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[发明专利]RAMO4-CN201710068257.4有效
发明人：鹰巢良史;冈山芳央;石桥明彦;田代功;上田章雄;信冈政树;领木直矢 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-02-07 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在一面具有外延生长面，在另一面具有暗光面，所述暗光面具有比所述外延生长面更大的表面粗糙度。
ramo base sub

[发明专利]ScAlMgO4-CN201910197077.5有效
发明人：宫野谦太郎;柳田直人;领木直矢;旭雄大;信冈政树 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种ScAlMgO4单晶基板及其制造方法，其能够减少晶向的错乱。提供一种ScAlMgO4单晶基板，将基板的中心设为坐标(0，0)，且将测定光束的宽度设为1mm×7mm，在用X射线衍射法分别对在x轴方向上以1mm的间隔从(x‑m，0)到(xm，0)和在y轴方向上以1mm的间隔从(0，y‑n)到(0，yn)的坐标位置进行分析时，各所述坐标位置处的摇摆曲线的半峰全宽的最差值小于20秒，其中，m及n是使所述测定光束收敛在不超出基板的范围内的整数。
scalmgo base sub

[发明专利]RAMO4-CN201711280650.6有效
发明人：小松真介;冈山芳央;信冈政树 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供品质更良好的RAMO4基板。本发明提供一种RAMO4基板，其包含含有通式RAMO4表示的单晶体(通式中，R表示选自由Sc、In、Y和镧系元素组成的组中的一种或多种三价元素，A表示选自由Fe(III)、Ga和Al组成的组中的一种或多种三价元素，M表示选自由Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd组成的组中的一种或多种二价元素)的RAMO4单晶基板，所述RAMO4单晶基板在主面具备多个槽，所述主面相对于所述单晶体的劈开面具有偏离角θ，将位于所述槽间的凸部的顶面的宽度记作Wx，并将所述凸部的高度记作Wy时，满足tanθ≤Wy/Wx。
ramo base sub

[发明专利]ScAlMgO4-CN201910438215.4有效
发明人： 信冈政树;宫野谦太郎;领木直矢;旭雄大;上田章雄 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种ScAlMgO4单晶及器件，以提供高品质的ScAlMgO4单晶及器件为课题。ScAlMgO4单晶含有Sc、Al、Mg和O，由电感耦合等离子体发射光谱分析法测定的Mg和Al的原子百分率之比即Mg/Al(原子％/原子％)为大于1且小于1.1。
scalmgo base sub

[发明专利]RAMO4-CN201710055484.3有效
发明人：鹰巢良史;冈山芳央;石桥明彦;田代功;上田章雄;信冈政树;领木直矢 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在至少一面具有外延生长面，在所述外延生长面没有高度500nm以上的凹凸。
ramo base sub

[发明专利]波长转换装置-CN202010297701.1在审
发明人：宫野谦太郎;领木直矢;石桥明彦;信冈政树 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明提供一种与以往相比转换后的波长短的波长转换装置。波长转换装置具备：由通式RAMO4所示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一种或多种三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一种或多种三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一种或多种二价元素)形成的第一层；以及由上述通式RAMO4所示的单晶体形成且极化方向与上述第一层相比反转180°的第二层。
波长转换装置

[发明专利]波长转换装置-CN202010497257.8在审
发明人：领木直矢;宫野谦太郎;大野启;石桥明彦;信冈政树 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：一种波长转换装置，其具有腔室，该腔室包含RAMO4晶体、激光晶体和镜，所述RAMO4晶体含有由通式RAMO4所示的单晶体，其中，通式中，R表示选自Sc、In、Y及镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga及Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn及Cd中的一个或多个二价元素。
波长转换装置

[发明专利]RAMO4基板及其制造方法-CN201710066347.X有效
发明人：鹰巢良史;冈山芳央;石桥明彦;田代功;上田章雄;信冈政树;领木直矢 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-02-06 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供更高品质的基板。解决方法为一种RAMO4基板，其是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，在至少一面具有外延生长面，所述外延生长面具有有规则性分布的、相互分离的多个劈开面。
ramo4 及其制造方法

[发明专利]ScAlMgO4-CN202010082054.2在审
发明人：宫野谦太郎;领木直矢;石桥明彦;信冈政树 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种解理性高、且在基板上生长的GaN膜不易破裂的ScAlMgO4单晶基板及其制造方法。将通过使用电感耦合等离子体发射光谱分析法进行分析而得的结晶中的氧浓度设为57原子％以下。
scalmgo base sub

[发明专利]RAMO4-CN201911239070.1在审
发明人：领木直矢;宫野谦太郎;信冈政树;石桥明彦 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及RAMO4基板及其制造方法、以及III族氮化物半导体。本发明提供一种在形成III族氮化物结晶时或其制作后难以破裂的RAMO4基板。制成下述RAMO4基板，其包含通式RAMO4所示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一种或多种三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一种或多种三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一种或多种二价元素)，在通过上述RAMO4基板中心的直线上测定多个位置Xi的X射线峰位置ωi时，由该ωi和测定位置Xi算出的结晶面的曲率半径r的绝对值为52m以上，该ω与测定位置Xi的相关系数ρ的平方为0.81以上。
ramo base sub

[发明专利]III族氮化物结晶的制造方法、以及含RAMO4基板-CN201710068240.9在审
发明人：冈山芳央;信冈政树 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-02-07 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供在RAMO4基板上通过助熔剂法制造高品质的III族氮化物结晶的方法。所述III族氮化物结晶的制造方法包括在包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板的外延生长面以外的区域形成保护层的保护层形成工序；在所述RAMO4基板的外延生长面上，通过助熔剂法形成III族氮化物结晶的结晶形成工序。
iii 氮化物结晶制造方法以及 ramo4 基板

[发明专利]燃料处理装置-CN200980000550.0有效
发明人： 信冈政树;永井宏幸;岛和也;吉本美由纪;宫崎雅保 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-05-26 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： C01B3/38 文献下载
摘要：一种用于燃料电池的燃料处理装置，其包括：改质部，其生成含有一氧化碳和水的富氢气体；变换部，其使所述富氢气体中的一氧化碳和水反应而生成含有低浓度的一氧化碳的富氢气体；混合流路，其将所述含有低浓度的一氧化碳的富氢气体与含有氧的空气混合而生成混合气体；空气供给部，其与所述混合流路的上游端连接，将空气供给到所述混合流路；以及选择氧化部，其与所述混合流路的下游端连接，使所述混合气体中的一氧化碳与氧反应而生成燃料气体，所述混合流路由上游侧的气体供给区域和下游侧的气体扩散区域构成，并且具有将所述气体供给区域和所述变换部连接的两个以上的气体供给口，所述气体扩散区域的长度为所述气体供给区域的长度的0.5～2倍。
燃料处理装置

[发明专利]燃料电池用隔板及燃料电池-CN200680050545.7有效
发明人：日下部弘树;松本敏宏;川畑德彦;长尾善辉;竹口伸介;武部安男;信冈政树 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01M8/02 文献下载
摘要：一种燃料电池用隔板(2)中，蜿蜒状的反应气体流通区域(101)的折返部被连通于凹陷部(28)的一对流路沟组之间的倾斜边界和所述折返部的外端(28a)划分出。从凹陷部(28)的底面站立设置并配置为岛状的多个突起(27)配置为，1个以上的突起(27)在外端(28a)的延伸方向上形成隔开相连的多个列，并且，1个以上的突起(27)在相对于外端(28a)的延伸方向垂直的方向上形成隔开间隔相连多个层。被构成1个层的突起(27)引导并在外端(28a)的延伸方向上行进的反应气体的流动，被构成与该1个层邻接的层的突起(27)扰乱。
燃料电池隔板

[发明专利]燃料电池用隔板和燃料电池-CN200680029281.7有效
发明人：日下部弘树;松本敏宏;川畑德彦;长尾善辉;竹口伸介;武部安男;信冈政树 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-08-04 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01M8/02 文献下载
摘要：本发明提供能够改善反应气体流速均匀性并且能够适当地抑制由于流路沟槽内的冷凝水过多引起的液阻的隔板和燃料电池。隔板(2)的反应气体流通区域(101)备有：具有分流反应气体的流路沟槽组的分流区域(21)，具有混合反应气体的凹陷部并使相邻的分流区域(21)的流路沟槽组与凹陷部连通地连接多个分流区域的1个以上的合流区域(22)，以及从凹陷部的底面立起配置成岛状的突起(27)，与合流区域(22)的凹陷部连通的一对流路沟槽组形成为上游侧的流路沟槽组的沟槽数多于下游侧的流路沟槽组的沟槽数，合流区域(22)的凹陷部在蜿蜒状的反应气体流通区域(101)的折返部分由与连通于凹陷部的一对流路沟槽组之间的倾斜的边界和折返部分的外端划分而形成。
燃料电池隔板

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