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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110502178.6有效
发明人： 刘柏均;陈逸群;蓝浚恺 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了具有图像传感器的半导体器件及其制造方法。该方法包括：在衬底上沉积介电层；在介电层和衬底内形成沟槽；在沟槽内形成外延结构；以及形成具有第一层部分和第二层部分的势垒层。第一层部分形成在沟槽的未被外延结构覆盖的侧壁部分上。该方法还包括：在外延结构上并与势垒层相邻地形成覆盖层；选择性地掺杂外延结构和覆盖层的区域；在掺杂区域上选择性地形成硅化物层；在硅化物层上沉积蚀刻停止层；以及通过蚀刻停止层在硅化物层上形成导电塞。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]基于NARX网络的单晶硅等径阶段数据驱动建模方法-CN202310478307.1在审
发明人： 刘柏均;马文乐;弋英民 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于NARX网络的单晶硅等径阶段数据驱动建模方法，首先在直拉法制备单晶硅的过程中对晶体直径、加热器功率这两种数据进行数据采集，然后将采集到的晶体直径和加热器功率进行数据预处理；初始化NARX网络模型结构，设定模型阶数，输入输出数量，输入输出延时量及隐藏层神经元个数；利用麻雀优化算法对NARX网络模型的初始参数进行优化，得到满足单晶硅直径控制需求的单晶硅生长等径阶段晶体直径与加热器功率模型。本发明通过NARX神经网络建立了直拉法制备单晶硅等径阶段的晶体直径与加热器功率模型，解决了现有技术中存在的机理建模难度大，模型复杂导致控制算法计算量十分大，控制方案设计困难的问题。
基于 narx 网络单晶硅阶段数据驱动建模方法

[实用新型]一种滚筒式石材表面刷胶设备-CN202223562419.5有效
发明人：王烁;刘柏均;张硕;袁璐颖;傅安澜 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B05C15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及石材生产设备技术领域，尤其涉及一种滚筒式石材表面刷胶设备。本实用新型提供一种能够在对石材刷胶区域进行防尘，防止灰尘堆积弥漫影响石材刷胶质量的滚筒式石材表面刷胶设备。一种滚筒式石材表面刷胶设备，包括有支撑座、传输带、导向安装架、滚筒刷和弹簧等，支撑座上部转动式连接有传输带，支撑座右上部前后两侧均连接有导向安装架，导向安装架之间滑动式连接有滚筒刷，导向安装架均与滚筒刷之间连接有弹簧。本实用新型通过第一转动挡板、第二转动挡板和防尘罩之间相互配合，从而达到了能够在对石材刷胶区域进行防尘，防止灰尘堆积弥漫影响石材刷胶质量的效果。
一种滚筒石材表面设备

[发明专利]一种固液混悬中药制剂及其制备方法-CN202111045333.2有效
发明人：赵欣;张霄峰;袁红梅;倪现朴;肖雄威;刘彤;刘心蕊;刘柏均 -专利权人：辽宁格林希尔医疗科技有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： A61K9/50 文献下载
摘要：本发明涉及中药制剂技术领域，涉及一种服用方便、口感良好、方便存储的固液混悬中药制剂。所述的固液混悬中药制剂包含固体部分和液体半流体部分，所述固体部分为固体中药微丸颗粒，液体半流体部分为各种粘性材料溶于水或中药提取液或膏形成的稠厚状半流体，液体半流体部分还可以含有口感较好的中药饮片。所述固体中药微丸颗粒中，包衣层由内外两层组成，内层为隔水防护层，外层为交联防护网层。本发明提供了同一组方中不同味道、不同性质中药的药物组合使用的方法，将味道较差或对胃肠道有刺激的中药包于微丸颗粒中，不仅保持原有中药成分的结构稳定并且耐热，长时间悬浮于稠厚半流体中，其中药成分没有变化，微丸形态结构均无变化，稳定性好。
一种固液混悬中药制剂及其制备方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210150371.2在审
发明人：陈祈铭;陈奎铭;刘柏均;喻中一;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法至少包括以下步骤。提供牺牲衬底。在牺牲衬底上形成外延层。在外延层上形成刻蚀终止层。将碳原子植入到刻蚀终止层中。在刻蚀终止层上形成顶盖层以及元件层。将处置衬底接合到元件层。从处置衬底移除牺牲衬底、外延层以及具有碳原子的刻蚀终止层。
半导体装置制造方法

[发明专利]集成芯片结构及其形成方法-CN202210431888.9在审
发明人： 刘柏均;陈逸群 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及形成集成芯片结构的方法。方法包括蚀刻基底衬底以形成由基底衬底的一个或多个内表面限定的凹槽。沿基底衬底的一个或多个内表面形成掺杂外延层，并且在掺杂外延层的水平和垂直延伸的表面上形成外延材料。在外延材料内形成第一掺杂光电二极管区域，并且在外延材料内形成第二掺杂光电二极管区域。第一掺杂光电二极管区域具有第一掺杂类型，并且第二掺杂光电二极管区域具有第二掺杂类型。本申请的实施例还涉及集成芯片结构。
集成芯片结构及其形成方法

[发明专利]一种双关节机械臂的预定时间控制器的设计方法-CN202211117003.4在审
发明人：王文聪;侯明善;刘柏均;乔思雨;冯丹 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： B25J18/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种双关节机械臂的预定时间控制器的设计方法，基于双关节机械臂数学模型，并基于转换后的模型公式设计调节函数，获取第一步误差，设计虚拟控制律，最后获取第二步误差，设计出预定时间控制器，本发明不仅可以保证系统的收敛时间的状态一致性和参数一致性；同时在所提出的预定时间控制器中，系统的收敛时间是控制器中的一个参数，因此可以直接通过该参数设定并调节系统的收敛时间。
一种双关机械预定时间控制器设计方法

[实用新型]一种压陷式眼压计检定仪-CN202221459683.3有效
发明人：孔筱叶;张洋;陈玺瑶;景媛;刘柏均;徐恒;贾贞鹏;何林佳;杨建松 -专利权人：四川中测仪器科技有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： A61B3/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种压陷式眼压计检定仪，包括高精度数显千分尺、X轴调节装置、Y轴调节装置、滑轨、夹持装置、天平中针、高精度压力测试仪、C形安装架；所述高精度压力测试仪上表面设有天平中针，所述天平中针正后方设有安装底座；所述安装底座上方设有X轴调节装置和Y轴调节装置、正前方连接有C形安装架；所述C形安装架顶面设有通孔用于安装高精度数显千分尺、底面悬浮于高精度压力测试仪上表面、竖直面设有竖直滑轨并与夹持装置后端连接；所述夹持装置通过C形安装架安装在天平中针上方。本实用新型可以测量不同型号的眼压计，操作方便快捷；通过调节X轴调节装置和Y轴调节装置使眼压计与天平中针对齐，提高了测量可靠性和准确度。
一种压陷式眼压检定

[发明专利]一种螺旋扭转环式抓取装置-CN202111157078.0有效
发明人：刘晓强;刘柏均;邓润涛 -专利权人：南京信息职业技术学院
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： B25J15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种螺旋扭转环式抓取装置，包括：基板，所述基板底部周向设有导座，中心设有摆动机构；螺旋扭转环组件，所述螺旋扭转环组件包括螺旋扭转环和螺旋滑套，所述螺旋滑套套设在螺旋扭转环上，所述螺旋扭转环与导座螺旋滑动连接；驱动件，所述驱动件设于基板底部中心位置，并与摆动机构的动力输出端连接，所述驱动件与靠近基板底部的螺旋扭转环固定连接，所述螺旋滑套连接有摆杆；本发明采用多圈的螺旋状扭转环及多列周向均布的滑套机构，可以用于向内抓取工件或用于向外撑紧桶状工件；装置结构简单紧凑，压紧力大；螺旋滑套具有自锁功能，停气后，物体不会松开；控制操作方便，效率高。
一种螺旋扭转抓取装置

[发明专利]一种基于多重融合插补的连续缺失数据恢复方法-CN202210491605.X在审
发明人：谢国;金永泽;穆凌霞;李艳恺;刘柏均;梁莉莉;姬文江;费蓉;韩宁;高帆;王博 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多重融合插补的连续缺失数据恢复方法，首先建立考虑观测缺失的多速率异步采样多传感器模型，结合各传感器间多速率异步测量的特性，对传感器监测数据进行实时划分；然后通过一步状态预测、多步状态预测、回归缺失预测与同类均值插补对缺失状态进行恢复，得到四类恢复结果；最后基于极大似然估计评估准则计算待恢复数据的融合系数，得到缺失数据的融合插补结果。本发明解决了现有技术中存在的传感器故障、通讯延迟、传输性能限制等不利因素造成的监测数据连续缺失难题，建立了基于多重融合插补的连续缺失数据恢复框架，提高了传感器状态监测准确度。
一种基于多重融合连续缺失数据恢复方法

[发明专利]基于混合滤波和状态监测的滚动轴承剩余寿命预测方法-CN202210466175.6在审
发明人：谢国;韩宁;李艳恺;穆凌霞;刘柏均;金永泽;梁莉莉;费蓉;高帆;王博 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G01M13/045 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于混合滤波和状态监测的滚动轴承剩余寿命预测方法，首先获取滚动轴承运行过程中的水平振动信号；然后利用水平振动信号计算峭度和均方根RMS值，并分别将水平振动信号的峭度和RMS确定为状态监测指标和预测指标，接着采用卡尔曼滤波算法KF监测轴承的运行状态并确定故障起始点FST；当轴承进入退化状态后，采用粒子滤波PF和无迹卡尔曼滤波UKF相结合的混合滤波算法估计未来的均方根值；最后在得到的均方根估计值上建立滑动窗口和线性模型，以确定轴承的失效阈值，并判断均方根值超过失效阈值的时刻，得到剩余寿命预测结果。本发明通过监测滚动轴承的运行状态，确定故障起始点，得到了准确的剩余寿命预测结果。
基于混合滤波状态监测滚动轴承剩余寿命预测方法

[发明专利]一种基于DS证据理论的滚动轴承故障诊断方法-CN202210465246.0在审
发明人：谢国;高帆;穆凌霞;李艳恺;刘柏均;梁莉莉;费蓉;张春丽;韩宁;雷庆瑜;王博 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G06K9/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于DS证据理论的滚动轴承故障诊断方法，首先导入滚动轴承的生命周期振动信号；采用经验模态分解EMD方法将振动信号分解为多个固有模态函数IMF分量，计算各IMF分量的样本熵；利用随机森林模型将IMF分量的样本熵作为特征向量进行训练得到基本概率分配BPA，使用三个诊断单元得到3组证据体；计算各个证据体间的距离，由距离大小确定证据间的支持度矩阵，将证据支持度矩阵中最大特征值对应的特征向量作为证据的权重向量，确定各证据的相对折扣因子来对证据进行修正，利用DS融合规则计算融合后的BPA，最终得到故障的分类结果。本发明解决了现有技术中存在的对于滚动轴承故障诊断方法准确率低的问题。
一种基于 ds 证据理论滚动轴承故障诊断方法

[发明专利]覆盖结构、半导体器件及其形成方法-CN201910106349.6有效
发明人： 刘柏均;喻中一;陈逸群 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-02-02 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在一些实施例中，提供了一种半导体器件。该半导体器件包括设置在半导体衬底中的外延结构，其中，该外延结构具有IV族化学元素，其中，外延结构从半导体衬底的第一侧延伸到半导体衬底中。光电检测器至少部分地布置在外延结构中。具有与第一IV族化学元素不同的第一覆盖结构化学元素的第一覆盖结构覆盖位于半导体衬底的第一侧上的外延结构。第二覆盖结构布置在第一覆盖结构和外延结构之间，其中，第二覆盖结构包括IV族化学元素和第一覆盖结构化学元素。本发明的实施例还提供了半导体器件的形成方法。
覆盖结构半导体器件及其形成方法

[实用新型]一种学习用品收纳结构-CN202122407181.8有效
发明人： 刘柏均 -专利权人： 刘柏均
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： A47B13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种学习用品收纳结构，包括挂条以及位于所述挂条上端的安装构件；所述挂条通过所述安装构件固定于桌体的边缘处；所述挂条的上部间隔开设有多个挂孔，所述挂条的下部间隔形成有多个挂接体；所述挂孔处安装有挂钩，该挂钩用以悬挂杂物；所述挂接体处安装有收纳箱，所述收纳箱内部形成为收纳腔。本实用新型的收纳结构通过挂条能够集成多个挂钩和多个收纳箱，挂钩用以悬挂收纳钥匙等杂物，收纳箱能够放置书籍和文件等，实现了分类存放，方便用户查收的同时，还可以节约学习桌的空间，该结构设计新颖、拆装方便，使用方式灵活。
一种学习用品收纳结构

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110162023.2在审
发明人：陈祈铭;陈奎铭;刘柏均;喻中一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：方法包括在绝缘体上硅(SOI)衬底上方形成栅极结构。SOI衬底包括：基底半导体层；位于基底半导体层上方的绝缘层；以及位于绝缘层上方的顶部半导体层。方法还包括：在栅极结构的顶面上方并且沿栅极结构的侧壁沉积栅极间隔件层；蚀刻栅极间隔件层以在栅极结构的侧壁上限定栅极间隔件；在蚀刻栅极间隔件层之后，使用第一蚀刻工艺在顶部半导体层中蚀刻凹槽；以及在第一蚀刻工艺之后，使用第二蚀刻工艺将凹槽进一步延伸至顶部半导体层中。第一蚀刻工艺与第二蚀刻工艺不同。方法还包括在第二蚀刻工艺之后在凹槽中形成源极/漏极区域。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

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