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[发明专利]一种量子点电化学池发光器件及其制备方法-CN202310934290.6在审
发明人：刘川;任云飞;刘佰全 -专利权人：中山大学
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10K50/15 文献下载
摘要：本申请公开了一种量子点电化学池发光器件及其制备方法，所述发光器件包括第一连接结构和第二连接结构；所述第一连接结构和所述第二连接结构，包括第一电极、第二电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点电化学池发光层、电子传输层以及衬底基板；所述第一连接结构和所述第二连接结构，为所述第一电极、所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述量子点电化学池发光层、所述电子传输层、所述第二电极以及所述衬底基板进行连接组合形成的不同的排布结构。本申请的量子点电化学池发光器件相比于传统量子点发光二极管器件，性能具有明显的优势，外量子效率、电流效率和功率效率都有明显提升。本申请广泛应用于半导体发光技术领域。
一种量子电化学发光器件及其制备方法

[发明专利]蓝光钙钛矿薄膜的制备方法、蓝光钙钛矿薄膜及发光器件-CN202310689273.0在审
发明人： 刘佰全;张灵骄;刘川 -专利权人：中山大学
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝光钙钛矿薄膜的制备方法、蓝光钙钛矿薄膜及发光器件，将溴化铯、溴化铅、氯化铅和有机配体的混合物溶解在二甲基亚砜溶剂中，得到前驱体溶液；有机配体为苯乙基溴化胺；在前驱体溶液中加入额外配体，得到钙钛矿前体溶液；额外配体为一种手性分子或至少两种手性分子的组合；在充满氮气的手套箱中，将均匀溶液进行旋转涂覆，并在旋转涂覆过程中添加反溶剂，得到原始薄膜；对原始薄膜退火后进行真空干燥，得到蓝光钙钛矿薄膜。上述方案以手性分子作为额外配体，可以跳出平面分子结构的框架，产生有效钝化钙钛矿缺陷作用的基团，并且还可以调节小n相的分布，最终使制备得到的蓝光钙钛矿发光薄膜的性能得到了很大的提升。
蓝光钙钛矿薄膜制备方法发光器件

[发明专利]一种基于电致发光叠层结构的光电探测器及其制备方法-CN202310699450.3在审
发明人：刘川;褚凌浩;刘佰全 -专利权人：中山大学
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电致发光叠层结构的光电探测器件及其制备方法，器件包括晶体管结构，晶体管结构包括透明衬底、半导体层、漏极、源极和栅极结构，栅极结构包括绝缘层和叠层发光二极管，叠层发光二极管包括透明电极、若干个发光二极管和导电电极，发光二极管之间设置有连接层，半导体层、漏极和源极均与绝缘层连接，绝缘层和透明电极连接。本发明实施例利用叠层发光二极管与晶体管结构的结合，便于光电探测‑电致发光一体化器件集成，提高了器件的发光效率和光吸收能力，可广泛应用于光电器件领域。
一种基于电致发光结构光电探测器及其制备方法

[发明专利]电子注入材料、倒置型有机电致发光器件和显示装置-CN202310185145.2在审
发明人： 刘佰全;方文惠 -专利权人：中山大学
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10K50/17 文献下载
摘要：本发明公开一种电子注入材料、倒置型有机电致发光器件和显示装置。本发明注入材料包括依次层叠设置的掺杂金属氧化物的P型材料层、掺杂金属的双极性材料层和掺杂金属的n型材料层，具有非常强的电子注入能力，能够有效降低IBOLED的驱动电压，提高其效率和发光强度。
电子注入材料倒置有机电致发光器件显示装置

[发明专利]蓝光薄膜的制备方法、蓝光薄膜及发光器件-CN202310172876.3在审
发明人： 刘佰全;吴润锋;陆冠桦;张灵骄 -专利权人：中山大学
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝光薄膜的制备方法、蓝光薄膜及发光器件，将溴化铯、溴化铅、氯化铅和有机配体的混合物溶解在二甲基亚砜溶剂中，得到前驱体溶液；在前驱体溶液中加入额外配体，得到钙钛矿前体溶液；在钙钛矿前体溶液中加入添加剂，并搅拌预设第一时长，得到均匀溶液；在充满氮气的手套箱中，将均匀溶液进行旋转涂覆，并在旋转涂覆过程中添加反溶剂，得到原始薄膜；对原始薄膜退火后进行真空干燥，得到蓝光钙钛矿薄膜。上述方案胺盐作为有机配体，并以小分子胺盐作为额外配体，最终使制备得到的蓝光钙钛矿发光薄膜的光致量子效率、器件的最大外量子效率、最大功率效率都有了很大的提升，还获得了较高的最大亮度和稳定的电致发光光谱。
薄膜制备方法发光器件

[发明专利]一种柔性OLED面板的封装方法及封装结构-CN202211401795.8在审
发明人： 刘佰全;周钰卜 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H10K50/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性OLED面板的封装方法及封装结构。该柔性OLED面板的封装方法，通过在覆盖OLED器件的第一无机阻挡层上形成有机缓冲层及第二无机阻挡层，在第一无机阻挡层下或第二无机阻挡层上形成第三无机阻挡层，从而得到封装结构，利用第一无机阻挡层、第二无机阻挡层、第三无机阻挡层共同对水氧进行阻隔，在保证封装结构的柔性的同时，增强了封装结构阻隔水氧的能力，有效地提升了柔性OLED面板的封装效果。第三无机阻挡层位于第一无机阻挡层下方时，该结构具有更好的封装性能；第三无机阻挡层位于第二无机阻挡层上方时，该结构具有更好的光学透过率。本发明提供的一种柔性OLED面板的封装结构，具有较高的水氧阻隔性及柔性，提升柔性OLED面板的封装效果。
一种柔性 oled 面板封装方法结构

[发明专利]一种具有高显色指数的高效杂化白光有机电致发光器件及其制备方法-CN201811589829.4有效
发明人：罗东向;刘佰全;陈其赞;邱莹;张梦龙 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明属于有机半导体领域，公开一种具有高显色指数的高效杂化白光有机电致发光器件及其制备方法。该电致发光器件包括依次为基板、阳极、空穴层、有机功能层、电子层和阴极，有机功能层介于介于空穴层和电子层之间；有机功能层包括红色磷光层、黄色磷光层、蓝色荧光层和绿色磷光层，蓝色荧光层与红色磷光层不接触，蓝色荧光层与黄色磷光层和绿色磷光层接触，蓝色荧光层为非掺杂发光层，红色磷光层、黄色磷光层和绿色磷光层为掺杂发光层；空穴层按靠近阳极依次包括空穴注入层和空穴传输层，电子层按靠近阴极依次包括电子注入层和电子传输层。该电致发光器件的结构简单，具有较高的效率和较高的显色指数(CRI)，显色指数可高达80以上。
一种具有显色指数高效白光有机电致发光器件及其制备方法

[实用新型]一种同质结薄膜晶体管-CN201821760959.5有效
发明人：肖鹏;黄俊华;袁健;刘佰全;罗东向 -专利权人：佛山科学技术学院
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种同质结薄膜晶体管，包括源电极、漏电极和有源层，源电极、漏电极和有源层的材料均采用电阻在半导体和导体范围内可调的氧化物材料制得的氧化物薄膜，且由于它们的制备工艺相似，且源电极和漏电极设在有源层上方或被有源层覆盖的设计，进而可避免因采用组成元素不同的材料带来的交叉污染，可降低制作成本；同时，源电极、漏电极与有源层采用相同元素组成的氧化物材料也使得源电极、漏电极与有源层之间属同质结接触，容易形成良好的欧姆接触从而降低接触电阻，有利于制备高迁移率、高稳定性的薄膜晶体管器件。本实用新型制得的同质结薄膜晶体管具有优异的电学性能，具有较高的迁移率和稳定性，能满足驱动OLED和LCD发光单元的需求。
一种同质薄膜晶体管

[实用新型]一种薄膜晶体管-CN201821760952.3有效
发明人：肖鹏;黄俊华;袁健;刘佰全;罗东向 -专利权人：佛山科学技术学院
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜晶体管，包括基板、栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极，其中，所述薄膜晶体管中的有源层采用稳定性较好且Hall迁移率高的Nb‑In‑O材料制成的Nb‑In‑O薄膜，使得到的薄膜晶体管具有高稳定性和高Hall迁移率(30cm2V‑1s‑1)且同时能满足超高分辨率显示驱动需求，同时，使得有源层与其它层结构在叠合后有更好的界面接触，电学性能优良，并且还能进一步有助于底栅顶接触结构、底栅底接触结构、顶栅底接触结构和顶栅顶接触结构的薄膜晶体管有更好的稳定性和更高的Hall迁移率。
一种薄膜晶体管

[发明专利]一种白色有机电致发光器件-CN201710123553.X有效
发明人：罗东向;杨炎锋;刘佰全;肖也;招瑜;郝明明 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种白光有机电致发光器件，包括：基板，设置在所述基板上的发光结构，所述发光结构包括：阳极、阴极和功能层，所述功能层设置在阴极和阳极之间，所述功能层包括发光层和间隔层，其特征在于，所述发光层至少包括：一层蓝色荧光层、一层具有高三线态能级的磷光层和一层具有低三线态能级的磷光层，所述蓝色荧光层、具有高三线态能级的磷光层和具有低三线态能级的磷光层之间用间隔层分开。本发明采用多种有机发光材料制备得到具有亮度高、效率高特性的杂化白光OLED。另外，本发明中功能层都可以采用非掺杂技术完成，能有效降低工艺复杂度，减少成本。
一种白色有机电致发光器件

[发明专利]一种蓝绿光制备白光有机电致发光器件-CN201910388667.6在审
发明人：罗东向;刘佰全;杜国辉;陈其赞;邱莹 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝绿光制备白光有机电致发光器件，包括基板、阳极、阴极和介于阳极与阴极之间的有机功能层和电荷生成层；所述有机功能层设为两层，分别为第一有机功能层和第二有机功能层，位于电荷生成层的上下两侧；所述基板、阳极、第一有机功能层、电荷生成层、第二有机功能层、阴极自下而上依次设置；所述有机功能层包括自下而上设置的空穴注入层、空穴传输层、发光单元和电子注入层；所述发光单元采用多发光层结构或单发光层结构设计；所述发光单元采用多发光层结构时，至少包括一层蓝光层和一层绿光层；所述发光单元采用单发光层结构时，包括蓝绿光层，且蓝光材料的浓度高于绿光材料。本发明还具有结构简单、操作方便、容易实施的优点。
有机功能层发光单元阴极电荷生成层阳极蓝绿光白光有机电致发光器件多发光层结构单发光层基板制备电子注入层空穴传输层空穴注入层蓝光材料绿光材料上下两侧依次设置蓝光层绿光层两层

[发明专利]一种模拟太阳光的有机电致发光器件-CN201910074435.3在审
发明人：罗东向;刘佰全;陈其赞;邱莹;张梦龙 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供的一种模拟太阳光的有机电致发光器件，包括依次连接的基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、掺杂发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。所述掺杂发光层由主体与互补光客体构成；所述掺杂发光层的主体为蓝色荧光材料。本发明还提供了该器件的的制备方法包括：在基板上以溅射方法分别制备阳极、空穴注入层、空穴传输层、掺杂发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。本发明提供了一种模拟太阳光的有机电致发光器件及其制备方法，解决了现有技术中存在的器件制备难度大，显色指数不高的技术缺陷。
发光层有机电致发光器件模拟太阳光掺杂制备阴极电子传输层电子注入层空穴传输层空穴注入层阳极基板蓝色荧光材料技术缺陷器件制备显色指数依次连接互补光溅射客体

[发明专利]一种薄膜晶体管的氧化物半导体材料、薄膜晶体管及其制备方法-CN201811270531.7在审
发明人：肖鹏;黄俊华;刘佰全;罗东向 -专利权人：佛山科学技术学院
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管的氧化物半导体材料、薄膜晶体管，通过氧空位掺杂原理，在In₂O₃材料基础上巧妙地掺杂VB族元素中的铌，形成Nb‑In‑O材料，具有熔点高、Hall迁移率高及稳定性好等优点，同时利用该氧化物半导体材料制得的薄膜晶体管性能更稳定、Hall迁移率(>30cm²V^‑1s^‑1)且同时能满足超高分辨率显示驱动需求等优点。此外，Nb元素的电负性较高，Nb‑O键结合能大，可有效地抑制氧空位的产生，有利于抑制载流子浓度，使得有源层中的导电沟道有被栅极有效调控，而且稳定性好。同时，本发明制备工艺简单，成本低，相较镓元素而言，掺杂的铌元素更为常见，加之Nb的电负性大，只需掺杂少量Nb₂O₃就能够有效抑制载流子浓度，从而大大降低制备成本。
薄膜晶体管氧化物半导体材料载流子掺杂电负性迁移率氧空位制备结合能熔点发明制备工艺超高分辨率材料基础导电沟道显示驱动有效调控有效抑制掺杂的有效地铌元素镓元素源层

[发明专利]一种有机电致发光器件的制备方法-CN201611191826.6有效
发明人：罗东向;刘佰全;肖也;杨亿斌;郝明明;招瑜;牟中飞 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本申请提供了一种有机电致发光器件的制备方法，将空穴注入层材料、空穴传输层材料、发光层有机物、电子传输层材料和电子注入层材料置于同一个蒸发舟内；在基板上制备得到阳极；将所述蒸发舟内的各材料依次真空蒸镀，得到各功能层；在电子注入层上制备得到阴极；空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层中的材料的蒸发温度依次递增。本申请所有有机层等都使用单源制备，在制备器件过程中，只需要用到一个蒸发舟，一个蒸发源使得两种或两种以上材料制得器件。该技术能有效简化器件的制备工艺，降低成本，利于器件的商业化。
一种有机电致发光器件制备方法

[发明专利]一种薄膜晶体管-CN201811270519.6在审
发明人：肖鹏;黄俊华;袁健;刘佰全;罗东向 -专利权人：佛山科学技术学院
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管，包括基板、栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极，其中，所述薄膜晶体管中的有源层采用稳定性较好且Hall迁移率高的Nb‑In‑O材料制成的Nb‑In‑O薄膜，使得到的薄膜晶体管具有高稳定性和高Hall迁移率(>30cm²V^‑1s^‑1)且同时能满足超高分辨率显示驱动需求，同时，使得有源层与其它层结构在叠合后有更好的界面接触，电学性能优良，并且还能进一步有助于底栅顶接触结构、底栅底接触结构、顶栅底接触结构和顶栅顶接触结构的薄膜晶体管有更好的稳定性和更高的Hall迁移率。
薄膜晶体管迁移率源层顶接触结构接触结构底栅顶栅绝缘层超高分辨率电学性能高稳定性界面接触显示驱动层结构叠合基板漏极源极薄膜

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