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[发明专利]射频信号导出结构及射频检测器-CN202310786747.3在审
发明人：万亮;刘胜厚;孙希国 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本申请涉及电路检测技术领域，特别涉及一种射频信号导出结构及射频检测器。其中，一种射频信号导出结构，包括基板，具有相对的第一表面及第二表面；信号接触单元，设置于基板的第一表面；同轴连接器，设置于基板的一端；其中，第一表面设有1个第一导电层及至少1个第二导电层；信号接触单元设置于第一导电层及第二导电层表面；信号接触单元通过第一导电层将信号传输至同轴连接器。本申请提供的射频信号导出结构，通过采用基板，能够在保证信号正常传输的情况下，使得射频信号导出结构整体能够承受较大的机械应力，有效避免射频信号导出结构出现由于应力作用导致的损坏。
射频信号导出结构检测器

[发明专利]具有低接触电阻率的晶体管及其制作方法-CN202111538504.5有效
发明人： 刘胜厚;林科闯;孙希国;请求不公布姓名 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本申请提供一种具有低接触电阻的晶体管及其制作方法，该晶体管包括依次形成的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，在势垒层的源极区域和漏极区域分别形成有离子注入区，在离子注入区形成有多个间隔设置的凹槽。在离子注入区表面以及各凹槽内沉积形成有欧姆金属，欧姆金属与各凹槽的底部和侧壁相接触。本方案中，通过形成于离子注入区的凹槽，可以使得欧姆金属不仅可以与离子注入区的表面接触，还可以与凹槽的侧壁接触，从而增加了欧姆金属与半导体的接触面积，进而降低欧姆接触电阻率，并且结合离子注入区可以进一步地达到降低欧姆接触电阻率的效果，且无需进行退火工艺进而避免产生在器件表面产生毛刺进而影响器件性能的问题。
具有接触电阻率晶体管及其制作方法

[发明专利]一种氮化镓基HEMT器件及制作方法-CN202310790597.3在审
发明人：宋文杰;谷鹏;刘胜厚 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基HEMT器件及制作方法，其是在外延生长未激活的Mg掺杂氮化物层后，采用电子束对预设栅极区域的Mg掺杂氮化物层进行轰击，通过改变电子束加速电压和电子束发射电流控制Mg掺杂氮化物层厚度方向上不同区域的Mg激活浓度，使Mg激活浓度向背离势垒层方向的变化趋势为降低，形成激活的P型氮化物区，从而降低栅极漏电，增强肖特基栅的耐压能力，提升器件可靠性。本发明的方法避免了小尺寸的P型氮化物干法蚀刻工艺，加工精度高。
一种氮化 hemt 器件制作方法

[发明专利]一种氮化镓器件栅极驱动电路-CN202010918635.5有效
发明人：卢益锋;林志东;刘胜厚;蔡仙清;候艺伟 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓器件栅极驱动电路，包含第一补偿支路A、第二补偿支路B、高速开关U1；所述高速开关U1为二选一开关，包含常开端NO、常闭端NC、公共端COM、输入控制端IN；所述第一补偿支路A包含可调电阻RP、第一电阻R1；所述第二补偿支路B包含第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、三极管U3；所述高速开关U1的常闭端NC连接至第一负电压，所述高速开关U1的公共端COM作为氮化镓器件栅极驱动电路的输出端Vg。本发明氮化镓器件栅极驱动电路，提高氮化镓射频功率放大器的栅极偏置带载能力；其次，本发明氮化镓器件栅极驱动电路的电器元件较少，电路具备小型化，非常方便安装在复杂的电路中，改善了氮化镓静态电流随温度变化的特性。
一种氮化器件栅极驱动电路

[发明专利]氮化物器件及其制备方法-CN202110984217.0有效
发明人：蔡文必;刘胜厚;请求不公布姓名;卢益锋;孙希国;谷鹏 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：一种氮化物器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该制备方法包括：提供外延结构；通过离子注入在外延结构上形成第一有源区、第二有源区和无源区；通过光刻工艺在第二有源区形成露出外延结构的介质层的第一窗口；通过第一窗口离子注入以在第二有源区内形成N型区；通过光刻工艺在第二有源区形成露出介质层的第二窗口；通过第二窗口在N型区内形成P型区，P型区和N型区串联形成PN结二极管结构；在第一有源区形成源极、栅极和漏极，在无源区形成源极焊盘、栅极焊盘和漏极焊盘；其中，PN结二极管结构的阳极与源极焊盘接触连接、阴极与栅极焊盘接触连接。该制备方法能够提高器件的栅极和源极之间的反向电压的耐受等级。
氮化物器件及其制备方法

[实用新型]一种GaN HEMT器件-CN202321187611.2有效
发明人：王晶晶;刘胜厚;孙希国 -专利权人：泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件的技术领域，公开了一种GaN HEMT器件，其HEMT外延层设于衬底上，包括氮化物异质结；源极、漏极和栅极设于HEMT外延层上，其中栅极位于源极和漏极之间；复合钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，第一钝化层设于栅极和源极以及栅极和漏极之间的HEMT外延层表面上，第二钝化层覆盖源极、漏极、栅极和第一钝化层；第一钝化层为Q‑碳层或金刚石层。通过复合钝化层的设置，使器件工作产生的热量沿横向迅速传导至电极金属并通过电极金属向外部扩散，提高器件散热性能，同时降低了寄生电容，提升了器件的抗击穿性能。
一种 gan hemt 器件

[发明专利]氮化镓基器件及其制备方法-CN202310312977.6在审
发明人：陈东坡;刘胜厚;曾勇 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种氮化镓基器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该氮化镓基器件的制备方法包括：在衬底上形成外延层、并在外延层上形成间隔的源极和漏极，以及在外延层上形成位于源极和漏极之间的第一介质层；在第一介质层上形成第二介质层，第二介质层覆盖源极和漏极；刻蚀第一介质层和第二介质层，以在源极和漏极之间同步形成露出外延层的第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽位于源极和第二凹槽之间；在第一凹槽处形成栅极；在第二凹槽处形成场板，其中，场板与外延层通过介质层隔离。该氮化镓基器件的制备方法能够简化工艺流程，且能够提高栅极和凹槽处场板之间的对位准确性。
氮化器件及其制备方法

[实用新型]一种氮化镓基高电子迁移率晶体管-CN202321185781.7有效
发明人：谷鹏;刘胜厚 -专利权人：泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件的技术领域，公开了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，其具有设于HEMT外延层上的复合介质层；复合介质层中，第一介质层具有第一开口，第二介质层对应第一开口具有第二开口，且第二开口的侧壁覆盖第一开口的侧壁，第三介质层对应第二开口的上方设有第三开口，第三开口的宽度大于第二开口，组合形成裸露HEMT外延层表面的复合栅槽，且第二介质层和第三介质层的介电常数小于第一介质层的介电常数。采用不同介电常数的多层复合结构，在不影响钝化效果的前提下，显著降低栅极的寄生电容，缓解栅下强电场，减小电流崩塌，从而提升氮化镓基HEMT性能。
一种氮化镓基高电子迁移率晶体管

[实用新型]一种氮化物高电子迁移率晶体管-CN202321188480.X有效
发明人：王晶晶;刘胜厚;孙希国 -专利权人：泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件的技术领域，公开了一种氮化物高电子迁移率晶体管，其包括设于衬底上的HEMT外延层，源极、漏极和栅极设于HEMT外延层上，逆压电功能介质层设于栅极和源极以及栅极和漏极之间的HEMT外延层表面上，顶层钝化层覆盖源极、漏极、栅极和逆压电功能介质层；逆压电功能介质层在电场作用下发生形变，以应力作用于HEMT外延层，通过应力调控补偿陷阱效应捕获的电子造成的电流衰减，有效的抑制了电流崩塌效应。
一种氮化物电子迁移率晶体管

[实用新型]射频连接器的接地结构-CN202223165059.5有效
发明人：万亮;刘胜厚;卢益锋 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01R13/648 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种射频连接器的接地结构，射频连接器设有连接端面，用于与被连接件连接，连接端面设有凸起结构和连接部，连接部从凸起结构向外延伸，被连接件设有层叠设置的安装板和电路板，电路板的边缘设有接地端，接地端下方的安装板设有安装端面，安装端面设有凹槽结构，在安装过程中，凸起结构卡合于凹槽结构，使射频连接器的连接端面与安装端面贴合，连接部抵靠并焊接于接地端。通过被连接件的安装端面的凹槽结构与射频连接器的连接端面的凸起结构之间的配合，使接地结构在保证就近、良好的射频接地的要求的同时，还能够使被连接件的安装端面与射频连接器的连接端面彼此契合，解决射频连接器与被连接件之间射频接地与机械契合的冲突。
射频连接器接地结构

[发明专利]一种氮化物半导体器件及其制作方法-CN202211647531.0在审
发明人： 刘胜厚;梁逸航;黄冠英;王子辰;孙希国 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制作方法，包括设于氮化物异质结外延层上的源极、漏极、栅极、介质材料层和阶梯源场板，栅极位于源极和漏极之间，阶梯源场板位于栅极和漏极之间；阶梯源场板设于介质材料层中，包括与氮化物外延层间隔有不同介质材料层厚度的第一阶部分和第二阶部分，阶梯源场板和漏极之间的介质材料层具有凹槽。通过阶梯源场板结合凹槽的设置，有效降低了寄生电容Cgd和Cds，提升了器件射频增益，拓宽器件应用的带宽。
一种氮化物半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种内建低频振荡抑制电路的晶体管-CN202010236787.7有效
发明人：卢益锋;林传发;刘胜厚;蔡仙清;侯艺伟 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种内建低频振荡抑制电路的晶体管，在原有的晶体管的体积上，在外延片表面和/或内部设置低频振荡抑制电路，低频振荡抑制电路的接入端与栅极金属电连接，低频振荡抑制电路的引出端通过接地导电结构引出，即可实现进行可靠性测试时，从管芯处抵制低频振荡，解决可靠性测试中的振荡问题，特别是稳定晶体管的DC特性，有利于测试出小器件的DC特性。本发明结构简单、成本低，并且几乎不存在晶体管的体积或面积，对后续的应用生产不造成影响，并有利于厂商的生产资源的优化配置。
一种低频振荡抑制电路晶体管

[发明专利]微波生成系统、方法及无线通信设备-CN201910870486.7有效
发明人：林志东;卢益锋;刘胜厚;林光耀;蔡仙清;林传发;杨健 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：本申请提供一种微波生成系统、方法及无线通信设备，包括半导体放大器、耦合器、输入匹配电路及输出匹配电路。输入匹配电路及输出匹配电路分别连接至半导体放大器的输入端和输出端，用于半导体放大器的输入阻抗及输出阻抗与系统阻抗的匹配。半导体放大器用于产生振荡信号，并对所述振荡信号进行放大处理，输出微波信号。耦合器连接在半导体放大器的输出端及输入端之间，用于将其输出的部分微波信号的功率耦合至其输入端。利用半导体放大器自身高增益、易于震荡的特性，并结合耦合器的功率耦合功能，通过控制半导体放大器的功率增益和耦合器的耦合度，使系统能够输出稳定的高功率的微波信号。如此，降低了电路设计的复杂度。
微波生成系统方法无线通信设备

[发明专利]一种晶体管-CN202011250014.0有效
发明人： 刘胜厚;林志东;孙希国;张辉 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管，包括衬底、沟道层、势垒层、栅极、源极、漏极和钝化保护层，衬底、沟道层、势垒层依次从下至上层叠，栅极、源极和漏极位于势垒层上，栅极位于源极和漏极之间，钝化保护层覆盖在源极、漏极和势垒层上，并在势垒层上形成钝化保护层开口，栅极通过钝化保护层开口和势垒层接触；还包括介质层，介质层覆盖在钝化保护层上，并沿着靠近漏极一侧的钝化保护层开口侧壁延伸至势垒层上但未完全覆盖势垒层，介质层的厚度为≤100Å。本发明保证高场依然出现在栅边缘靠近漏端处，抑制电子从栅金属向沟道的注入，增强器件的可靠性。
一种晶体管

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202010139981.3有效
发明人：孙希国;李敏;邹鹏辉;刘胜厚;张辉;蔡仙清;卢益锋 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括衬底、形成于衬底上的外延层以及依次形成于外延层远离衬底一侧的多层栅介质层。其中，各层栅介质层上开设有贯穿其中的栅凹槽，且各栅介质层上的栅凹槽的侧壁呈斜坡状。如此，通过多层栅介质层上的侧壁呈斜坡状的栅凹槽，可减缓电场在栅凹槽处的变化幅度，避免电场在栅凹槽处出现突变，从而改善电场尖峰效应，提高器件可靠性。
半导体器件及其制作方法

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