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[发明专利]一种采用白激光的成像干涉光刻方法和系统-CN200510086952.0无效
发明人： 冯伯儒;张锦 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2005-11-23 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种采用白激光的成像干涉光刻方法和系统，其特征是采用包含多个波长的白激光源与分光元件结合，并从分光元件分离出的多个波长中分别取出波长为λ提供垂直于掩模的照明、X方向偏置照明和Y方向偏置照明，三波长各自产生的图形在抗蚀剂基片上非相干叠加，一次曝光实现传统成像干涉光刻技术所需的三次曝光，系统中没有任何需要在曝光过程中调整的部件，一次曝光大大提高了曝光效率，有利于成像干涉光刻技术的推广应用。
一种采用激光成像干涉光刻方法系统

[发明专利]采用环形光栅和选通快门的成像干涉光刻方法和系统-CN200510086828.4无效
发明人：张锦;冯伯儒 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2005-11-10 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：采用环形光栅和选通快门的成像干涉光刻方法，其特征在于：采用环形光栅和选通快门装置为三次曝光成像干涉光刻提供垂直于掩模平面的照明、X方向偏置照明和Y方向偏置照明，实现成像干涉光刻的三次曝光。本发明通过选通快门控制，无任何影响系统稳定性的部件，曝光之间无须调整光路和图像对准，用选通快门的开启时间控制三次曝光的曝光剂量，优化曝光剂量比，提高图形对比度和分辨率，改善图形质量，方便、灵活实现三次曝光，有利于提高曝光效率和促进成像干涉光刻实用化。
采用环形光栅快门成像干涉光刻方法系统

[发明专利]采用梯形棱镜的五次曝光成像干涉光刻方法和系统-CN200510086829.9无效
发明人： 冯伯儒;张锦;刘娟 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2005-11-10 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：用梯形棱镜的五次曝光成像干涉光刻方法和系统，其特征是采用梯形棱镜与可编程选通快门结合，为掩模提供不同方位的照明(垂直于掩模的照明，使低空间频率成份曝光；沿+X方向的偏置照明与沿－X方向的偏置照明，使沿X方向分布的较高空间频率成分曝光；沿+Y方向的偏置照明与沿－Y方向的偏置照明，使沿Y方向分布的较高空间频率成份曝光)，实现五次曝光成像干涉光刻曝光。本发明无任何移动部件、曝光之间不需光路调整和图像对准，用可编程选通快门控制五次曝光的曝光时间(曝光剂量)和间隔时间，系统方便灵活、可优化曝光剂量，提高分辨率和图像质量。
采用梯形棱镜五次曝光成像干涉光刻方法系统

[发明专利]一种采用五次曝光的成像干涉光刻方法-CN200510086830.1无效
发明人：张锦;冯伯儒;刘娟 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2005-11-10 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种采用五次曝光的成像干涉光刻方法，其特征是在传统三次曝光基础上，增加了沿－X方向和－Y方向两次偏置曝光，使参与成像的频谱成分更加丰富，有利于进一步提高光刻图形对比度和分辨率，并改善离焦情况下抗蚀剂图形特征的横向位移误差，提高图形空间位置精度。
一种采用五次曝光成像干涉光刻方法

[发明专利]采用一个声光偏转器的成像干涉光刻方法和系统-CN200510086827.X无效
发明人：张锦;冯伯儒;宗德蓉 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2005-11-10 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：采用一个声光偏转器的成像干涉光刻方法和系统，其特征在于只使用一个声光偏转器，使从激光器发出的激光束发生偏转，当声光偏转器未加超声功率时，激光束直接透过声光偏转器，为掩模提供垂直照明；当声光偏转器水平方向加上一定频率的超声功率时，则在X方向产生偏转角正比于超声频率的一级衍射光，为水平方向偏置曝光提供照明，当声光偏转器垂直方向上加上超声功率时，则为垂直方向偏置曝光提供照明。通过改变超声功率可方便调节一级衍射光强度，易于实现不用衰减滤光片的曝光强度控制和不同空间频率成份曝光剂量控制，通过改变超声波频率可实时控制偏转角大小，可灵活、方便、快捷地实现成像干涉光刻所需的三次曝光，提高曝光效率和抗蚀剂图形质量。
采用一个声光偏转成像干涉光刻方法系统

[发明专利]用两个正交声光调制器的成像干涉光刻方法及光刻系统-CN200410009404.3无效
发明人： 冯伯儒;张锦;宗德蓉 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2004-08-05 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：用两个正交声光调制器的成像干涉光刻方法及光刻系统，其特征在于使用两个正交的声光调制器，使从激光器发出的激光束发生偏转，当声光调制器上未加超声功率时，激光直接透过声光调制器，为掩模提供垂直照明；当声光调制器加上一定频率的超声功率时，则产生偏转角与超声频率成正比的一级衍射光，为水平方向偏置曝光和垂直方向偏置曝光提供照明，通过改变超声功率可方便调节一级衍射光的强弱，实现不用衰减滤光片的曝光强度控制，通过改变超声波频率可实时控制偏转角大小，可方便、灵活、快捷地实现成像干涉光刻的三次曝光，产生高保真度的抗蚀剂图形。
两个正交声光调制器成像干涉光刻方法系统

[发明专利]一种采用光栅组合的成像干涉光刻方法及其光刻系统-CN200410009403.9无效
发明人：张锦;冯伯儒;刘娟 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2004-08-05 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种采用光栅组合的成像干涉光刻方法及其光刻系统，其特征是使用由一个水平光栅和一个垂直光栅组成的光栅组合和转动光阑相配合，为成像干涉光刻系统中的掩模提供Y方向倾斜照明和X方向倾斜照明，使传统成像干涉光刻在三次曝光之间需调整光路系统的复杂、费时工序得到简化，在整个曝光过程中，只须转动光阑两次，就可完成成像干涉干光刻所需的三次曝光过程，系统光路简单、紧凑，调节光路容易，缩短曝光时间，提高成像干涉光刻曝光效率，有利于成像干涉光刻的实用化。
一种采用光栅组合成像干涉光刻方法及其系统

[发明专利]采用选通快门和梯形棱镜的成像干涉光刻方法及其光刻系统-CN200410009405.8无效
发明人： 冯伯儒;张锦 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2004-08-05 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：采用选通快门和梯形棱镜的成像干涉光刻方法及系统，其特征是采用选通快门和梯形棱镜装置为三次曝光成像干涉光刻提供垂直方向照明、X方向偏置和Y方向偏置照明，实现成像干涉光刻的三次曝光。本发明无任何移动部件，减少振动影响，也不需要转动掩模或抗蚀剂基片，不存在三次曝光图像之间的对准难题，故实现较易，省事省时，并可通过选择各次曝光的快门开启时间控制曝光量以及控制三次曝光的相对曝光量比值，优化曝光频谱特性，提高对比度和分辨率，改善图形保真度。实现成像干涉光刻的三次曝光。
采用快门梯形棱镜成像干涉光刻方法及其系统

[发明专利]转动掩模和抗蚀剂硅片的成像干涉光刻方法及其光刻系统-CN200410009042.8无效
发明人：张锦;冯伯儒;刘娟;宗德蓉 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2004-04-26 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：转动掩模和抗蚀剂硅片的成像干涉光刻方法是，使用一个精密的转动机构，在垂直光照明掩模和x方向倾斜照明掩模进行低频和x方向高频分量两次曝光之后，使掩模和抗蚀剂硅片同步转动90°，然后进行y方向高频分量曝光，实现成像干涉光刻所需的第三次曝光，形成最终的高分辨掩模成像。该方法原理简单，无须使用多台波长不同的激光器或频移器件，使系统设备费用降低，系统结构及调整、对准简化，并用快门控制曝光时间，采用可变滤光片调节曝光光强比，并且在低频分量和高频分量曝光之间用一个可转进转出全反镜提高了激光能量利用率，最终达到高分辨、高像质成像。本发明使在三次曝光之间不需要实时调整光路，用一个波长的一台激光器便可实现成像干涉光刻，减少了三次曝光之间的调整和对准困难，并缩短了三次曝光所需的时间，提高曝光效率。
转动抗蚀剂硅片成像干涉光刻方法及其系统

[发明专利]采用全息光学元件的激光干涉光刻方法及其光刻系统-CN200410009038.1无效
发明人：张锦;冯伯儒 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2004-04-26 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：采用全息光学元件的激光干涉光刻方法，其特征在于：采用全息光学元件作为光束振幅分割元件将入射其上的激光束分成强度近似相等且分开角度的两光束，经反射使它们相交，在相交重叠区对抗蚀剂基片进行曝光产生高分辨光栅，形成微细干涉图形，全息光学元件为产生三光束、或四光束、或五光束的全息光学元件，或计算机产生的全息图、或衍射光学元件，实现上述方法的激光干涉光刻系统，由波长为λ激光器、扩束准直器、定时快门、可变密度中性滤光片、全息光学元件、可调光阑、全反射镜、光衰减器、基片及电控转动机构组成。本发明由于全息光学元件制作容易，重量轻，易于按不同角度要求制作，以适应不同需求，费用省，对减小激光干涉光刻系统尺寸、重量和成本具有重要意义和应用前景。
采用全息光学元件激光干涉光刻方法及其系统

[发明专利]声光调频一次曝光成像干涉光刻方法及其系统-CN200310100170.9无效
发明人：张锦;冯伯儒;刘娟;宗德蓉;罗斌 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2003-10-15 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：声光调频一次曝光成像干涉光刻方法及其系统，其特征是使用两个声光调频器，将从激光器发出的波长为λ的激光的频率产生移动，形成一束波长为λ+Δλ的激光，用于在x方向离轴照明光掩模；形成一束波长为λ－Δλ的激光，用于在y方向离轴照明同一光掩模；用波长为λ的激光垂直照明光掩模，由于三束光为不相干涉光，因此三束光各自产生的像在硅片表面非相干叠加，形成最终的掩模像。该方法原理简单，无须用三台波长不同的激光器，或先后分别进行三次曝光，只需同时进行三波长一次曝光就可以完成成像干涉光刻曝光，而且用衰减滤光器可调节垂直照明，x方向倾斜照明和y方向倾斜照明的光强度以改变三束光的曝光量比例以优化像质；同时在参考光R_x、R_y光路中设置滤光片，以调节x方向、y方向曝光时零级光与高频分量的强度比，以利优化像质。
声光调频一次曝光成像干涉光刻方法及其系统

[发明专利]光刻胶掩模及其制作方法-CN02153956.1无效
发明人：侯德胜;冯伯儒;张锦 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2002-12-09 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：光刻胶掩模及其制作方法，该掩模由透明基片上的光刻胶膜层构成，利用光刻胶膜层对不同波长入射光的透过率不同的特性，选用对曝光波长透过率低的光刻胶膜层直接作为掩蔽层，该光刻胶掩蔽层对曝光光束的透过率在5％以内。其制作方法是将选用的光刻胶按实验确定的厚度用匀胶机均匀涂敷在玻璃或石英等透明基片上，做成光刻胶版；再对光刻胶版进行曝光、显影等工艺处理后制成有图形的实用掩模。该掩模结构简单，制作容易，成本低，且对环境不造成污染，采用该掩模可达到与普通铬掩模相同的光刻分辨力。
光刻胶掩模及其制作方法

[发明专利]衰减相移掩模及其制作方法-CN00113046.3无效
发明人：候德胜;冯伯儒;孙方;张锦 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2000-06-21 - 公布日： 2002-01-09 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单层膜结构的衰减相移掩模及其制作方法。该衰减相移掩模由基片上的光致抗蚀剂膜层构成同时满足衰减率和相移度要求的单层膜。其制作方法是将光致抗蚀剂均匀涂敷在玻璃或石英等透明基片上,成为衰减相移膜层,从而制成单层膜结构的衰减相移掩模基板;再对基板曝光、显影、清洗、烘干后制成有图形的实用衰减相移掩模。该衰减相移掩模结构简单,制作容易,成本低。采用该衰减相移掩模可显著提高光刻分辨力。
衰减相移及其制作方法

[实用新型]一种干涉光刻多光束形成系统-CN00244922.6无效
发明人： 冯伯儒;张锦;蒋世磊;宗德蓉;苏平 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2000-11-08 - 公布日： 2001-09-19 - 主分类号： G03F7/22 文献下载
摘要：一种干涉光刻多光束形成系统,属于对微细图形干涉光刻系统的改进。其特征是激光器发出的光经扩束、空间滤波和准直之后照射到一个梯形棱镜上,经该棱镜折射形成五束在一定距离处相迭加的平行光,这些光束由区域性选择开启的快门控制,在涂有感光材料的基片上产生双光束、三光束、四光束和五光束干涉光刻图形。该系统结构简单、成本低,所产生的多光束之间的光程差小。该系统可广泛用于光电子、微电子器件、大屏幕显示器和场发射器件阵列的产生。
一种干涉光刻光束形成系统

[实用新型]一种用于X射线光刻的相移掩模-CN00223443.2无效
发明人： 冯伯儒;张锦;侯德胜 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2000-06-21 - 公布日： 2001-05-30 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种用于X射线光刻的相移掩模,由基片和基片上的掩模图形膜层组成。掩模图形膜层具有能产生180°相位延迟的一定厚度,并使用和基片相同的(或不同种类的)对X射线透明的材料,因此提高了掩模稳定性和光刻图形质量,解决了现有技术中用于X射线的掩模因吸收体较厚较重以及对X射线的吸收容易产生变形的问题。该掩模制作简单,可应用于大规模集成电路制造工艺中。
一种用于射线光刻相移

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