[发明专利]一种用于晶硅片快速碱抛光的抛光剂及其应用方法在审

专利信息
申请号: 202110289018.8 申请日: 2021-03-18
公开(公告)号: CN113136144A 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 张红利;王池;罗江;李雪芬;李扬;李锋清;袁振琴;凡宝安;张帅;周浩;熊健;曹锐;虢世恩;李强;毕超群;喻超;王丰;程力 申请(专利权)人: 武汉风帆电化科技股份有限公司
主分类号: C09G1/18 分类号: C09G1/18;H01L21/304;H01L31/18
代理公司: 武汉红观专利代理事务所(普通合伙) 42247 代理人: 李杰梅
地址: 430000 *** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提出了一种用于晶硅片快速碱抛光的抛光剂及其应用方法,包括基础液、辅助液和有机硅材料;基础液为碱液,基础液用于碱性刻蚀晶硅片;辅助液按质量百分比包括,1.0‑2.0%硫酸钠、1.0‑2.0%两性表面活性剂和5.0‑10%有机溶剂,余量为水;有机硅材料包括硅烷偶联剂和硅油,有机硅材料作为消泡剂及界面保护剂;将基础液、辅助液和有机硅材料按比例混合均匀后,再将晶硅片置于混合液中进行碱性刻蚀反应,同时搅拌溶液使反应充分;采用碱性抛光技术,低酸的消耗及排放,同时利用有机硅材料和两性表面活性剂协同作用,能够大幅提高刻蚀反应的效率,还可以迅速传递走产生的氢气气泡,从而保证抛光更均匀。
搜索关键词: 一种 用于 硅片 快速 抛光 及其 应用 方法
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