专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种单晶硅抛光碱刻蚀添加剂及其应用-CN202211497699.8在审
  • 吴伟峰;凡宝安;毛科人 - 常州君合科技股份有限公司
  • 2022-11-25 - 2023-04-25 - C09K13/02
  • 本发明涉及光伏材料制备技术领域,尤其涉及一种单晶硅抛光碱刻蚀添加剂,其各组分的质量百分含量为:维生素E为0.8%~1.5%,碘酸钠为0.4%~2%,葡萄糖酸钠为1%~3%,苹果酸为0.1%~0.2%,聚乙烯吡咯烷酮为0.01%~0.04%,羧甲基纤维素钠0.2%~0.5%,余量为水,本发明中提供了一种碱抛光刻蚀液添加剂,由于在碱抛腐蚀体系中存在同向腐蚀,腐蚀过程会产生张力的影响,张力的影响是固定常数,因此,在反应体系中加入表面活性剂,可以降低界面的表面张力,使润浸角减小,从而提高硅片的润湿性,随着表面活性剂的加入,腐蚀反应所产生的气泡就会更加快速的离开硅片表面,从而使单晶硅表面产生结构更加均匀的腐蚀台阶结构。
  • 一种单晶硅抛光刻蚀添加剂及其应用

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