专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]永磁同步电机控制的过渡方法和永磁同步电机-CN202210413794.9在审
  • 李龙剑;王聪;崔介兵;杨甜戈;杨庆庆;张伦 - 兆易创新科技集团股份有限公司
  • 2022-04-15 - 2023-10-27 - H02P6/10
  • 公开了一种永磁同步电机控制的过渡方法和永磁同步电机。所述方法包括:在判定到达切换条件时,基于当前的第一控制方法计算第一参考电流,并且确定过渡控制的过渡参考电流输出总次数;逐次输出过渡参考电流用于对电机进行控制,所述过渡参考电流由第一参考电流和第二参考电流加权求取,其中,基于目标控制电机的第二控制方法计算所述第二参考电流,第二参考电流的权值为过渡函数f(k),第一参考电流的权值为1‑f(k);以及在过渡参考电流输出次数k到达所述总次数时,使用第二控制方法输出的参考电流对电机进行控制。本公开经由过渡函数基于过渡参考电流输出次数的迭代实现平滑过渡。可根据电机加减速所面临的具体场景灵活选择过渡函数和迭代次数,具有通用性。
  • 永磁同步电机控制过渡方法
  • [发明专利]永磁同步电机死区效应补偿方法和永磁同步电机-CN202210403392.0在审
  • 崔介兵;王聪;王智玮;李龙剑;杨庆庆;张伦;杨甜戈 - 兆易创新科技集团股份有限公司
  • 2022-04-18 - 2023-10-27 - H02P6/10
  • 公开了一种永磁同步电机死区效应补偿方法和永磁同步电机。所述方法包括:获取合成电流矢量所在的当前扇区的ABC三相电流流向;根据当前扇区内ABC三相各自的电流流向,对ABC三相各自的三相开通时间进行补偿以使得在当前扇区对应的补偿电压矢量方向上的作用增加预定时间;以及在合成电流矢量进入ABC三相电流的过零点所在近零扇区时,以补偿增益k降低对三相开通时间所进行的补偿。本公开通过在合适位置插入相对固定的死区时间来实现补偿以降低死区效应带来的输出电压误差及其它影响,并且在ABC三相电流的过零点附近降低上述补偿,来避免因电流在过零点附近反复过零而导致的补偿出错。进一步地,还可以通过硬件前馈补偿来弥补如上固定时间补偿的损失。
  • 永磁同步电机死区效应补偿方法
  • [发明专利]一种电荷泵泄放电路-CN201611128462.7有效
  • 邓龙利 - 兆易创新科技集团股份有限公司
  • 2016-12-09 - 2023-10-10 - H02M3/07
  • 本发明实施例公开了一种电荷泵泄放电路,所述电路包括:至少两个放电单元,与各级电荷泵的放电节点一一对应连接,用于在放电控制信号的控制下对各级电荷泵的放电节点进行放电;放电时序控制单元,与所述至少两个放电单元一一对应连接,用于在第一使能信号和第二使能信号的控制下产生设定时序关系的放电控制信号,以使所述放电控制信号控制所述至少两个放电单元按照设定时序关系依次进行放电,实现了使电荷泵电路的各放电节点放电更安全的目的,提高了电荷泵的可靠性。
  • 一种电荷泵泄放电路
  • [发明专利]一种NAND闪存芯片的测试样本-CN201611224670.7有效
  • 台生斌 - 兆易创新科技集团股份有限公司
  • 2016-12-27 - 2023-10-10 - G11C29/56
  • 本发明实施例公开了一种NAND闪存芯片的测试样本,其中,所述测试样本包括多个相同的样本区域,每个样本区域包括多个相邻的数据块,所述多个相邻的数据块用于进行不同擦写次数的测试;所述多个相同的样本区域中,任意两个相邻的样本区域之间间隔预设数量的相邻数据块。本发明实施例通过将多个相邻的数据块构成样本区域,用于进行不同擦写次数的测试,并在测试样本中以一定的间隔均匀分布多个相同的样本区域,从而在单芯片上实现多种擦写次数的测试,不仅降低了测试成本,同时又能覆盖不同擦写次数的测试,实现NAND闪存芯片的基本性能评估。
  • 一种nand闪存芯片测试样本
  • [发明专利]一种电荷泵和电荷泵电路-CN201611251510.1有效
  • 方海彬;刘铭 - 兆易创新科技集团股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
  • 2016-12-29 - 2023-09-29 - H02M3/07
  • 本发明提供一种电荷泵和电荷泵电路,电荷泵包括:第一电容接收第一时钟信号,第二电容接收第二时钟信号;时钟信号产生模块对第三时钟信号和第四时钟信号进行升压,以对应生成第五时钟信号和第六时钟信号;第一至第四时钟信号互不交叠;第一NMOS管的漏端和第二NMOS管的漏端与输入电压提供端相连;第三NMOS管,栅端接收第六时钟信号,漏端与第一NMOS管的源端相连,漏端与第一NMOS管的源端分别与第一电容的另一端和第二NMOS管的栅端相连;第四NMOS管,漏端与第二NMOS管的源端相连,栅端接收第五时钟信号,漏端与第二NMOS管的源端分别与第二电容的另一端和第一NMOS管的栅端相连。本发明能有效减小输出纹波。
  • 一种电荷电路
  • [发明专利]一种基于非易失存储器的卷积运算方法以及装置-CN201811603522.5有效
  • 刘阳 - 兆易创新科技集团股份有限公司
  • 2018-12-26 - 2023-09-26 - G06F17/15
  • 本发明一种基于非易失存储器的卷积运算方法以及装置,本发明涉及图像识别领域,所述方法包括:对所述多个存储单元中每一个存储单元设定跨导,设定的跨导数值为进行卷积运算所需卷积核的值,对所述多个存储单元进行分组,将预设图像矩阵中元素的值,输入到每一组存储单元,使得一个元素的值对应一个存储单元的门极电压,根据存储单元的特性,读取每组存储单元的漏端电流,形成卷积运算的结果矩阵。本发明提供的一种基于非易失存储器的卷积运算方法以及装置,通过将图像矩阵中的元素值设定为存储单元的门极电压,将卷积核的值设定为存储单元的跨导,读取漏端电流,就完成卷积运算,缩短了卷积运算时间,提高了卷积运算的效率。
  • 一种基于非易失存储器卷积运算方法以及装置
  • [发明专利]一种运算放大器-CN201911141985.9有效
  • 谢灿 - 兆易创新科技集团股份有限公司
  • 2019-11-20 - 2023-09-26 - H03F3/45
  • 本发明实施例公开了一种运算放大器,该运算放大器包括:轨至轨输入级电路、瞬态增强电路和class AB输出级电路;瞬态增强电路包括:第一比较器,第一比较器的第一输入端和第二输入端分别与轨至轨输入级电路的第一输入端和第二输入端电连接;第一晶体管,第一晶体管的栅极与第一比较器的输出端电连接,第一晶体管的漏极与class AB输出级电路的第一输入端电连接;第二比较器,第二比较器的第一输入端和第二输入端分别与第一比较器的第一输入端和第二输入端电连接;第二晶体管,第二晶体管的栅极与第二比较器的输出端电连接,第二晶体管的漏极与class AB输出级电路的第二输入端电连接。本发明实施例提供的运算放大器,通过瞬态增强电路提高运放输出端的压摆率。
  • 一种运算放大器
  • [发明专利]一种EMMC测试装置及方法-CN201711353738.6有效
  • 卫然 - 兆易创新科技集团股份有限公司
  • 2017-12-15 - 2023-09-26 - G11C29/56
  • 本发明公开了一种EMMC测试装置及方法,所述装置包括:主机、EMMC电压控制器、EMMC芯片以及EMMC控制器;其中,主机用于向EMMC电压控制器发送电压范围控制指令;EMMC电压控制器用于根据主机发送的电压范围控制指令输出目标测试电压至EMMC芯片的电源;EMMC芯片用于接收EMMC控制器发送的测试指令,并将测试结果反馈给EMMC控制器;EMMC控制器用于接收主机发送的测试指令,并将EMMC芯片反馈的测试结果发送给主机,以供主机根据测试结果判定被供电的EMMC芯片的运行状态是否正常。通过采用本实施例提供的EMMC测试装置,可检测出EMMC芯片能承受的电压范围,且可实现对EMMC芯片的抗噪声能力进行检测,以及实现对EMMC芯片承受波动电压的能力进行检测。
  • 一种emmc测试装置方法

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