专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于有机场效应晶体管结构的光放大器件的制备方法-CN202210437324.6在审
  • 刘城芳;谢辉;赖文勇 - 南京邮电大学
  • 2022-04-25 - 2022-08-16 - H01L51/40
  • 本发明公开一种基于有机场效应晶体管结构的光放大器件的制备方法,属于有机光电技术领域。(1)在干净的衬底栅极上制备具有DFB光栅结构的聚合物栅介电层;(2)在DFB介电层上制备有源层;(3)在有源层上制备源极和漏极,所得器件包括栅极、聚合物栅介电层、有源层、源极和漏极;该聚合物栅介电层的表面具有分布式反馈(DFB)光栅结构,制备成有机场效应晶体管(OFET)器件后可实现光放大功能。本发明不仅能够通过DFB光栅实现光放大功能,还具有场效应的开关功能。此外通过本方法制备器件的有源层可灵活改变其结构,以获得理想的光电性能,工艺简单,在有机光电领域具有重要应用前景。
  • 一种基于有机场效应晶体管结构放大器件制备方法
  • [发明专利]一种有机场效应晶体管及其制备方法-CN202110699232.0在审
  • 赖文勇;姬东周;刘城芳;谢辉 - 南京邮电大学
  • 2021-06-23 - 2021-09-24 - H01L51/05
  • 本发明是一种有机场效应晶体管及其制备方法,该有机场效应晶体管包括栅极、介电层、活性层、源极和漏极,该介电层具有纳米级沟槽,可改善活性层的分子排列,提高OFET器件载流子迁移率。该有机场效应晶体管的制备方法包括以下步骤:(1)在栅极上制备介电层;(2)在介电层上制备纳米级沟槽及活性层;(3)在活性层上制备源极和漏极。本发明不仅可以通过介电层上纳米级沟槽灵活调控活性层薄膜的纳米级形态、改善器件的载流子传输特性,而且工艺简单、成本低廉,此外,通过本方法制备的有机场效应晶体管器件介电层薄膜漏电小,可显著提高有机场效应晶体管的电学性能,在有机电子领域具有重要应用前景。
  • 一种有机场效应晶体管及其制备方法
  • [发明专利]一种有机激光器件及其制备方法-CN202110699243.9在审
  • 赖文勇;姬东周;刘城芳;谢辉 - 南京邮电大学
  • 2021-06-23 - 2021-09-24 - H01S5/30
  • 本发明是一种有机激光器件及其制备方法,该有机激光器件包括衬底、栅极、介电层、有源层、源极和漏极,衬底、栅极和介电层为透明材料,介电层具备光学谐振腔。该有机激光器件的制备方法包含如下步骤:(1)在栅极上制备介电层;(2)在介电层上制备光学谐振腔及有源层;(3)在有源层上制备源极和漏极。本发明的制备方法可更方便引入谐振腔,简单易行、成本低廉,适用于构筑柔性有机激光器件,通过本方法制备的有机激光器件不仅可实现场效应载流子传输,此外可同时实现激光出射,在电泵浦有机激光器件方面具有重要应用前景。
  • 一种有机激光器件及其制备方法
  • [发明专利]一种印刷制作有机场效应晶体管的方法-CN201610286716.1在审
  • 赖文勇;黄维;林燕;刘城芳 - 南京邮电大学
  • 2016-05-03 - 2016-09-07 - H01L51/05
  • 本发明公开了一种印刷制作有机场效应晶体管的方法,具体是一种插入离子自组装层作为电极修饰层大幅改善喷墨打印制作有机场效应晶体管(OFET)器件性能的方法。所采用的器件结构是底栅底接触结构:栅极/绝缘层/绝缘层修饰层/源漏电极/电极修饰层/半导体层。其中器件可以在硅片上制备,也可以在柔性基板塑料、相片纸等上制备,源漏电极可以是金、银等材料,半导体层可以是并五苯、聚噻吩(P3HT)、聚噻吩衍生物(PTB7)等。其制备方法可以是喷墨打印、丝网印刷等。本发明的方法,操作简单易行、节省材料、环境友好,并且加入电极修饰层后可以显著降低接触电阻提高器件性能。
  • 一种印刷制作有机场效应晶体管方法

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