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[发明专利]一种发光二极管及其制造方法-CN201710522326.4有效
发明人：姚振;从颖;胡加辉;李鹏 -专利权人： 华灿光电(苏州)有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管的电子阻挡层由三个子层组成，三个子层包括依次生长的第一子层、第二子层和第三子层，第一子层由n+1个周期的AlGaN/InGaN超晶格组成，第二子层由n个周期的AlGaN/InGaN超晶格组成，第三子层由n‑1个周期的AlGaN/InGaN超晶格组成，第一子层、第二子层和第三子层中的InGaN层中均掺杂有Mg，3≤n≤6。本发明通过将电子阻挡层分成三个掺杂不同的相同结构的超晶格子层，形成三段阻挡层，尽可能的减少电子泄露到P层导致非辐射复合的发生。且该三个子层的每一子层的超晶格的周期数是按照1逐渐减少，可以更好的阻挡电子，同时又不会较多的阻挡空穴，进而提高发光二极管晶体的发光效率。
一种发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管外延片的制造方法-CN201710212677.5有效
发明人：胡任浩;郭炳磊;胡加辉;李鹏 -专利权人： 华灿光电(苏州)有限公司
申请日： 2017-04-01 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。包括：在图形化蓝宝石衬底上生长低温二维层；控制生长温度为1050℃～1100℃，生长压力为300torr～600torr，在低温二维层上生长高温高压三维层；控制生长温度为1000℃～1050℃，生长压力为100torr～300torr，在高温高压三维层上生长低温低压三维层，低温低压三维层的生长压力低于高温高压三维层的生长压力；在低温低压三维层上依次生长未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层。本发明利用高温高压三维层快速填平图形化蓝宝石衬底的表面图形之间的空间，最终提高发光二极管的抗静电能力。
一种发光二极管外延制造方法

[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法-CN201910802514.1在审
发明人：肖和平;王晓彬;张强 -专利权人： 华灿光电(苏州)有限公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括硅基板、键合层、金属反射层、透明导电层、填充层、电流阻挡层、窗口层、P型限制层、有源层、N型限制层和电极；所述硅基板、所述键合层、所述金属反射层、所述透明导电层、所述填充层、所述窗口层、所述P型限制层、所述有源层、所述N型限制层和所述电极依次层叠设置，所述填充层内设有多个从所述透明导电层延伸至所述窗口层的通孔，所述电流阻挡层设置在所述通孔内；所述电流阻挡层的材料为二氟化镁，所述填充层和所述透明导电层的材料为氧化铟锡、氧化钨、掺钨的氧化铟锡中的一种。本发明可以提高红光LED芯片的正面出光效率。
透明导电层填充层电流阻挡层窗口层发光二极管芯片金属反射层氧化铟锡硅基板键合层电极通孔源层半导体技术领域正面出光效率红光LED芯片依次层叠氟化镁氧化钨延伸制作

[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法-CN201710299881.5有效
发明人：张宇;马欢;肖云飞 -专利权人： 华灿光电(苏州)有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子技术领域。该外延片包括衬底和依次层叠在衬底上的缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、发光层、电子阻挡层、p型GaN层、Mg
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法-CN201711479739.5有效
发明人：郭炳磊;王群;李鹏 -专利权人： 华灿光电(苏州)有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片的制备方法，属于半导体技术领域。包括：提供一衬底；在衬底上生长原子极化调整层，原子极化调整层是由金属元素和氮元素形成的化合物，金属元素包括铝和镓中的至少一个，原子极化调整层与设置在衬底上的表面相反的表面为氮极性表面；在原子极化调整层上依次生长氮化镓缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层。本发明通过原子极化调整层释放衬底和氮化镓之间晶格失配产生的应力，抑制衬底和氮化镓之间晶格失配产生的位错和缺陷延伸到多量子阱层，从而提高多量子阱层的生长质量，避免极化效应，提高发光二极管的发光效率。
原子极化调整层衬底多量子阱层金属元素晶格失配氮化镓生长半导体技术领域发光二极管外延未掺杂氮化镓层氮化镓缓冲层电子阻挡层发光二极管发光效率极化效应氮极性氮元素位错制备释放延伸

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法-CN201810089267.0有效
发明人：蒋媛媛;李昱桦;胡加辉 -专利权人： 华灿光电(苏州)有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括电子阻挡层，电子阻挡层为包括N个周期的超晶格结构，每个周期的超晶格结构均包括In
空穴发光二极管外延超晶格结构电子阻挡层多量子阱层阻挡溢流半导体技术领域二极管发光效率复合发光逐渐降低激活能外延片生长减小晶格势垒制造升高

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法-CN201711479868.4有效
发明人：丁涛;韦春余;周飚;胡加辉;李鹏 -专利权人： 华灿光电(苏州)有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。氮化镓基发光二极管外延片还包括设置在AlN缓冲层和未掺杂的GaN层之间的插入层，插入层的生长温度为300～600℃；插入层为AlGaN/GaN结构，或者N个周期的AlGaN/GaN超晶格结构，2≤N≤20且N为整数。AlGaN子层的生长温度较低，所形成的晶粒越小且越密集，这些晶粒会拉伸形变使得间隙闭合，降低表面能，产生张应力，促使外延片向变凹的方向发展，从而改善外延片的翘曲。由于低温生长的AlGaN子层晶体质量不佳，故引入GaN子层可以湮灭大量的位错，提高外延片底层的晶体质量。
外延片氮化镓基发光二极管插入层子层晶粒半导体技术领域低温生长拉伸形变闭合表面能未掺杂张应力生长翘曲位错制造引入

[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法-CN201811119425.9有效
发明人：丁涛;韦春余;周飚;胡加辉;李鹏 -专利权人： 华灿光电(苏州)有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。将AlN层设置为包括AlN底层结构与设置在AlN底层结构上的多个锥状结构，AlN层中的锥状结构的侧壁会对N型GaN层中的位错进行阻挡，减少能够移动至锥形结构之上生长的N型GaN层的位错的数量，保证在锥形结构之上生长的N型GaN层质量，进而提高在N型GaN层上生长的外延薄膜的晶体质量，最终提高发光二极管的发光效率。
发光二极管底层结构锥形结构锥状结构外延片位错制备生长发光效率外延薄膜侧壁阻挡移动制造保证

[实用新型]发光二极管芯片、发光二极管-CN201920414258.4有效
发明人：尹灵峰;吴志浩;高艳龙;魏柏林;王江波 -专利权人： 华灿光电(苏州)有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发光二极管芯片、发光二极管，属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括衬底、未掺杂半导体层、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极和隔水层，未掺杂半导体层、N型半导体层、有源层、P型半导体层依次层叠在衬底上，P型半导体层的第一边缘区域设有延伸至N型半导体层的第一凹槽，N型电极设置在第一凹槽内的N型半导体层上，P型电极设置在P型半导体层的非边缘区域上，P型半导体层的第二边缘区域设有至少延伸至未掺杂半导体层的第二凹槽，隔水层至少铺设在第二凹槽的底面上。本实用新型可以有效避免P型半导体层正下方的N型半导体层被腐蚀，大大改善发光二极管芯片的腐蚀情况。
发光二极管芯片未掺杂半导体层本实用新型衬底源层半导体技术领域第二边缘区域第一边缘区域腐蚀发光二极管非边缘区域依次层叠延伸铺设

[发明专利]发光二极管外延片的制备方法-CN201910604905.2在审
发明人：从颖;姚振;胡加辉;李鹏 -专利权人： 华灿光电(苏州)有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管制作领域。在多量子阱层的InGaN阱层与GaN垒层之间插入包括n个子层的GaN插入层。并控制GaN插入层中与InGaN阱层相接的一个子层的生长温度大于或等于InGaN阱层的生长温度，与GaN垒层相接的一个子层的生长温度小于GaN垒层的生长温度，低温可避免GaN插入层在InGaN阱层上生长时，InGaN阱层的表面出现较大的In析出现象，InGaN阱层中In的留存较为均匀，InGaN阱层中In的留存与分布较为均匀，二极管的发光均匀度有提高。析出的In进入GaN插入层而不是GaN垒层，可提高GaN垒层的质量。n个子层的生长温度沿n个子层的层叠方向逐渐升高，最后发光二极管的整体质量仍较好，发光二极管整体发光均匀度得到提高。
垒层插入层生长发光二极管发光均匀度析出子层发光二极管外延多量子阱层层叠方向二极管制备升高制作

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法-CN201710520204.1有效
发明人：金雅馨;万林;胡加辉 -专利权人： 华灿光电(苏州)有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型氮化镓层和改善层，改善层插入在N型氮化镓层中，改善层包括依次层叠的多个子层，每个子层包括依次层叠的Al_xGa_1‑xN层、SiN层和In_yGa_1‑yN层，0＜x≤1，0＜y≤1。本发明通过在N型氮化镓层中插入Al_xGa_1‑xN层、SiN层和In_yGa_1‑yN层组成的超晶格结构，插入的超晶格结构能够有效抑制蓝宝石衬底与氮化镓材料之间晶格失配产生的缺陷延伸至多量子阱层，降低位错密度，释放应力，改善外延片的晶体质量，提高LED的发光效率。
一种发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]一种高压发光二极管芯片及其制作方法-CN201710574349.X有效
发明人：兰叶;顾小云;徐瑾;吴志浩;王江波;刘榕 -专利权人： 华灿光电(苏州)有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。芯片包括多个子芯片，每个子芯片包括N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流阻挡层、透明导电层和P型电极线，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的第一凹槽，N型半导体上设有延伸至衬底的第二凹槽；一个P型半导体层上设有P型焊盘，一个N型半导体层上设有N型焊盘，其它N型半导体层上设有N型电极线；第二凹槽内设有第一电极线，在没有设置P型焊盘的子芯片中，P型电极线由第二电极线组成，在设有N型电极线的子芯片中，N型电极线由第三电极线组成，第二电极线和第三电极线分别第一电极线连接。本发明在略微改善芯片电压的情况下提高了芯片的发光亮度。
一种高压发光二极管芯片及其制作方法

[发明专利]一种发光二极管及其制造方法-CN201710521790.1有效
发明人：姚振;从颖;胡加辉;李鹏 -专利权人： 华灿光电(苏州)有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管的MQW层由三个子层组成，三个子层包括依次生长的第一子层、第二子层和第三子层，每个子层均为量子阱层和量子垒层交替生长的层叠结构，量子垒层中掺有Si元素，第三子层中的量子垒层中的Si的掺杂浓度大于第一子层中的量子垒层中的Si的掺杂浓度，第一子层中的量子垒层中的Si的掺杂浓度大于第二子层中的量子垒层中的Si的掺杂浓度。本发明将第二子层的Si的掺杂浓度设为最低以形成“凹型”掺杂形式，第二子层即作为电子临时的储存区域，第二子层与第一子层和第三子层之间会形成较优的电流扩展，从而有效降低电压，提高LED发光效率。
一种发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法-CN201710520222.X在审
发明人：胡任浩;周飚;胡加辉;李鹏 -专利权人： 华灿光电(苏州)有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型氮化镓层和N型接触层。本发明通过在P型氮化镓层上层叠N型接触层，能够掺入N型接触层的N型掺杂剂较多，N型掺杂剂的活化率也较高，N型接触层中提供的电子数量远多于P型接触层中提供的空穴数量，接触层中将P型电极注入的电流传递到P型氮化镓层的载流子数量大大增加，接触层的电阻大大减小，在注入电流不变的情况下，LED的工作电压大幅降低，LED的光效提高；同时产生的热量减少，对LED封装材料的要求降低，生产成本得以降低。
一种发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法-CN201710289736.9在审
发明人：张宇;马欢;肖云飞 -专利权人： 华灿光电(苏州)有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子技术领域。该外延片包括衬底和依次层叠在衬底上的缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、发光层、增透层、电子阻挡层和p型GaN层，增透层包括层叠设置在发光层上的一层InN层和一层Mg3N2层，或者增透层包括交替层叠设置的多层InN层和多层Mg3N2层，由于InN材料和Mg3N2材料具有表面粗糙的特性，因此光线会在InN层和Mg3N2层的界面处进行漫反射，减少光线在增透层和电子阻挡层的界面处发生全反射的光的比例，同时不需要对电子阻挡层进行粗化处理，避免了对电子阻挡层进行粗化处理过程复杂，容易出现电子阻挡层表面的颗粒过大、粗化不均匀的问题。
一种发光二极管外延及其制备方法

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