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[发明专利]用于半导体工件的热处理装置和温度调控方法-CN202310763577.7在审
发明人：王文岩;李冬建;冀建民;赵亮 -专利权人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于半导体工件的热处理装置和温度调控方法。所述热处理装置包括一个或多个加热元件；包含三个或更多个第一窗口的第一盖板；包含两个或更多个第二窗口的第二盖板，所述第二窗口对2.7微米波长的辐射是透过性的；位于所述第一盖板和第二盖板之间的工件支撑元件；温度测量组件，包括一个红外发射器、连续的至少两个红外反射传感器和至少两个红外透射传感器；所述三个或更多个第一窗口中的中间位置的第一窗口面向第二盖板的表面具有反射透射涂层。本发明的热处理装置可精确测量半导体工件表面的温度，并能对半导体工件表面的不同位点进行独立的温度控制，提高控温精度，使得温度控制偏差在±1℃以内。
用于半导体工件热处理装置温度调控方法

[发明专利]用于等离子体处理装置的静电卡盘组件-CN202180088643.4在审
发明人：龙茂林 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电卡盘，包括工件支撑表面、夹持层、加热层、热控制系统和密封带。该密封带围绕静电卡盘的外周边，该外周边包括至少一部分的工件表面。该密封带具有大于约3毫米(mm)至约10mm的宽度。本发明还提供了包含上述静电卡盘的等离子处理装置和系统。
用于等离子体处理装置静电卡盘组件

[发明专利]具有热处理系统的工件处理装置-CN202180087870.5在审
发明人：罗尔夫·布雷门斯多夫;迪特尔·赫兹勒 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：展示了一种用于工件热处理的处理装置。所述处理装置包括处理腔、设置在处理腔内的工件支撑件、配置为从处理腔的第一侧向处理腔内流入一种或多种工艺气体的气体传输系统、设置在处理腔第二侧的一个或多个辐射热源、设置在工件支撑件和所述一个或多个辐射热源之间的一个或多个介电窗、配置为旋转所述一个或多个辐射热源的旋转系统和配置在温度测量波长范围内来获得指示工件背面温度测量值的工件温度测量系统。
具有热处理系统工件处理装置

[发明专利]具有气体喷头组件的工件处理装置-CN202180085527.7在审
发明人：杨晓晅;杨芸;曼努埃尔·森;斯克·哈姆;亚历克斯·旺斯德勒;迪特·赫茲勒;罗尔夫·布雷门斯多夫 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提出了用于工件的热处理的处理装置。处理装置包括：处理腔室；工件支撑件，被设置在处理腔室内；气体输送系统；以及辐射热源，用于加热工件。气体输送系统包括气体喷头组件，气体喷头组件对从一个或多个辐射热源发射的电磁辐射是透过的。气体喷头组件包括一个或多个气体扩散机构，以在外壳内分配气体。
具有气体喷头组件工件处理装置

[发明专利]用于等离子体处理装置的感应线圈组件-CN202180087477.6在审
发明人：龙茂林;官宇 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：公开了包括两个感应线圈的感应线圈组件。每个感应线圈包括第一绕组和第二绕组，第一绕组从在z方向上的第一位置的第一端子端开始过渡到在与z方向正交的平面中的径向内部位置，第二绕组从径向内部位置开始过渡到在与z方向正交的第二平面中的径向外部位置、并终止于第二端子端。还提供了结合感应线圈组件的等离子体处理装置。
用于等离子体处理装置感应线圈组件

[发明专利]提高控温准确性的方法、复合涂层和热处理反应装置-CN202310531037.6在审
发明人：薛俊辉;冀建民;李海卫;刘春峰 -专利权人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高热处理控温准确性的方法、复合涂层和热处理反应装置。所述方法包括在热处理反应装置的一个或多个部件表面涂覆复合涂层；其中涂覆所述复合涂层包括在所述部件表面上涂覆第一涂层，以及在所述第一涂层上涂覆第二涂层。本发明的方法通过在热处理反应装置的部件表面涂覆复合涂层，使得在500℃以上的温区内快速升温或快速降温的时间偏差在0.01s以内，温度偏差在3℃以内。
提高准确性方法复合涂层热处理反应装置

[发明专利]反应腔室及氧化设备-CN202310659848.4在审
发明人：冀建民;李海卫;苏文学 -专利权人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开提供了一种反应腔室及氧化设备，具体包括腔室本体和导流管。腔室本体的内部设有载片台，载片台形成有用于容置晶圆的反应区域，反应区域的顶面不低于晶圆的顶面。腔室本体的侧壁设有开孔。导流管设于腔室本体的内部，导流管包括管体，管体的进气口与开孔连通，管体的出气口朝向反应区域延伸设置，出气口用于将等离子体输送至反应区域的顶面。根据本公开的方案，由于在开孔和载片台之间设置了导流管，因此可以使通过开孔进入腔室本体的内部的等离子体，经由导流管的输送会聚至晶圆的顶面，避免等离子体向晶圆顶面以外的区域扩散，提高了晶圆顶面的等离子体浓度，从而提升了晶圆的顶面生成二氧化硅的生长速率及所生成二氧化硅的质量。
反应氧化设备

[发明专利]具有真空退火反射器控制的工件处理装置-CN202180085640.5在审
发明人：杨晓晅;曼努埃尔·森;罗尔夫·布雷门斯多夫 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了工件处理装置。工件处理装置可以包括处理腔室和被设置在处理腔室内的工件支撑件上的工件。工件处理装置可以包括：气体输送系统；和一个或多个排气口，一个或多个排气口用于从处理腔室中移除气体，使得可以维持真空压力。工件处理装置可以包括辐射加热源，辐射加热源被配置为加热工件。工件处理装置还可以包括多个反射器。工件处理装置可以包括控制系统，控制系统被配置为控制反射器的一个或多个位置。
具有真空退火反射控制工件处理装置

[发明专利]具有热处理系统的工件处理装置-CN202180083810.6在审
发明人：曼努埃尔·森;亚历克斯·旺斯德勒;迪特·赫茲勒;约瑟夫·西贝雷;罗尔夫·布雷门斯多夫;马丁·扎克;彼得·莱姆贝西斯;杨晓晅 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提出了用于工件的热处理的处理装置。处理装置包括：处理腔室；工件支撑件，被设置在处理腔室内；旋转系统，被配置为旋转工件支撑件；气体输送系统，被配置为使一种或多种工艺气体从处理腔室的第一侧流入处理腔室中；一个或多个排气口，用于从处理腔室中移除气体，使得能够维持真空压力；一个或多个辐射加热源，被设置在处理腔室的第二侧上；一个或多个介电窗口，被设置在工件支撑件和一个或多个辐射加热源之间；以及工件温度测量系统，被配置为在温度测量波长范围下获得指示工件的背侧的温度的测量。
具有热处理系统工件处理装置

[发明专利]用于半导体工件的热处理装置和精确测温方法-CN202310762006.1在审
发明人：王文岩;冀建民;李文艺 -专利权人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于半导体工件的热处理装置和精确测温方法。所述热处理装置包括一个或多个加热元件；上盖板和下盖板；反应腔室，由上盖板、下盖板和反应腔室主体限定；工件支撑元件；位于上盖板一端的红外发射器；位于上盖板另一端的红外反射传感器，和位于下盖板另一端的红外透射传感器；红外发射器和红外反射传感器位于上盖板面向反应腔室的一侧，红外透射传感器位于下盖板面向反应腔室的一侧；且红外发射器位于反应腔室主体一端的侧壁上，红外反射传感器和红外透射传感器位于反应腔室主体另一端的侧壁上。本发明的热处理装置可精确测量半导体工件表面的温度，并能对半导体工件表面的不同位点进行独立的温度控制，提高控温精度。
用于半导体工件热处理装置精确测温方法

[发明专利]使用氟碳等离子体的工件的加工-CN202180031744.8有效
发明人：王善禹;C·闫 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：提供了用于加工工件的方法。提供了在工件上执行热处理。工件包含至少一层金属。该方法可以包括：从工艺气体生成一种或多种物质。工艺气体可以包括氢气或氘气。该方法可以包括过滤一种或多种物质，以产生经过滤的混合物，并将工件暴露于经过滤的混合物。提供了在工件上的氧化工艺。该方法可以在低于350℃的工艺温度下执行。
使用等离子体工件加工

[发明专利]盖合结构、盖合方法以及包括盖合结构的半导体设备-CN202211669626.2在审
发明人：张新云;管长乐 -专利权人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开提供了一种盖合结构、盖合方法以及包括盖合结构的半导体设备，该盖合结构包括：升降模块，配置为带动盖体沿第一腔体的高度方向移动，以及滑动模块，与升降模块固定连接，并与盖体接触，滑动模块配置为带动盖体沿第一腔体的第一宽度方向滑动。根据本公开的盖合结构，能够提高半导体设备的盖体和第一腔体的盖合精准度以及在打开盖体之后可便于对第一腔体内部进行操作。
结构方法以及包括半导体设备

[发明专利]具有等离子体处理系统和热处理系统的工件处理装置-CN202011464458.4有效
发明人： D·德赛;P·莱姆贝西斯;A·旺斯德勒;D·赫兹勒;J·锡伯雷;罗尔夫·布雷芒斯多费尔;杨晓晅 -专利权人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开提出了一种用于组合工件的等离子体处理和热处理的装置。该装置包括处理室、与处理室分开且设置在处理室的第一侧的等离子体室、以及配置为在等离子体室中产生等离子体的等离子体源。石英工件支撑体设置在处理室内，该工件支撑体配置为支撑工件。一个或多个配置为加热工件的辐射热源设置在处理室的第二侧且与第一侧相对的侧上。在工件支撑体与一个或多个热源之间设置电介质窗口。此外，该装置包括配置为获得指示工件温度的温度测量值的温度测量系统。
具有等离子体处理系统热处理工件装置

[发明专利]反应腔室及晶圆刻蚀装置-CN202211669623.9在审
发明人：管长乐;张新云;范强 -专利权人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-25 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开提供了一种反应腔室及晶圆刻蚀装置。反应腔室包括腔体、传片口、第一内衬、第一支撑部和第一顶升机构。腔体内部设置有载片台。传片口与腔体的内部连通。第一内衬与腔体的内壁可滑动地连接，且可滑动地套设于载片台的外壁，第一内衬与载片台同轴设置。第一内衬用于控制传片口的通断状态。第一支撑部设置于腔体与载片台之间，且位于第一内衬的外部。第一顶升机构设置在第一支撑部中，第一顶升机构的升降部与第一内衬连接。根据本公开的方案，可以提高晶圆的工艺结果的圆周对称均匀性。
反应刻蚀装置

[发明专利]与快速热活化工艺相结合的使用等离子体的原子层刻蚀工艺-CN201780077368.X有效
发明人：马绍铭 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2017-05-01 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：公开了一种用于在半导体晶片上刻蚀膜层的工艺。该工艺特别适合于刻蚀含碳层，例如硬掩模层、光致抗蚀剂层和其他低介电膜。根据本公开，从等离子体产生的反应物质与膜层的表面接触。同时，衬底或半导体晶片经受快速热加热循环，该快速热加热循环以受控方式将温度升高超过反应的活化温度。
快速活化工艺相结合使用等离子体原子刻蚀