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[发明专利]具有垂直结构的异质结晶体管-CN201780084273.0有效
发明人： 勒内·埃斯科菲耶;泽格·卢多特 -专利权人：原子能和替代能源委员会;雷诺有限合伙公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结场效应晶体管(1)，其包括：‑形成电子气体层或空穴层(15)的III‑N型第一和第二半导体层(14、13)的堆叠；‑与该气体层电接触的第一传导电极(21)以及第二传导电极(22)；‑分离层(12)，其与第一电极对齐且位于第二半导体层(13)的下方；‑第三半导体层(11)，其布置在分离层(12)下方并且与第二电极电接触；‑导电元件(24)，其与所述气体层(15)电接触并且电连接第三半导体层(11)和所述气体层(15)；‑位于所述导电元件(24)和第一传导电极(21)之间的控制栅极(23)。
具有垂直结构结晶体

[发明专利]电子气热电式传感器-CN202180009692.4在审
发明人：纪尧姆·萨韦利;C·布莱恩;勒内·埃斯科菲耶;马克·普利索尼耶 -专利权人：原子能与替代能源委员会
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：用于在发热作用下产生电流的多层热电式传感器(350)，该热电式传感器包括载体(10)和由载体承载的热电偶(300a‑300b)，热电偶包括：‑第一热电构件(70a‑70b)，其包括各层由不同材料形成的双层(28)的至少一部分；和‑第二热电构件(155a‑155b)，其包括p掺杂的半导体材料和/或热电金属，热电偶配置为用于在热电式传感器的受热期间在双层的各层之间的界面(75a‑75b)处产生电子气。
电子热电传感器

[发明专利]集成热电式传感器的功率电子部件-CN202180009688.8在审
发明人：纪尧姆·萨韦利;C·布莱恩;勒内·埃斯科菲耶;马克·普利索尼耶 -专利权人：原子能与替代能源委员会
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：一种电子部件(365)，包括载体(10)、设置在载体上的热电式传感器(350)和功率晶体管(355)，功率晶体管包括基层(20)，基层包含选自氮化镓、氮化铝镓、砷化镓、镓铟、氮化镓铟、氮化铝、氮化铝铟及其混合物的晶体管材料，电子部件配置为使得热电式传感器在功率晶体管的加热作用下产生电流。
集成热电传感器功率电子部件

[发明专利]用于生产各自用于形成电子或光电器件的氮化物台面的方法-CN202080057484.7在审
发明人：居伊·弗耶;布兰丁·阿卢安;胡贝特·博诺;罗伊·达格尔;耶苏·祖尼加·佩雷斯;马修·查尔斯;朱利安·巴克利;勒内·埃斯科菲耶 -专利权人：原子能与替代能源委员会;国家科学研究中心
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明特别涉及一种用于获得台面(550A、550B)的方法，台面至少部分地由氮化物(N)制成的，该方法包括以下连续步骤：‑提供叠置件，该叠置件包括基板(100)和从该基板(100)起连续地布置的至少下述层：‑第一层，被称为流变层(200)；‑第二结晶层，被称为结晶层(300)；‑通过对流变层(200)的至少一部分(220)和结晶层(300)进行蚀刻来形成垫(1000A1‑1000B4)，使得：每个垫(1000A1‑1000B4)至少包括：‑第一部分，其被称为流变部分(200A1‑200B4)，其由流变层(200)的至少一部分形成；第二结晶部分，其称为结晶部分(300A1、300B4)，由结晶层(300)形成并覆在流变部分(200A1‑200B4)上；垫(1000A1‑1000B4)分布在基板(100)上，以便形成多个组(1000A、1000B)的垫(1000A1‑1000B4)；‑在所述垫(1000A1‑1000B4)的至少一些垫上外延生长微晶(510A1‑510B4)，并继续微晶(510A1‑510B4)的外延生长直到由同一个组(1000A、1000B)的相邻垫(1000A1‑1000B4)承载的微晶(510A1‑510B4)达到聚结。
用于生产各自形成电子光电器件氮化物台面方法

[发明专利]晶体管功率开关器件及测量其特性的方法-CN200980160430.7有效
发明人：比阿特丽斯·贝尔努;勒内·埃斯科菲耶;让·米切尔·雷内斯 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2009-08-18 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：晶体管功率开关器件(700，1000，1402)包括用于在半导体本体(101)的第一和第二面之间输送电流的垂直晶体管元件(108)的阵列。该器件还包括半导体监测元件(702，1002，1404)，该监测元件包括位于半导体本体(101)中的第一和第二半导体监测区域(704，706)和不同于晶体管阵列的电流传送导电层(110)的监测导电层(708，1004，1406)。半导体监测元件(702，1002，1404)提供了代表该晶体管阵列的半导体属性。测量半导体监测元件(702，1002，1404)的特性以作为晶体管阵列的特性的表示。通过测量并记录当晶体管功率开关器件是新的时的参数并且将其与器件(1402)操作之后的数值进行比较，来监测晶体管功率开关器件(1402)的源金属老化，其中该参数是监测导电层(1406)的方块电阻的函数。将测量的电流(IO)施加到监测导电层(1406)的细长的条状元件(1802)上的第一位置和条的一对横向延伸部的一个上的第一位置之间，并且测量在该细长的条状元件(1802)和所述的一对横向延伸部的另一个上的第二位置之间产生的相应的电压(ΔV)。
晶体管功率开关器件测量特性方法

[发明专利]功率MOS晶体管器件及包括其的开关装置-CN200880132060.1无效
发明人：让·米切尔·雷内斯;比阿特丽斯·贝尔努;勒内·埃斯科菲耶;皮埃尔·亚尔博;伊万娜·德朗 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2008-11-27 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种晶体管功率开关器件(700)，包括用于承载半导体主体的第一面(104)和第二面(106)之间的电流的垂直晶体管元件(108)的阵列，晶体管元件(108)的阵列包括第一面(104)处的第一半导体类型的源极区(114)的阵列、插入在源极区(114)和第二面(106)之间的与第一类型相反的第二半导体类型的至少一个p区(122、124、126)、以及至少一个控制电极(116)，用于以可开关方式控制电流流过p区(122、124、126)，以及传导层(110)，接触源极区(114)并且通过至少一个绝缘层(120)与控制电极(116)绝缘。该开关器件还包括与晶体管(108)阵列电气并联的至少一个反向偏置垂直雪崩二极管(702)，用于在器件的截止状态中传导第一面(104)和第二面(106)之间的击穿电流，并且具有与第一面(104)和传导层(110)接触的第二半导体类型的第一电流承载二极管区(704)和与第二面(106)电气连接的第一半导体类型的第二半导体区(706)。该开关器件还包括在每个雪崩二极管上接合到传导层(110)的电气连接引脚(128)。
功率 mos 晶体管器件包括开关装置

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