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[发明专利]一种双栅ITZO薄膜晶体管及其制备方法-CN202310250147.5在审
发明人：杨冠华;吴子竞;陈楷飞;刘孟淦;卢文栋;廖福锡;卢年端;李泠 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明涉及一种双栅ITZO薄膜晶体管及其制备方法，属于微电子技术领域，解决了现有技术薄膜晶体管的高迁移率和高稳定性难以同时满足的问题。所述的晶体管自下而上包括依次叠加设置的背栅、背栅介质层、a‑ITZO层、顶栅介质层和顶栅；所述的a‑ITZO层的左端的上表面与顶栅介质层之间设置有源极层，所述的a‑ITZO层的右端的上表面与顶栅介质层之间设置有漏极层；所述的背栅介质层和顶栅介质层的材质均为氧化铝。本发明的背栅介质层和顶栅介质层材质均采用氧化铝，在上下两个栅极同时施加栅压的时候，载流子倾向于在沟道中部运动，更少受到背栅介质层和顶栅介质层两个界面对器件性能的影响，从而实现更好的稳定性和更高的迁移率。
一种 itzo 薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种具有漏栅互联结构的IGZO晶体管及其制备方法-CN202310274252.2在审
发明人：杨冠华;刘孟淦;陈楷飞;卢文栋;廖福锡;吴子竞;卢年端;李泠 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种具有漏栅互联结构的IGZO晶体管及其制备方法；晶体管包括：背栅、背栅介质层、a‑IGZO沟道层、顶栅介质层、源极及漏极源极、漏极与顶栅介质层的侧面、a‑IGZO沟道层的侧面连接，源极、漏极与背栅介质层顶部连接，漏极与顶栅介质层顶部连接，源极与顶栅介质层顶部不连接。本发明解决了IGZO晶体管源漏极容易接触短路、IGZO沟道区狭窄导致的电子迁移率低、开态电流小的问题，同时较现有技术同等条件下具有更大的电子迁移率，同时具有更大的漏极电场，有助于降低接触势垒，进一步增强IGZO晶体管电子注入能力。
一种具有漏栅互联结 igzo 晶体管及其制备方法

[发明专利]一种肖特基薄膜晶体管及其制备方法、应用-CN202310270954.3在审
发明人：杨冠华;刘孟淦;陈楷飞;卢文栋;廖福锡;吴子竞;卢年端;李泠 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种肖特基薄膜晶体管及其制备方法、应用。一种肖特基薄膜晶体管，其包括衬底；所述衬底上表面设置依次层叠的背栅层、背栅介质层和沟道层；所述沟道层上表面左右两侧分别设置源极层和漏极层，并且在所述源极层和所述漏极层之间由顶栅介质层分隔开，且所述顶栅介质层覆盖所述沟道层的上表面；所述源极层还覆盖所述顶栅介质层的部分表面。本发明解决了高本征增益和低功耗不能兼顾的问题。
一种肖特基薄膜晶体管及其制备方法应用

[发明专利]一种短沟道双栅IGZO薄膜晶体管及其制备方法-CN202310266238.8在审
发明人：杨冠华;吴子竞;白子恒;刘孟淦;陈楷飞;卢文栋;廖福锡;卢年端;李泠 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种短沟道双栅IGZO薄膜晶体管及其制备方法，用以解决现有技术中双栅IGZO薄膜晶体管的顶接触长度大、接触电阻大的问题，所述的晶体管自下而上包括依次叠加设置的背栅、背栅介质层、a‑IGZO层、顶栅介质层和顶栅；所述的a‑IGZO层左端的上表面与顶栅介质层之间设置有源极层，所述的a‑IGZO层的右端的上表面与顶栅介质层之间设置有漏极层；所述的源极层和漏极层之间设置有沟道，所述的沟道的长度LCH为30‑36nm，漏极层和源极层的顶接触长度LC均为40‑44nm。本发明的双栅IGZO薄膜晶体管通过各层的综合作用，实现高密度集成，同时还具有优良的电学性能，所述的晶体管的开态电流≥56.3μA/μm，接触电阻≤500Ω·μm。
一种沟道 igzo 薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]垂直堆叠的互补场效应晶体管及其制造方法-CN202210243018.9在审
发明人： 刘孟淦;杨冠华;李泠;卢年端 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直堆叠的互补场效应晶体管及其制造方法，包括衬底、第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管垂直堆叠在所述衬底上，所述第一晶体管包括第一沟道层，所述第二晶体管包括第二沟道层，所述第一沟道层为采用化学气相沉积法制备的单层MoS2层，所述第二沟道层为采用化学气相沉积法制备的单层WSe2层。通过将两个晶体管垂直堆叠，并配合减小各晶体管中沟道层的厚度，可以极限减小晶体管的布局面积和厚度，从而达到在平面和纵向同时极限微缩的目的。
垂直堆叠互补场效应晶体管及其制造方法