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[发明专利]显示装置及显示装置的制造方法-CN202180088002.9在审
发明人： 北川真;佐久间惇;沈韵婷 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10K59/121 文献下载
摘要：一种显示装置，具备设有多个像素的显示区域和包围上述显示区域的边框区域，还具备：薄膜晶体管层；以及发光元件层，其形成有各自包括第一电极、功能层及第二电极且发光色相互不同的多个发光元件，在上述功能层中包括发光层和一对保持层，该一对保持层以夹着上述发光层的方式设置，并且分别包括感光性材料及导电体纳米粒子。
显示装置制造方法

[发明专利]显示装置的制造方法-CN202080107366.2在审
发明人：佐久间惇;浅冈康;北川真 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：一种显示装置的制造方法，包括：a)准备具备电极和其它电极的基板；b)在所述基板之上形成感光性树脂材料层；c)在所述基板之上形成电荷输送材料层和发光材料层；以及d)通过使在所述电极的至少一部分之上形成的所述感光性树脂材料层、所述电荷输送材料层和所述发光材料层的非剥离部分不剥离而残留，使在所述其它电极的至少一部分之上形成的所述感光性树脂材料层、所述电荷输送材料层和所述发光材料层的剥离部分被剥离，从而将所述感光性树脂材料层、所述电荷输送材料层和所述发光材料层分别图案化为感光性树脂层、电荷输送层和发光层。
显示装置制造方法

[发明专利]显示装置-CN201910270685.4有效
发明人： 北川真;藤本英树;西原雄祐 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：一种显示装置，在β(A‑B)为正的情况下，在驱动期间中发生瞬间性的亮度下降，在β(A‑B)为负的情况下发生瞬间性的亮度上升。当由于构成像素形成部(70)的取向膜(72)的时间常数与液晶材料的时间常数的平衡而在休止期间中亮度上升的情况下，对本像素的寄生电容(Csd(A))和相邻像素的寄生电容(Csd(B))进行调整，以使β(A‑B)成为负值。
显示装置

[发明专利]存储器设备、存储器系统和存储器控制方法-CN201680022987.4有效
发明人：寺田晴彦;森阳太郎;北川真 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-03-29 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：根据本技术的一个实施例的存储器设备包括：以矩阵布置的多个存储器单元；多条行布线，连接到每个存储器单元的一端；多条列布线，连接到每个存储器单元的另一端；第一解码器电路，连接到偶数行的每一条行布线；第二解码器电路，连接到奇数行的每一条行布线；第三解码器电路，连接到偶数列的每一条列布线；以及第四解码器电路，连接到奇数列的每一条列布线。第一解码器电路、第二解码器电路第三解码器电路和第四解码器电路由相互独立的电路构成。
存储器设备系统控制方法

[发明专利]具有分布式替换字线的存储器-CN201580052543.0有效
发明人： 北川真;Y·卢瑟拉 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：存储器包括散布在多条字线之间的多条替换字线。存储器还包括字线控制电路，该字线控制电路被配置为基于多条字线中的字线的位置向不同的字线施加不同的电压，并且用替换字线替换多条字线中的有缺陷字线。
具有分布式替换存储器

[发明专利]具有非易失性存储器压力抑制的集成电路系统及制造方法-CN201710037064.2有效
发明人： 北川真;对马朋人;大塚渉;囯广恭史 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本公开内容涉及具有非易失性存储器压力抑制的集成电路系统及制造方法。一种集成电路系统及其制造方法，包括：集成电路管芯；集成电路管芯中的非易失性存储器单元，所述非易失性存储器单元具有用于读取该非易失性存储器单元的数据条件状态的位线；以及集成电路管芯中的电压箝，所述电压箝具有连接到所述位线的、用于减小所述位线上的电压偏移的半导体开关。
具有非易失性存储器压力抑制集成电路系统制造方法

[发明专利]非易失性存储装置-CN201580057404.7有效
发明人：森阳太郎;北川真 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明的非易失性存储装置包括：多条位线；多条字线；存储单元阵列，其具有多个存储单元，各个所述存储单元包括非易失性存储元件，并且多个所述存储单元分别被布置在所述多条位线与所述多条字线的多个交叉部处；基准电压生成电路，其生成读出基准电压，所述读出基准电压充当用于判别存储于所述存储单元上的数据值的基准；读出电路，其在电流限制型预定读出用电流被施加至所述位线的状态下检测来自所述存储单元的读出电压的相对于所述读出基准电压的值，由此读取存储于所述存储单元上的所述数据值；以及地址补偿电路，其根据所述多个存储单元之中的将要在所述读出电路中被读取的所述存储单元的安置位置来改变所述读出基准电压。
非易失性存储装置

[发明专利]存储单元部件阵列-CN201580049869.8有效
发明人：寺田晴彦;北川真 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：在根据本发明的存储单元部件阵列中，包括第一配线31、第二配线和非易失性存储单元的存储单元部件10在第一方向和第二方向上以二维矩阵形式布置，每个存储单元部件中在其下方设置有控制电路，控制电路由第一控制电路50和第二控制电路60构成，第二配线连接到第二控制电路60，构成存储单元部件的第一配线31中的一部分连接到构成相同存储单元部件的第一控制电路50，第一配线31中的其余配线连接到构成在第一方向上相邻的相邻存储单元部件的第一控制电路50。
存储单元部件阵列

[发明专利]存储器装置和控制存储器装置的方法-CN201880031274.3在审
发明人：森阳太郎;北川真;奥野润;寺田晴彦 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：根据一个实施例的存储器器件包括存储器单元。该存储器单元包括：可变电阻元件和选择元件，所述可变电阻元件的电阻状态在第一电阻状态和第二电阻状态之间改变。存储器器件还提供有驱动电路，该驱动电路通过改变可变电阻元件的状态来将数据写入存储器单元以及从存储器单元擦除数据。当擦除数据时，驱动电路以步进的方式改变施加到存储器单元的电压，并且以步进的方式改变电流限制值，该电流限制值限制流入存储器单元的电流的大小。
存储器单元可变电阻元件电阻状态驱动电路存储器器件擦除数据电流限制步进数据写入存储器选择元件施加

[发明专利]存储器装置-CN201880020150.5在审
发明人： 北川真;柴原祯之;寺田晴彦;森阳太郎 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：按照本公开的一个实施例的存储器装置包含存储器单元阵列，所述存储器单元阵列被构成为以致当在多个存储器单元之中，其对应的第四配线和第一配线彼此不同的多个第一存储器单元同时被访问时，允许对多个第一存储器单元的同时访问，而与相对于各个所述第一存储器单元的公共第四配线对应的存储器单元不被同时访问。
存储器单元配线存储器单元阵列存储器装置访问

[发明专利]存储设备-CN201880018693.3在审
发明人：寺田晴彦;北川真;柴原祯之;森阳太郎 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开的存储设备具有：多个第一布线，在第一方向上延伸并包括多个第一选择线和多个第二选择线；多个第二布线，在第二方向上延伸并包括多个第三选择线和多个第四选择线，所述第二方向与所述第一方向交叉；多个第一存储器单元；第一驱动部，包括基于第一选择控制信号驱动多个第一选择线的第一选择线驱动部以及基于第一选择控制信号驱动多个第二选择线的第二选择线驱动部，其中第一和第二选择线驱动部在第一方向上相邻地设置；和第二驱动部，包括基于第二选择控制信号驱动多个第三选择线的第三选择线驱动部以及基于第二选择控制信号驱动多个第四选择线的第四选择线驱动部，其中第三和第四选择线驱动部在第二方向上相邻地设置。
选择线驱动选择控制信号存储设备布线存储器单元方向交叉延伸

[发明专利]存储器装置及存储器操作方法-CN201480032104.9有效
发明人：大塚涉;国广贵史;对马朋人;北川真;角野润 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明描述存储器装置及存储器操作方法。一个实例存储器系统包含共同导体及与所述共同导体耦合的多个存储器单元。所述存储器系统此外包含存取电路，所述存取电路经配置以在第一时刻与第二时刻之间的多个不同时刻将所述存储器单元的不同者提供到多个不同存储器状态中的一者中。所述存取电路经进一步配置以在所述第一时刻与所述第二时刻之间将所述共同导体维持在对应于所述一个存储器状态的电压电势处以将所述存储器单元提供到所述一个存储器状态中。
存储器装置操作方法

[发明专利]液晶显示装置-CN201811061159.9在审
发明人：藤本英树;北川真;西原雄祐;桥本义人 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶显示装置，其共用电极以分割为与在某个帧期间施加正极性的视频信号的像素电极对应的奇数列用的共用电极、和与在某个帧期间施加负极性的视频信号的像素电极对应的偶数列用的共用电极的方式设置。共用电极驱动器以能够分别独立地对奇数列用的共用电极与偶数列用的共用电极施加电压的方式构成。
共用电极液晶显示装置视频信号像素电极偶数列奇数列帧期间驱动器施加方式设置施加电压负极性正极性分割

[发明专利]具有可变调整参数的存储器设备-CN201811240809.6在审
发明人： 北川真;囯广恭史;大塚涉;对马朋人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： G11C16/20 文献下载
摘要：本发明涉及具有可变调整参数的存储器设备。所述存储器设备包括包含多个存储器单元的存储器阵列、耦接到所述存储器阵列的两个或更多个熔丝，其中所述两个或更多个熔丝的每一个包含用于所述存储器阵列的调整数据和用于选择两个或多个熔丝中的要启动的一个熔丝的模式寄存器。
熔丝存储器设备存储器阵列可变调整存储器单元模式寄存器调整数据

[发明专利]具有可变调整参数的存储器设备-CN201510065492.7有效
发明人： 北川真;囯广恭史;大塚涉;对马朋人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明涉及具有可变调整参数的存储器设备。所述存储器设备包括包含多个存储器单元的存储器阵列、耦接到所述存储器阵列的两个或更多个熔丝，其中所述两个或更多个熔丝的每一个包含用于所述存储器阵列的调整数据和用于选择两个或多个熔丝中的要启动的一个熔丝的模式寄存器。
具有可变调整参数存储器设备

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