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[发明专利]一种高可靠反熔丝开关单元结构-CN202310468698.9有效
发明人：李幸和;刘国柱;魏轶聃;刘佰清;于宗光;魏敬和 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开一种高可靠反熔丝开关单元结构，属于微电子领域，包括第一反熔丝器件、第二反熔丝器件、第一高压NMOS管、第二高压NMOS管、第三高压NMOS管、旁路二极管、信号传输NMOS管；通过所述第一反熔丝器件/所述第二反熔丝器件的编程形成开态，与第一高压NMOS管/第二高压NMOS管构成通路，实现编程电压VPP信号对信号传输NMOS管的栅极电位控制，进而实现信号传输NMOS管开/关态。本发明开关单元结构简单，兼容于CMOS工艺，具有良好高可靠和抗辐射特性，可应用于高可靠、抗辐射可编程逻辑器件和存储器。
一种可靠反熔丝开关单元结构

[发明专利]一种通孔下MTM反熔丝的制备方法-CN201811601878.5在审
发明人：郑若成;王印权;吴素贞;刘佰清;郑良晨;洪根深 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种通孔下MTM反熔丝的制备方法，属于半导体制造技术领域。首先在衬底材料上依次形成金属间介质层和下极板导电层，在所述下极板导电层表面淀积下极板阻挡层，在下极板阻挡层上形成凹槽窗口；然后在形成凹槽窗口的下极板阻挡层的表面淀积反熔丝膜层，在所述反熔丝膜层的表面淀积上极板阻挡层；刻蚀所述上极板阻挡层和所述反熔丝膜层；刻蚀所述下极板阻挡层和所述下极板导电层；通过钨塞填充通孔，再进行上极板导电层溅射。本发明基于通孔下反熔丝单元结构，工艺简单，成本低，工艺可靠性高，反熔丝单元编程击穿区域限制在凹槽窗口的台阶处，编程电流密度大，有利于编程后反熔丝单元工作可靠性。
下极板阻挡层通孔反熔丝膜导电层上极板编程反熔丝单元表面淀积反熔丝刻蚀制备半导体制造技术反熔丝单元结构金属间介质层导电层表面工艺可靠性工作可靠性衬底材料区域限制台阶处淀积击穿极板溅射钨塞填充

[发明专利]抗辐射PIP型ONO反熔丝结构及CMOS工艺集成法-CN201610841682.8有效
发明人：刘国柱;洪根深;赵文斌;吴建伟;朱少立;徐静;刘佰清 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及抗辐射PIP型ONO反熔丝结构及CMOS工艺集成法，ONO反熔丝结构制作在场区之上；由下至上包括反熔丝下极板、反熔丝孔腐蚀掩蔽层、ONO反熔丝介质层、反熔丝上极板，反熔丝下极板为N型饱和掺杂的非晶硅薄膜，覆盖于场区上，反熔丝下极板的侧壁采用SPACER保护，反熔丝下极板的正上方设置贯通反熔丝孔腐蚀掩蔽层的反熔丝孔，反熔丝孔腐蚀掩蔽层覆盖于有源区、反熔丝下极板上，ONO反熔丝介质层覆盖于反熔丝孔腐蚀掩蔽层上，并填充在反熔丝孔内，反熔丝上极板是N型饱和掺杂的多晶硅薄膜。本发明能提升ONO反熔丝结构的单元抗辐射性能，缩小集成单元面积，优化ONO反熔丝结构设计，提高ONO反熔丝工艺的集成度。
辐射 pip ono 反熔丝结构 cmos 工艺集成

[发明专利]一种抗辐射ONO反熔丝单元结构及其制备方法-CN201510386047.0有效
发明人：刘国柱;洪根深;郑若成;吴建伟;刘佰清;汤赛楠 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗辐射ONO反熔丝单元结构及其制备方法，属于微电子的技术领域。按照本发明提供的技术方案，抗辐射ONO反熔丝单元结构包括ONO反熔丝单元，ONO反熔丝单元制作在SOI硅衬底的顶层硅膜上，并被STI隔离槽全介质隔离；STI隔离槽的侧壁上覆盖有SiOxNy层，并填充有非掺杂的多晶硅或者非晶硅介质。本发明抗辐射ONO反熔丝单元结构的制作工艺简单，兼容于CMOS工艺，该抗辐射ONO反熔丝单元结构，不仅具有编程电压均匀性好、编程时间短、编程导通电阻低，而且具有抗总剂量和单粒子能力等优点，同时，本发明抗辐射ONO反熔丝单元结构的制备方法也适用于体硅CMOS工艺。
一种辐射 ono 反熔丝单元结构及其制备方法

[发明专利]抗辐射Sence‑Switch型nFLASH开关单元结构及其制备方法-CN201710478341.3在审
发明人：刘国柱;洪根深;赵文斌;曹利超;刘佰清;朱少立 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗辐射Sence‑Swtich型nFLASH开关单元结构及其制备方法。按照本发明提供的技术方案，所述Sence‑Switch型nFLASH开关单元是制作在SOI顶层硅P阱中，并被STI隔离槽全介质隔离；所述的Sence‑Switch型FLASH开关单元是通过浮栅多晶硅实现了编程/擦除管与信号传输管电荷共享；所述的编程/擦除管的隧道氧化层和信号传输管的栅氧化层是采用掺N工艺与HTO结合的加固双栅氧工艺实现，其余均采用业界标准工艺制作完成。本发明抗辐射Sence‑Switch型nFLASH开关单元工艺简单，兼容于CMOS工艺，不仅具有良好的电荷保持特性、耐久性、阈值窗口宽，而且具有抗总剂量和单粒子能力等优点。同时，本发明抗辐射Sence‑Switch型nFLASH开关单元SOI工艺集成方法也适用于体硅CMOS工艺。
辐射 sence switch nflash 开关单元结构及其制备方法

[发明专利]一种反熔丝单元结构及其制备方法-CN201710216348.8在审
发明人： 刘佰清;刘国柱;洪根深;郑若成 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种反熔丝单元结构及其制备方法，该反熔丝单元结构为N+/SiOxNy/METAL(N+扩散区/SiOxNy/Metal)反熔丝单元结构。按照本发明提供的技术方案，N+/ON/M反熔丝单元结构适用于多种材料片，包括SOI圆片、体硅片及外延片。N+/ON/M反熔丝单元结构工艺流程与CMOS工艺流程完全兼容。反熔丝介质层是SiOxNy材料，反熔丝上极板采用金属材料，并采用TiN材料作为阻挡层，有效降低了反熔丝单元的编程电阻。本发明N+/SiOxNy/METAL反熔丝单元结构工艺流程简单，与CMOS工艺兼容，有效地避免NMOS器件“自掺杂”现象的产生，同时直接采用金属作为反熔丝单元结构的上电极，可以有效地降低反熔丝单元的编程电压及导通电阻。
一种反熔丝单元结构及其制备方法

[发明专利]复合介质栅MOSFET光敏探测器的复位方法-CN201410226686.6有效
发明人：司向东;闫锋;吴福伟;夏好广;马浩文;卜晓峰;刘佰清 -专利权人：南京大学
申请日： 2014-05-26 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合介质栅MOSFET光敏探测器的复位方法，具体过程如下通过FN隧穿的方法将阵列中所有像元的阈值电压先注入提高到3V左右，再用FN方式使电压降低到0.5V左右，最后再通过FN隧穿注入的方式把成像阵列中所有成像器件单元的阈值电压恢复到一个适中的数值（约1V），作为下一次成像的初始阈值电压，并且所有像元的阈值电压分布在一个较小的电压范围，以增加成像窗口，提高动态范围，提高复合介质栅MOSFET光敏探测器的成像效果。本发明的复位方法，可以实现高分辨率复合介质栅MOSFET光敏探测器的快速复位，并且复位功耗很小，简单易实现。
复合介质 mosfet 光敏探测器复位方法

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