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[发明专利]沟槽栅极式半导体装置及其形成方法-CN202210673206.5在审
发明人：许忠龙;陈旷举;刘汉英 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽栅极式半导体装置及其形成方法。该沟槽栅极式半导体装置，包括具有一沟槽的一外延层，以及设置于沟槽的下部的一遮蔽电极。遮蔽电极具有一第一侧壁及与其相对的一第二侧壁，且第一侧壁及第二侧壁的顶部各自具有一第一凹槽。上述装置也包括设置于沟槽的下部且隔开外延层与遮蔽电极的一下层介电层。下层介电层的一上表面具有一阶梯形轮廓自沟槽的一侧壁向下延伸至第一侧壁及第二侧壁各自的第一凹槽。上述装置也包括覆盖遮蔽电极的顶部及第一侧壁及第二侧壁各自的第一凹槽的一电极间介电层，以及设置于沟槽的一上部且覆盖阶梯形轮廓及电极间介电层的一栅极电极。
沟槽栅极半导体装置及其形成方法

[发明专利]一种空间用高可靠多通路交叉备份电连接结构-CN202211500613.2在审
发明人：张肖君;苏彬;庞志新;杜辰博;董莉;林君毅;刘汉英 -专利权人：中电科蓝天科技股份有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H02S40/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种空间用高可靠多通路交叉备份电连接结构，属于电路设计技术领域，包括由q个被动传输电单元子模块组成的被动传输电单元模块；每个被动传输电单元子模块由被动传输电单元、正向引出线缆、负向引出线缆组成，正向引出线缆与被动传输单元的正向连接，负向引出线缆与被动传输单元的负向连接，包含m个一级电连接子模块的一级电连接模块；每个一级电连接子模块由a个输入端子和a个输出端子构成，且每个输入端子仅与一个输出端子相连，包含n个二级电连接子模块的二级电连接模块；每个二级电连接子模块由b个输入端子和b个输出端子构成，且每个输入端子与一个且唯一一个输出端子相连。本发明能够预防卫星某个功率传输电连接失效引起的功率损失。
一种空间可靠通路交叉备份连接结构

[发明专利]沟槽式功率半导体装置及其制造方法-CN202210485429.9在审
发明人：许忠龙;陈旷举;刘汉英 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽式功率半导体装置及其制造方法。沟槽式功率半导体装置包括半导体基底、遮蔽栅、氧化层、栅极层以及栅氧化层。遮蔽栅设置于半导体基底的第一沟槽中，其包括第一遮蔽部分及位于第一遮蔽部分上的第二遮蔽部分，第二遮蔽部分的宽度大于第一遮蔽部分的宽度。氧化层设置于遮蔽栅与半导体基底之间，其包括环绕第一遮蔽部分的第一氧化部分及环绕第二遮蔽部分的第二氧化部分，第一氧化部分的厚度大于第二氧化部分的厚度。栅极层设置于第一沟槽中并位于遮蔽栅上。栅氧化层包括设置于栅极层与第二遮蔽部分之间的第一栅氧化部分及设置于栅极层与半导体基底之间的第二栅氧化部分。第二栅氧化部分的厚度小于第二氧化部分的厚度。
沟槽功率半导体装置及其制造方法

[发明专利]光学感测滤光器及其形成方法-CN201911333690.1有效
发明人：王庆森;陈旷举;萧鹏展;刘汉英;陈庆宗;郑书贤;黄文秀 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明提供了一种光学感测滤光器及其形成方法。此光学感测滤光器包括具有主动区以及感测区的基板、设置在基板的感测区中的光电二极管、以及设置在光电二极管之上的滤光片结构。此滤光片结构包括设置在光电二极管之上的第一滤光片堆迭以及设置在第一滤光片堆迭之上的第二滤光片堆迭。第一滤光片堆迭包括设置在光电二极管之上的第一黏着层、设置在第一黏着层之上的第一金属层、以及设置在第一金属层之上的第一绝缘层。第二滤光片堆迭包括设置在第一绝缘层之上的第二黏着层、设置在第二黏着层之上的第二金属层、以及设置在第二金属层之上的第二绝缘层。
光学滤光及其形成方法

[发明专利]沟槽栅极式半导体装置及其形成方法-CN202210539389.1在审
发明人：陈暐钧;陈旷举;刘汉英 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施例揭示一种沟槽栅极式半导体装置及其形成方法，其中该沟槽栅极式半导体装置包括具有一沟槽形成于内的一外延层。一栅极电极设置于沟槽的一上部，且一遮蔽介电层顺沿着沟槽的一下部的一侧壁表面及一下表面延伸，且遮蔽介电层的一上表面由栅极电极所覆盖。一遮蔽电极设置于沟槽的下部且由栅极电极与遮蔽介电层所围绕，其中一部分的遮蔽电极自遮蔽介电层的上表面突出，且此部分的遮蔽电极的一顶部具有一圆角。一电极间介电层包括一第一部位于栅极电极与遮蔽电极之间，且顺应性覆盖圆角。
沟槽栅极半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202010869878.4有效
发明人：王庆森;陈旷举;萧鹏展;刘汉英 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括衬底以及设置于所述衬底上的III‑V族化合物层。所述III‑V族化合物层中具有彼此上下连通的n个沟槽，且n≥2。在所述n个沟槽中，最上方的第1沟槽的宽度至最下方的第n沟槽的宽度为递减的，且所述第n沟槽暴露出所述衬底的一部分。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种环氧乙烷尾气处理方法及系统-CN202310316176.7在审
发明人：邓硕;刘汉英;王泽尧 -专利权人：北京石油化工工程有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B01D53/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种环氧乙烷尾气处理方法及系统，该方法包括将含环氧乙烷尾气经吸收塔分离，塔顶采出不含环氧乙烷的气相物流，塔釜得到含环氧乙烷的富吸收液液相物流；将含环氧乙烷的富吸收液液相物流经进出料换热器换热，得到升温后的液相物流；将升温后的液相物流经反应器进料加热器加热，得到加热后的液相物流；将加热后的液相物流经反应器反应再生，得到贫吸收液液相物流；使贫吸收液液相物流与含环氧乙烷的富吸收液液相物流于进出料换热器换热，换热后得到降温后的贫吸收液液相物流；将降温后的贫吸收液液相物流经贫吸收液冷却器冷却，得到冷却后的贫吸收液液相物流，再将部分冷却后的贫吸收液液相物流循环回吸收塔作为吸收液。
一种环氧乙烷尾气处理方法系统

[发明专利]半导体结构以及半导体结构的制造方法-CN202110409620.0有效
发明人：何昆政;陈旷举;刘汉英 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构的制造方法，包含以下步骤：提供基底；形成沟槽于基底中；形成第一氧化层以及第一多晶硅元件于沟槽中，其中第一多晶硅元件与基底之间具有开口；形成第二氧化层覆盖基底以及第一多晶硅元件；形成氮化层于第一氧化层以及该第二氧化层上；移除位于开口底部的氮化层的一部分，以暴露出第一氧化层的顶表面的一部分；移除位于开口下方的第一氧化层的一部分，以形成凹陷部，其中该凹陷部暴露出第一多晶硅元件的一部分；实行热氧化工艺，使第二氧化层延伸覆盖经暴露的第一多晶硅元件的一部分，并使该凹陷部具有一圆角；移除氮化层；以及形成第二多晶硅元件于开口以及凹陷部中。
半导体结构以及制造方法

[发明专利]一种空间太阳电池上电极集成自动焊接方法-CN202011562710.5有效
发明人： 刘汉英;王晨胜;许峰;刘博 -专利权人：中电科蓝天科技股份有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种空间太阳电池上电极集成自动焊接方法；属于空间太阳电池焊接技术领域，其特征在于，包括如下步骤：S1、二极管料盘上料；S2、二极管定位；S3、互连片和银条定位；S4、二极管组件焊接及翻转；S5、二极管组件翻转与检测；S6、电池信息读取；S7、电池上料；S8、互连片定位；S9、上电极焊接；S10、接角焊接；S11、裂片检测；S12、焊头打磨；S13、陪片焊接；S14、焊接完成后的产品放回托盘治具。本发明将多工序多工步集成到一套系统中并优化焊接工艺，通过计算机操控多机器人统筹工作，加快生产效率，提升成品率。
一种空间太阳电池电极集成自动焊接方法

[实用新型]一种聚合物脱挥系统-CN202320112431.1有效
发明人：陈意心;车中山;安振永;刘汉英;董月梅;逯云峰;邹明华 -专利权人：北京石油化工工程有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B01D3/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种聚合物脱挥系统。该聚合物脱挥系统至少包括：脱挥罐，所述脱挥罐的侧壁设置有物料入口，顶部设置有气相出口，侧壁上部设置有反吹气体入口，底部设置有固相物料出口；所述脱挥罐的内部设置有除沫器和刮料装置；所述除沫器设置于所述脱挥罐内壁的上部；所述脱挥罐底部的固相物料出口连接有螺杆泵。本实用新型的聚合物脱挥系统，降低了物料流动不畅，设备、管线堵塞等的情况发生，尤其适合于在连续化工业生产高等规度聚丁烯‑1工艺中，对高粘度丁烯聚合物进行脱挥发分的处理，在使聚丁烯工业化生产系统产能达标的同时，使聚丁烯中的挥发分得到有效去除，具有优异的脱挥效果。
一种聚合物系统

[实用新型]用于油品加氢装置的冷低分气反吹扫过滤装置-CN202320222856.8有效
发明人：韩金奇;刘汉英;马达国;曹坚 -专利权人：北京石油化工工程有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C10G31/09 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于油品加氢装置的冷低分气反吹扫过滤装置，用于对与油品加氢装置连接的自动反吹扫过滤器进行反吹扫过滤，其包括依次相连的冷低分气缓冲罐、自动反吹扫过滤器以及气液分离罐；其中，油品加氢装置的冷低压分离器的出口与冷低分气缓冲罐的入口与油品加氢装置的冷低压分离器的出口相连，以将冷低压分离器产生的冷低分气作为反吹扫介质通入冷低分气缓冲罐进行缓冲处理；冷低分气缓冲罐的出口与自动反吹扫过滤器的过滤入口相连；自动反吹扫过滤器的过滤出口与气液分离罐相连。使用冷低分气进行自动反吹扫再生代替传统的滤后油自动反冲洗，可大幅降低污油的产生量，优化自动吹扫洗过滤器的反吹扫过程。
用于油品加氢装置低分反吹过滤

[发明专利]用于油品加氢装置的冷低分气反吹扫过滤方法及装置-CN202310118591.1在审
发明人：韩金奇;刘汉英;马达国;曹坚 -专利权人：北京石油化工工程有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C10G31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于油品加氢装置的冷低分气反吹扫过滤方法及装置，用于对与油品加氢装置连接的自动反吹扫过滤器进行反吹扫过滤，所述方法包括：将所述油品加氢装置的冷低压分离器产生的冷低分气作为反吹扫介质，对所述反吹扫介质进行缓冲处理；再将经过缓冲处理后的所述反吹扫介质通入所述自动反吹扫过滤器进行反吹扫过滤作业。本发明可以对需要再生的滤芯使用冷低分气进行自动反吹扫再生代替传统的滤后油自动反冲洗，可大幅降低污油的产生量，优化自动反吹扫过滤器的反吹扫过程。
用于油品加氢装置低分反吹过滤方法

[发明专利]电容式压力传感器及其制造方法-CN202110659787.2有效
发明人：何昆政;陈旷举;刘汉英 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明提供一种电容式压力传感器及其制造方法。所述电容式压力传感器，包括基板、硅层、氧化层、第一氮化硅层与第二氮化硅层。氧化层设置于基板与硅层之间。硅层具有多个孔洞。氧化层具有一开口，以使氧化层与硅层构成一空腔。第一氮化硅层填入每个孔洞中，以密封所述空腔。第二氮化硅层则介于第一氮化硅层与硅层的外缘之间以及介于第一氮化硅层与氧化层的外缘之间，且所述第二氮化硅层的厚度小于第一氮化硅层的厚度。
电容压力传感器及其制造方法

[实用新型]一种连续化工业生产高等规度聚丁烯-1的设备-CN202223603400.0有效
发明人：逯云峰;刘汉英;任合刚;高晶杰;曹坚;陈意心;安振永 -专利权人：北京石油化工工程有限公司;广东石油化工学院
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种连续化工业生产高等规度聚丁烯‑1的设备。该设备包括：聚合单元、聚合物分离单元、单体回收单元以及聚合物造粒单元；聚合单元包括聚合釜；聚合物分离单元包括脱活罐、升压泵、第一换热器、第一脱单体塔、第二换热器、第二脱单体塔和真空泵；聚合物造粒单元包括挤出机和造粒机。本实用新型的设备是一种液相聚合制备高等规聚丁烯‑1的连续化工业生产设备，能够制备得到具有低单体含量的高等规聚丁烯‑1。
一种连续化工业生产高等规度聚丁烯设备

[发明专利]一种连续化工业生产高等规度聚丁烯-1的方法及设备-CN202211731152.X在审
发明人：逯云峰;刘汉英;任合刚;高晶杰;曹坚;陈意心;安振永 -专利权人：北京石油化工工程有限公司;广东石油化工学院
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C08F10/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种连续化工业生产高等规度聚丁烯‑1的方法及设备。该方法包括：聚合、聚合物分离、单体回收和聚合物造粒等步骤。该设备包括：聚合单元、聚合物分离单元、单体回收单元以及聚合物造粒单元。本发明的方法及设备是一种液相聚合制备高等规聚丁烯‑1的连续化工业生产方法及设备，能够制备得到具有低单体含量的高等规聚丁烯‑1。
一种连续化工业生产高等规度聚丁烯方法设备

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