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[发明专利]氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件-CN202310349131.X在审
发明人：吕元杰;王元刚;周国;刘方罡;戴剑;周幸叶;王磊;宋学峰;崔玉兴;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及相关器件。该方法包括：在氮化镓外延片的正面生长保护层；在保护层的正面的第一预设区域进行第一离子注入，并采用预设温度激活第一离子；在保护层的正面的第二预设区域进行第二离子注入，第二预设区域与第一预设区域不重合；在保护层的正面键合临时载片，去除氮化镓外延片底部的衬底以及形核层；在氮化镓外延层的背面键合金刚石，并去除临时载片，露出保护层的正面；在保护层的正面的第一预设区域上制备欧姆接触电极，并制备栅电极。本发明能够解决现有技术中氮化镓底面不平整无法实现与金刚石的良好键合问题，或者导致氮化镓与金刚石键合界面在高温下裂开的问题。
氮化开关器件功率放大器制备方法对应

[发明专利]氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件-CN202310349124.X在审
发明人：吕元杰;王元刚;周国;刘方罡;戴剑;周幸叶;王磊;宋学峰;崔玉兴;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件。该方法包括：在氮化镓外延片的正面的第一预设区域进行第一离子注入，并采用预设温度激活所述第一离子；在所述氮化镓外延片的正面的第二预设区域进行第二离子注入，所述第二预设区域与所述第一预设区域不重合；在所述氮化镓外延片的正面键合临时载片，去除所述氮化镓外延片底部的衬底以及形核层；在所述氮化镓外延层的背面生长金刚石，并去除所述临时载片；在所述氮化镓外延层的正面的所述第一预设区域上制备欧姆接触电极，并制备栅电极。本发明能够解决现有技术中氮化镓底面不平整无法实现与金刚石良好键合问题，或者导致氮化镓与金刚石键合界面在高温下裂开的问题。
氮化开关器件功率放大器制备方法对应

[发明专利]单刀双掷微波开关-CN202310249449.0在审
发明人：戴剑;王磊;李士卿;崔亮;陈南庭;宋学峰;侯伦;刘方罡;刘海峰;郭丰强;武世英;申靖轩;范仁钰;傅琦;刘乐乐;高显;苏辰飞;梁家铖 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了一种单刀双掷微波开关。该单刀双掷微波开关包括：第一晶体管、第二晶体管、第一电感、第二电感、输入端口、第一输出端口、第二输出端口、第一控制端口和第二控制端口；第一晶体管的第一端连接输入端口，第一晶体管的第二端连接第一输出端口，第一晶体管的栅极连接第一控制端口；第二晶体管的第一端连接输入端口，第二晶体管的第二端连接第二输出端口，第二晶体管的栅极连接第二控制端口；第一电感并联于第一晶体管的第一端与第一晶体管的第二端之间，第二电感并联于第二晶体管的第一端与第二晶体管的第二端之间。本申请提供的单刀双掷微波开关具有低插入损耗，降低了射频信号的损耗。
单刀微波开关

[发明专利]一种基于MMIC的延时线电路及其调试方法-CN202310174279.4在审
发明人：高显;侯伦;刘帅;武世英;郭丰强;刘海峰;苏辰飞;梁家铖;刘方罡;王杰;高晓冲;李帅;苏鹏生;李艳玲;胡占祥 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03K5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种基于MMIC的延时线电路及其调试方法。该延时线电路包括：多个依次串联的延时模块；每个延时模块包括第一单刀双掷开关、参考支路、延时支路和第二单刀双掷开关；每个延时模块还包括多个沿延时支路分布的延时调整单元，其中，各延时调整单元上设有第一焊盘；延时支路上设有第二焊盘，其中，第二焊盘用于在调试延时线电路时，基于实测延时量与设计值的差异，通过金丝键合与相应数量的延时调整单元的第一焊盘连接。本发明能够通过切换各参考支路、延时支路的开关组合状态，实现多位延时量。同时延时支路可在调试时通过金丝键合连接一定数量的延时调整单元消除相位误差，减少了多位延时线电路相位误差波动、提高了整体延时精度。
一种基于 mmic 延时电路及其调试方法

[发明专利]W波段混频器-CN202310145574.7在审
发明人：梁家铖;戴剑;王磊;侯伦;崔亮;陈南庭;苏辰飞;傅琦;高显;范仁钰;刘方罡;郭丰强;刘乐乐 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03D7/16 文献下载
摘要：本申请适用于混频器技术领域，提供了一种W波段混频器。该W波段混频器包括：第一电桥、第二电桥、第三电桥、第一场效应晶体管和第二场效应晶体管；第一电桥的输入端作为混频器的本振端用于接收本振信号；第一电桥的直通端连接第一场效应晶体管的栅极，第一电桥的耦合端连接第二场效应晶体管的栅极；第一场效应晶体管的漏极分别连接第二电桥的直通端和第三电桥的耦合端，第二场效应晶体管的漏极分别连接第二电桥的耦合端和第三电桥的直通端；第二电桥的输入端作为混频器的射频端；第三电桥的输入端作为混频器的中频端。本申请提供的W波段混频器有效降低了损耗，提高了本振射频隔离度，可以应用于复杂电磁环境中。
波段混频器

[发明专利]可调芯片-CN202010206725.1有效
发明人：谭超;王磊;白锐;白银超;潘海波;刘桢;徐森锋;马伟宾;顾登宣;范仁钰;傅琦;刘方罡;张凤麒;杨栋 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供了一种可调芯片，包括：堆叠集成的第一芯片和第二芯片；所述第一芯片印制有基础电路，所述基础电路包含至少一级功能电路；所述第二芯片印制有至少一个调试电路，每个调试电路都对应一级功能电路；对于相互对应的功能电路与调试电路，所述功能电路的输出端与所述调试电路的输入端连接，所述功能电路的下级电路的输入端与所述调试电路的输出端连接。本发明提供的可调芯片能够在不改变芯片平面面积的同时实现对芯片性能的调整。
可调芯片

[发明专利]巴伦结构及混频器-CN202210214047.2在审
发明人：郭丰强;申靖轩;刘乐乐;马春雷;王凯;刘方罡;马伟宾;侯伦;苏辰飞;刘海峰;王杰;成立鑫 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01P5/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种巴伦结构及混频器，该巴伦结构包括：单共面波导结构、平行板结构、双共面波导结构；平行板结构中上平行板和下平行板平行设置；单共面波导结构中第一信号线与下平行板连接，第一接地线和第二接地线均通过金属柱与上平行板连接；双共面波导结构中第二信号线通过金属柱与上平行板连接，第三信号线与下平行板连接，第三接地线、第五接地线均与第四接地线相连；第一信号线的另一端为巴伦结构的非平衡输入端口，第二信号线的另一端为巴伦结构的第一平衡输出端口，第三信号线的另一端为巴伦结构的第二平衡输出端口。本发明能够解决传统巴伦存在的损耗高、尺寸大、不易集成和相位平衡度不够的技术问题。
结构混频器

[发明专利]混频器及通信装置-CN202111145685.5在审
发明人：傅琦;刘乐乐;刘帅;王磊;赵瑞华;王海龙;范仁钰;马寒啸;刘方罡;陈然;郝俊祥;杨旭达;成立鑫;张忠山 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H03D7/16 文献下载
摘要：本发明适用于混频器技术领域，提供了一种混频器及通信装置，上述混频器包括：混频模块及180度电桥；混频模块的第一输入端用于输入本振信号，混频模块的第二输入端用于输入射频信号，混频模块的第一输出端与180度电桥的第一输入端连接，混频模块的第二输出端与180度电桥的第二输入端连接，180度电桥的输出端用于输出目标信号；混频模块用于对本振信号和射频信号进行混频，并分别由混频模块的第一输出端及混频模块的第二输出端输出两路幅值相同、相位相差180度的混频信号。本发明通过混频模块及180度电桥构建差分网络，提高了端口的隔离度。
混频器通信装置

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