该热处理装置具备：接触型的第一温度测量单元，其对所述加热单元的温度进行测量；非接触型的第二温度测量单元，其在所述旋转台正在旋转的状态下对载置于所述旋转台的基板的温度进行测量；以及温度控制单元，其基于由所述第一温度测量单元测量出的第一测量值和由所述第二温度测量单元测量出的第二测量值来控制所述加热单元。
热处理装置温度控制方法

[发明专利]热处理装置、温度控制系统、热处理方法、温度控制方法-CN201210335491.6无效
发明人： 吉井弘治;山口达也;王文凌;斋藤孝规 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-09-11 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供热处理装置、温度控制系统、热处理方法、温度控制方法。热处理装置具有：处理容器；基板保持部，该基板保持部能够在处理容器内沿一个方向以规定间隔保持多个基板；加热处理容器的加热部；以及冷却部，该冷却部包括供给气体的供给部、以及沿一个方向分别设置于互不相同的位置的多个供给口，通过供给部经由各供给口向处理容器供给气体而冷却处理容器。冷却部设置为能够独立地控制供给部经由各供给口供给气体的供给流量。
热处理装置温度控制系统方法控制

[发明专利]温度控制方法、温度控制装置以及热处理装置-CN201210285464.2有效
发明人： 吉井弘治;山口达也;王文凌;斋藤孝规 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种温度控制方法、温度控制装置以及热处理装置，根据由分别设置在互不相同的位置的多个温度检测元件检测温度而得到的检测值，对包括分别设置在互不相同的位置的多个发热元件的、对被加热物进行加热的加热部中的上述发热元件的发热量进行控制，由此控制上述被加热物的温度，当上述多个温度检测元件中的某个温度检测元件发生了故障时，利用根据由除了发生故障的温度检测元件之外的温度检测元件检测出的检测值估计上述多个温度检测元件各自的温度的第一估计算法，来估计上述多个温度检测元件各自的温度，根据估计出的估计值来控制上述被加热物的温度。
温度控制方法装置以及热处理

[发明专利]热处理控制系统及热处理控制方法-CN201210088719.6无效
发明人： 吉井弘治;山口达也;王文凌;斋藤孝规 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在装载晶片时可靠地推定晶片温度来对晶片施以迅速的热处理的热处理控制系统及热处理控制方法。热处理控制系统具备：处理被保持在载体中的晶片的处理容器、密封处理容器的盖体、加热处理容器的加热器以及控制加热器的控制装置。在盖体上设置有轮廓温度传感器保持件，在该轮廓温度传感器保持件上设置有轮廓温度传感器。轮廓温度传感器与温度推定部连接，温度推定部基于轮廓温度传感器的检测信号对该轮廓温度传感器的检测信号施以一阶延迟滤波来推定晶片的温度。控制装置基于由温度推定部求出的晶片的温度来控制加热器。
热处理控制系统控制方法

[发明专利]热处理装置以及热处理方法-CN201210093660.X无效
发明人： 吉井弘治;山口达也;王文凌;斋藤孝规 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：在装载晶片时准确地推断晶片温度并迅速地对晶片实施热处理的热处理装置以及热处理方法。热处理装置(1)具备：对保持在舟皿(12)的晶片(W)进行处理的处理容器(3)、加热处理容器的加热器(18A)及控制加热器的控制装置(51)。在加热器与处理容器之间设置外部温度传感器(50)，在处理容器内设置内侧温度传感器(81)及内部轮廓温度传感器(82)，在舟皿设置轮廓温度传感器(83)。这些温度传感器与温度预测部(51A)连接，温度预测部选择任意两个温度传感器，如内侧温度传感器及轮廓温度传感器，在将来自所选的温度传感器的检测温度设为T1、T2时，根据T＝T1×(1-α)+T2×α、α＞1求出晶片温度T。
热处理装置以及方法

[发明专利]热处理装置及其控制方法-CN201210052120.7无效
发明人： 吉井弘治;山口达也;王文凌;斋藤孝规 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-01 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种热处理装置及其控制方法，在温度稳定时能够均匀地维持温度，在升温和降温时能够容易地控制。控制装置(51)能够利用控制区域的数量多的多控制区域模式(72a)以及控制区域的数量少的少控制区域模式(72b)，控制区域被分别控制。在升温和降温时利用少控制区域模式(72b)，根据来自数量少的控制区域(C1、…C5)的温度传感器(50)的信号来分别控制设置于各控制区域(C1、…C5)内的加热器(18A)。在温度稳定时利用多控制区域模式(72a)，根据来自数量多的控制区域(C1、…C10)的温度传感器(50)的信号来分别控制设置于各控制区域(C1、…C10)内的加热器(18A)。
热处理装置及其控制方法

[发明专利]纵型热处理装置-CN201110272028.7有效
发明人： 吉井弘治;山口达也;王文凌;斋藤孝规 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种使处理容器内的温度高精度地收敛到目标温度为止并且能够缩短收敛时间的纵型热处理装置。热处理装置(1)具备：炉本体(5)、设置在炉本体(5)内周面的加热器(18A)、配置在炉本体(5)内的处理容器(3)、连接在炉本体(5)的冷却介质供给鼓风机(53)和冷却介质排气鼓风机(63)、以及设置在处理容器(3)内的温度传感器(50)。来自温度传感器(50)的信号发送给控制装置(51)的加热器输出运算部(51a)以及鼓风机输出运算部(51b)。在加热器输出运算部(51a)中，根据加热器输出用数值模型(71a)以及来自温度传感器(50)的信号来求出加热器输出。在鼓风机输出运算部(51b)中，根据鼓风机输出用数值模型(71b)以及来自温度传感器(50)的信号来求出鼓风机输出。
热处理装置

[发明专利]纵型热处理装置及其控制方法-CN201110268903.4无效
发明人： 吉井弘治;山口达也;王文凌;斋藤孝规 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供一种使处理容器内的温度高精度地收敛到目标温度并且能够缩短收敛时间的纵型热处理装置及其控制方法。热处理装置(1)具备：炉本体(5)、设置在炉本体(5)内周面的加热器(18A)、配置在炉本体(5)内的处理容器(3)、连接在炉本体(5)的冷却介质供给鼓风机(53)和冷却介质排气鼓风机(63)以及设置在处理容器(3)内的温度传感器(50)。来自温度传感器(50)的信号发送给控制装置(51)的加热器输出运算部(51a)。在加热器输出运算部(51a)中，根据由设定温度决定部(51c)求出的设定温度(A)和来自温度传感器(50)的温度来求出在仅用加热器(18A)进行温度调整时的加热器输出。鼓风机输出运算部(51b)根据加热器输出来产生鼓风机输出。
热处理装置及其控制方法

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