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[发明专利]一种高性能DFB激光器外延结构及其制造方法-CN201910873700.4有效
发明人： 单智发;张永;陈阳华 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明提供一种高性能DFB激光器外延结构，包括InP衬底，所述InP衬底上从下至上依次沉积有N‑InP缓冲层，N‑AlInAs限制层、非掺杂AlGaInAs下波导层、非掺杂AlGaInAs量子阱、非掺杂AlGaInAs上波导层、非掺杂P型掺杂的AlInAs限制层、非掺杂P‑InP过渡层、非掺杂InGaAsP光栅层、非掺杂InP联接层、非掺杂第一InGaAsP势垒渐变层、非掺杂第二InGaAsP势垒过渡层及非掺杂InGaAs欧姆接触层，所述非掺杂P‑InP过渡层中插入有张应变的第一非掺杂InGaAsP异质结超晶格层和压应变的第二非掺杂InGaAsP异质结超晶格层。该DFB激光器外延结构采用后扩散工艺形成激光器P型外延层，严格定义载流子注入区，获得的DFB激光器阈值和串联电阻低，调制速率大，温度特性好，可靠性好。
一种性能 dfb 激光器外延结构及其制造方法

[发明专利]隧道级联激光器及其制备方法-CN202310750866.3在审
发明人：蒋琪泓;单智发;张永 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本申请涉及一种隧道级联激光器及其制备方法。该激光器包括：衬底；至少两个发光层，各发光层依次层叠设置在衬底上；至少一个隧道结结构层，隧道结结构层设置在相邻的任意两个发光层之间，隧道结结构层包括沿由衬底指向发光层的方向上依次层叠设置的第一导电类型的同质结结构层、第一导电类型的type‑Ⅱ型异质结结构层、第二导电类型的窄带隙type‑Ⅱ型结构层和第二导电类型的同质结结构层。从而可以在将多个发光层串联起来的同时，提高了隧道结的隧穿效率，使得串联的电阻较小，从而降低了隧道级联激光器工作时的发热量，提高了隧道级联激光器的性能。
隧道级联激光器及其制备方法

[发明专利]一种高速铝铟镓砷分布反馈式激光器外延结构生长方法-CN202110711268.6有效
发明人： 单智发;张永;陈阳华;李洪雨 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速铝铟镓砷分布反馈式激光器，其包括InP衬底，在InP衬底上依次沉积有缓冲层、光栅层、限制层、下波导层、量子阱、上波导层、限制层、腐蚀阻挡层、InP联接层、第一势垒渐变层、第二势垒渐变层和欧姆接触层，所述欧姆接触层中Zn的掺杂浓度大于等于1E20cm‑3。激光器的激光器InGaAs欧姆接触层中Zn的掺杂浓度为1E20cm‑3以上，可大幅提升高速非制冷半导体激光器的可靠性。
一种高速铝铟镓砷分布反馈激光器外延结构生长方法

[发明专利]大功率激光器外延片及其制备方法-CN202211014373.5有效
发明人： 单智发;张永;张双翔;陈阳华 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种大功率激光器外延片的制备方法，包括以下步骤：以氢气为载气，在衬底上依次生长缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱有源层以及P型上波导层，且当所述P型上波导层的掺杂浓度大于1E17cm‑3且小于5E18cm‑3时，将所述载气由氢气切换为氮气或氩气；以及以氮气或氩气为载气，在所述P型上波导层依次生长P型上限制层以及P型欧姆接触层。本发明制备的大功率激光器外延片具有较高的性能和可靠性。本发明还提供了一种由所述制备方法制备的大功率激光器外延片。
大功率激光器外延及其制备方法

[发明专利]一种电子工业废水净化系统及方法-CN202211674741.9在审
发明人：张欣元;张永;单智发 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C02F9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子工业废水净化系统，该系统主要由高浓度砷废水收集罐、低浓度砷废水收集罐、含砷废水均和池、第一序批反应釜、第二序批反应釜、自动加药系统、污泥处理系统及过滤中和系统几部分组成。该电子工业废水净化系统将不同浓度的含砷废水设置在不同的砷废水收集罐内，针对不同砷含量的废水选用不同数量的序批反应釜进行废水处理，通过多个序批反应釜串联设计分批次对废水进行处理，可有效提高废水处理效果，提高废水处理效率，满足《电子工业污染物排放标准（二次征求意见稿）》对废水的排放要求。
一种电子工业废水净化系统方法

[发明专利]掩埋异质结结构及其制备方法、激光器-CN202210163029.6有效
发明人： 单智发;张永;张双翔;陈阳华 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种掩埋异质结结构及其制备方法、激光器，包括：在P型衬底层上依次生长外延层和图形化的N型光栅层，其中，外延层包括由下至上层叠设置的P型缓冲层、P型限制层、P型波导层、量子阱有源层、N型波导层、N型限制层和N型缓冲层；在图形化的N型光栅层上依次生长光栅掩埋层、牺牲层和图形化的硬掩膜层；通过图形化的硬掩膜层刻蚀牺牲层、光栅掩埋层、图形化的N型光栅层、外延层以及P型衬底的两侧，以形成两侧的台面；在各台面上生长电流限制结构，电流限制结构用于限制漏电流；去除图形化的硬掩膜层和牺牲层；在光栅掩埋层和电流限制结构的表面依次生长联接层、势垒层和欧姆接触层，以实现低阈值的掩埋异质结结构的制备。
掩埋异质结结构及其制备方法激光器

[发明专利]一种光电探测器结构及其制备方法-CN202211025168.9在审
发明人： 单智发;张双翔;张永;陈阳华 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本申请涉及一种光电探测器结构及其制备方法。探测器结构采用外延生长方法，其中，在(AlxGay)InAs层或AlInAs层生成后的预设时长内，停止外延生长，并向生长(AlxGay)InAs层或AlInAs层的反应室内通入N型杂质，所述反应室的温度先降低再升高；第二反射层中最靠近所述吸收层的层是AlInAs层，该AlInAs层的生长温度比第二反射层中的其它层低20℃以上。本申请能够使光电探测器中的反射层具有高反射率，提高光电探测器的量子效率，同时降低光电探测器的热阻。
一种光电探测器结构及其制备方法

[发明专利]半导体激光器及其制备方法-CN202211012076.7在审
发明人： 单智发;张永;张双翔;陈阳华 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体激光器及其制备方法。半导体激光器包括：衬底；下限制层，设置在衬底上；量子阱有源层，设置在下限制层上；量子阱有源层包括AlGaInAs层；无源波导层，设置在衬底上，且至少位于量子阱有源层的出光侧；无源波导层包括非掺杂的InGaAsP层；上限制层，设置在量子阱有源层上；外限制层，设置在上限制层和无源波导层上。通过在量子阱有源层的出光侧设置包括非掺杂的InGaAsP层的无源波导层，由于InGaAsP材料不容易发生氧化，因此可以隔绝量子阱有源层和氧气，从而避免量子阱有源层发生氧化，进而提高了半导体激光器的工作寿命。综上，本发明提供的半导体激光器能够兼顾工作性能与寿命。
半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种半导体激光器及其制作方法-CN202211020024.4在审
发明人： 单智发;张永;张双翔;陈阳华 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体激光器及其制作方法，所述制作方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；所述第一表面具有多个依次排布的器件区；相邻两个所述器件区之间具有隔离区；在所述隔离区的表面内形成深沟槽；在所述器件区的表面上形成外延层，基于所述深沟槽导致的外延生长速率不同，使得所述外延层位于所述器件区中间区域的部分与靠近所述深沟槽的边缘部分外延材料组分不同，且厚度不同，以形成非吸收窗口结构，在所述外延层上形成所述非吸收窗口层，减小了激光器的光学灾变损伤，且采用深沟槽的方式生长所述外延层，无介质膜影响量子阱生长质量，工艺简单可靠，成本低，从而有利于提高生长的外延层的质量。
一种半导体激光器及其制作方法

[发明专利]半导体激光器及其制备方法-CN202211029678.3在审
发明人： 单智发;张永;方天足;张双翔;陈阳华 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体激光器及其制备方法。半导体激光器包括：衬底，衬底的底面上设置有间隔排布的多个凹槽，各凹槽内填充有导热结构；第一导电层，设置在衬底的顶面上，其中，底面和顶面相对；有源层，设置在第一导电层上；第二导电层，设置在有源层上，其中，第一导电层和第二导电层中掺杂的半导体的类型不同。通过凹槽使得衬底的散热性能更好，通过设置导热结构进行引热，将衬底内的热量导出，并且导热结构是填充在间隔排布的多个凹槽内的，从而能够使得器件的散热更加均匀，使得器件的各部分温度均匀，避免器件的局部温度过高。
半导体激光器及其制备方法

[发明专利]光电探测器结构的制备方法-CN202210910685.8在审
发明人：陈阳华;张永;单智发 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电探测器结构的制备方法。光电探测器结构的制备方法包括：给定一衬底，在衬底上形成第一欧姆接触层；于第一欧姆接触层的表面形成绝缘层，并于绝缘层内形成开孔，开孔暴露出部分第一欧姆接触层的表面；采用外延生长工艺于开孔内形成依次叠置的过渡层、吸收层和本征欧姆接触层，过渡层的厚度小于开孔的深度，且过渡层的侧壁及吸收层的侧壁均与开孔的侧壁相接触；对本征欧姆接触层进行掺杂扩散，以形成掺杂的第二欧姆接触层。外延生长出的过渡层和吸收层的侧壁平整度可达到原子级，显著减低器件暗电流，提高器件灵敏度，降低侧壁漏电；过渡层、吸收层和本征欧姆接触层可以帮助消除漏电的发生。
光电探测器结构制备方法

[发明专利]一种低损耗DFB激光器及其制造方法-CN202210904506.X在审
发明人： 单智发;张永;张双翔;陈阳华 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种低损耗DFB激光器，该低损耗DFB激光器的外延结构上生长两层P‑AlGaInAs外延层，并通过芯片工艺氧化，形成P‑AlGaInAs氧化限制层，采用这种结构可使脊条的宽度较宽，可降低DFB激光器的欧姆接触电阻，采用氧化限制层调节可DFB激光器的光场宽度，同时利用氧化限制层折射率较低的特性，可压缩DFB激光器光场模式，降低光场在P‑InP脊波导中的比例，降低光吸收损耗。
一种损耗 dfb 激光器及其制造方法

[发明专利]光电探测器的制备方法及光电探测器-CN202211069833.4在审
发明人： 单智发;张永;方天足;陈阳华;张双翔 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请涉及一种光电探测器的制备方法及光电探测器，该方法包括：提供磷化铟衬底；在磷化铟衬底上表面依次生长出层叠的N型磷化铟缓冲层、N型磷化铟下欧姆接触层、铟镓砷磷过渡层、本征砷化铟镓吸收层和磷化铟窗口层；在磷化铟窗口层远离磷化铟衬底的表面渐变生长P型砷化铟镓上欧姆接触层，其中，P型砷化铟镓上欧姆接触层包括依次层叠设置的高速生长层、低速生长层和中速生长层，高速生长层的生长速率大于中速生长层的生长速率，中速生长层的生长速率大于低速生长层的生长速率。通过高速生长的方式降低InP和P‑InGaAs的反应时间，有效限制了在InP、P‑InGaAs之间形成InGaAsP材料。
光电探测器制备方法

[发明专利]一种BH激光器MESA台面的制备方法-CN202011591704.2有效
发明人：张鹏;张永;单智发;陈阳华 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种BH激光器MESA台面的制备方法，其包括如下步骤：1）SIO2掩盖层生长，利用PEALD生长SIO2掩蔽膜；2）MESA光刻；3）SIO2掩盖层蚀刻；4）MESA腐蚀；5）二次外延。该BH激光器MESA台面的制备方法采用PEALD（等离子增强型原子层沉积）生长的SIO2膜层，为原子层面的沉积，相对PECVD生长，膜层更致密，无针孔，其膜层与基片表面粘附性极强，50~100nm膜厚就能满足二次外延的需求，且生长时应力较小，二次外延生长的掩埋层更均匀。
一种 bh 激光器 mesa 台面制备方法

[发明专利]一种高速光电探测器结构及其制造方法-CN202011590102.5有效
发明人：陈阳华;张永;单智发;方天足 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速光电探测器结构，其外延片包括InP衬底，及在InP衬底上由下至上依次生长的下欧姆接触层、下窗口层、吸收层、上窗口层、上欧姆接触层，所述外延片设置为台面结构，所述台面结构的一个侧面为光入射面，所述入射面上设有减反射膜，远离所述减反射膜的另一个侧面为光反射面，所述光反射面上设有高反射膜。本发明光探测器的光入射方向和漂移电场方向相垂直，吸收层0.1~3um，载流子的漂移快，带宽高；本发明在提高内量子效率的同时，进一步缩小器件尺寸，提高器件带宽，平衡整个吸收层的光电流均匀分布，避免因吸收层光吸收不均，局域光电流饱和造成信号非线性失真问题。
一种高速光电探测器结构及其制造方法

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