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[发明专利]RAMO4-CN201710068257.4有效
发明人：鹰巢良史;冈山芳央;石桥明彦;田代功;上田章雄;信冈政树;领木直矢 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-02-07 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在一面具有外延生长面，在另一面具有暗光面，所述暗光面具有比所述外延生长面更大的表面粗糙度。
ramo base sub

[发明专利]发光装置、制造方法以及波导构造体-CN202111471755.6在审
发明人： 领木直矢;西川幸男;旭雄大;冈山芳央 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：发光装置具备：光源，从光出射面出射具有指向性的光；波导构造体，具有：具有与光出射面对置的入口的光波导路径以及从入口向光出射面侧突出的周壁部；和透镜，处于光出射面与入口之间。周壁部具有包围入口的内表面。在周壁部，光出射面侧的开口比入口侧的开口大。周壁部包含从光的光轴的方向来看而周壁部的内部空间比透镜小的窄口部位。周壁部的内表面至少在窄口部位，包含倾斜为越接近入口则内部空间越窄的倾斜面。透镜被配置为在周壁部的内部空间与窄口部位抵接。
发光装置制造方法以及波导构造

[发明专利]ScAlMgO4-CN201910197077.5有效
发明人：宫野谦太郎;柳田直人;领木直矢;旭雄大;信冈政树 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种ScAlMgO4单晶基板及其制造方法，其能够减少晶向的错乱。提供一种ScAlMgO4单晶基板，将基板的中心设为坐标(0，0)，且将测定光束的宽度设为1mm×7mm，在用X射线衍射法分别对在x轴方向上以1mm的间隔从(x‑m，0)到(xm，0)和在y轴方向上以1mm的间隔从(0，y‑n)到(0，yn)的坐标位置进行分析时，各所述坐标位置处的摇摆曲线的半峰全宽的最差值小于20秒，其中，m及n是使所述测定光束收敛在不超出基板的范围内的整数。
scalmgo base sub

[发明专利]ScAlMgO4-CN201910438215.4有效
发明人：信冈政树;宫野谦太郎;领木直矢;旭雄大;上田章雄 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种ScAlMgO4单晶及器件，以提供高品质的ScAlMgO4单晶及器件为课题。ScAlMgO4单晶含有Sc、Al、Mg和O，由电感耦合等离子体发射光谱分析法测定的Mg和Al的原子百分率之比即Mg/Al(原子％/原子％)为大于1且小于1.1。
scalmgo base sub

[发明专利]RAMO4-CN201710055484.3有效
发明人：鹰巢良史;冈山芳央;石桥明彦;田代功;上田章雄;信冈政树;领木直矢 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在至少一面具有外延生长面，在所述外延生长面没有高度500nm以上的凹凸。
ramo base sub

[发明专利]波长转换装置-CN202010297701.1在审
发明人：宫野谦太郎;领木直矢;石桥明彦;信冈政树 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明提供一种与以往相比转换后的波长短的波长转换装置。波长转换装置具备：由通式RAMO4所示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一种或多种三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一种或多种三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一种或多种二价元素)形成的第一层；以及由上述通式RAMO4所示的单晶体形成且极化方向与上述第一层相比反转180°的第二层。
波长转换装置

[发明专利]波长转换装置-CN202010497257.8在审
发明人： 领木直矢;宫野谦太郎;大野启;石桥明彦;信冈政树 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：一种波长转换装置，其具有腔室，该腔室包含RAMO4晶体、激光晶体和镜，所述RAMO4晶体含有由通式RAMO4所示的单晶体，其中，通式中，R表示选自Sc、In、Y及镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga及Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn及Cd中的一个或多个二价元素。
波长转换装置

[发明专利]RAMO4基板及其制造方法-CN201710066347.X有效
发明人：鹰巢良史;冈山芳央;石桥明彦;田代功;上田章雄;信冈政树;领木直矢 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-02-06 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供更高品质的基板。解决方法为一种RAMO4基板，其是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，在至少一面具有外延生长面，所述外延生长面具有有规则性分布的、相互分离的多个劈开面。
ramo4 及其制造方法

[发明专利]ScAlMgO4-CN202010082054.2在审
发明人：宫野谦太郎;领木直矢;石桥明彦;信冈政树 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种解理性高、且在基板上生长的GaN膜不易破裂的ScAlMgO4单晶基板及其制造方法。将通过使用电感耦合等离子体发射光谱分析法进行分析而得的结晶中的氧浓度设为57原子％以下。
scalmgo base sub

[发明专利]RAMO4-CN201911239070.1在审
发明人： 领木直矢;宫野谦太郎;信冈政树;石桥明彦 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及RAMO4基板及其制造方法、以及III族氮化物半导体。本发明提供一种在形成III族氮化物结晶时或其制作后难以破裂的RAMO4基板。制成下述RAMO4基板，其包含通式RAMO4所示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一种或多种三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一种或多种三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一种或多种二价元素)，在通过上述RAMO4基板中心的直线上测定多个位置Xi的X射线峰位置ωi时，由该ωi和测定位置Xi算出的结晶面的曲率半径r的绝对值为52m以上，该ω与测定位置Xi的相关系数ρ的平方为0.81以上。
ramo base sub

[发明专利]热处理装置-CN201210113436.2有效
发明人： 领木直矢;关口大好;岩上祐司 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： F27B9/04 文献下载
摘要：本发明提供一种不需要多余的空间和追加的热源而对保护气进行预热，实现与被处理物接触的气体的温度的均匀化，且能够抑制热处理不均的热处理装置。供给保护气的气体供给管(19)具备内侧管(27)和外侧管(28)，内侧管(27)具有气体喷出口(30)，外侧管(28)设置在内侧管(27)的外侧且具有气体喷出口(31)，在将气体喷出口(30)的轮廓向外侧管(28)的内壁面垂直投影时的投影图中，气体喷出口(30)与气体喷出口(31)不重叠，由此，从炉体外部向内侧管(27)导入的保护气在通过内侧管(27)的内部、及内侧管(27)与外侧管(28)的间隙的期间被炉内温度预热。其结果是，将均匀的温度的保护气向被处理物(11)供给。
热处理装置

[发明专利]漂浮搬运方法及漂浮搬运装置-CN201110184725.7有效
发明人：中村泰启;松田直子;领木直矢;中裕之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： B65H5/22 文献下载
摘要：一种能稳定地搬运带状物的漂浮搬运方法及漂浮搬运装置。交替反复进行第一气体喷出工序和第二气体喷出工序来搬运带状物(30)，其中，在所述第一气体喷出工序中，从第一横向移动喷嘴(8)对所要搬运的带状物(30)的下表面喷出气体，从而使带状物(30)朝与带状物(30)的搬运方向正交的第一方向移动，在所述第二气体喷出工序中，从第二横向移动喷嘴(9)对带状物(30)的下表面喷出气体，从而使带状物(30)朝与第一方向相反的第二方向移动。
漂浮搬运方法装置

[发明专利]烧成装置-CN201080001914.X无效
发明人： 领木直矢;松田直子;中裕之;有元真司 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-05-25 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： F27B9/04 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种可在抑制烧成不均的同时、实现生产性的提高的烧成装置。本发明的烧成装置的特征为，包括：炉体(13)，该炉体(13)具有内部空间且在该内部空间中对粉体状或粒体状的被处理物(11)进行烧成；气体喷出部(21)，该气体喷出部(21)具有从在所述炉体(13)的内部空间中进行传送的所述被处理物(11)的上方喷出气氛气体的开口；气体提供部(18)，该气体提供部(18)从所述炉体(13)的侧壁(13c)向所述气体喷出部(21)提供所述气氛气体；及加热部(24a、24b)，该加热部(24a、24b)控制所述炉体(13)的内部空间的温度分布。
烧成装置

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