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[发明专利]改善腔室性能的氟化物涂层-CN202180054207.5在审
发明人：詹妮弗·Y·孙;仁观·段;加亚特里·纳图;金泰远;黄际勇;尼廷·迪帕克;保罗·布里尔哈特;张林;陈奕凯;桑尼·辛尼卡·塞帕拉;加内什·巴拉萨布拉曼尼恩;胡安·卡洛斯·罗奇;尚卡•文卡塔拉曼;凯瑟琳·伊丽莎白·沃 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式涉及制品、经涂布的腔室部件，以及通过保护涂层涂布腔室部件的方法，所述保护涂层包括具有选自由M1xFw、M1xM2yFw及M1xM2yM3zFw6组成的组的式的至少一种金属氟化物，其中M1、M2或M3中的至少一者为镁或镧。可通过原子层沉积、化学气相沉积、电子束离子辅助沉积或物理气相沉积来沉积保护涂层。
改善性能氟化物涂层

[发明专利]热处理基座-CN202010769707.4有效
发明人：安哈图·恩戈;朱作明;巴拉苏布拉马尼恩·拉马钱德雷;保罗·布里尔哈特;埃德里克·唐;常安忠;建·彭·陆;卡尔蒂克·萨哈;舒伯特·S·楚;丛者澎;詹姆斯·弗朗西斯·麦克;尼伊·O·妙;凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔;李学斌;黄奕樵;叶祉渊 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：在一个实施方式中，提供用于热处理的基座。该基座包含：外轮缘，该外轮缘环绕且耦合至内盘，该外轮缘具有内边缘及外边缘。该基座进一步包含一个或更多个结构，该一个或更多个结构用于在基板受该基座支撑时减低该基板与该基座之间的接触表面面积。该一个或更多个结构的其中至少一者耦合至该内盘接近该外轮缘的该内边缘。
热处理基座

[发明专利]在EPI腔室中的基板热控制-CN201580026819.8有效
发明人：安哈图·恩戈;舒伯特·S·楚;尼欧·O·谬;保罗·布里尔哈特;黄奕樵;朱作明;凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔;卡尔蒂克·萨哈;埃德里克·唐;李学斌;丛者澎;巴拉苏布拉马尼恩·拉马钱德雷 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-06-09 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：在一个实施方式中，提供用于热处理腔室的底座。该底座包含基座，该基座具有前侧及后侧，该后侧相对于该前侧且由热传导材料制成，其中该基座包含周边区域，该周边区域围绕凹陷区，该凹陷区厚度小于该周边区域的厚度；以及多个突起特征结构，该多个突起特征由该前侧及该后侧中的一者或两者突出。
epi 中的基板热控制

[发明专利]用于半导体处理腔室的经涂布的衬里组件-CN202010676248.5在审
发明人：约瑟夫·M·拉内什;萨瑟施·库珀奥;凯拉什·基兰·帕塔雷;保罗·布里尔哈特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文公开的实施方式关于用于半导体处理腔室中的经涂布的衬里组件。在一个实施方式中，一种用于半导体处理腔室中的衬里组件包括：衬里主体，该衬里主体具有圆柱环形状；以及涂层，该涂层涂覆该衬里主体，其中该涂层在介于约200nm与约5000nm之间的一个或更多个波长下是不透明的。在另一个实施方式中，一种用于沉积介电层于基板上的设备包括：处理腔室，该处理腔室具有内部空间，该内部空间界定于该处理腔室的腔室主体中；衬里组件，该衬里组件设置于该处理腔室中，其中该衬里组件进一步包括：衬里主体，该衬里主体具有圆柱环形状；以及涂层，该涂层涂覆该衬里主体的外壁并且面向该腔室主体，其中该涂层在介于约200nm与约5000nm之间的一个或更多个波长下是不透明的。
用于半导体处理经涂布衬里组件

[发明专利]用以减少边缘热峰的基座设计-CN201580061349.9有效
发明人：舒伯特·S·楚;卡尔蒂克·萨哈;安哈图·恩戈;卡廷克·拉马斯瓦米;维皮·帕塔克;尼欧·O·谬;保罗·布里尔哈特;理查德·O·柯林斯;凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔;埃德里克·唐;哲鹏·丛;常安中;劳建邦;马尼施·赫姆卡 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体基板热处理的基座。在一个实施方式中，基座包括第一缘边(rim)与第二缘边，第一缘边环绕内部区域且耦接至内部区域，第二缘边设置于内缘边与第一缘边之间。第二缘边包含倾斜支撑表面，倾斜支撑表面具有形成于倾斜支撑表面中的多个切口，且倾斜支撑表面相对于内部区域的顶表面倾斜。
用以减少边缘基座设计

[发明专利]用于校准基座的设备及方法-CN201580036364.8有效
发明人：埃德里克·唐;詹姆斯·弗朗西斯·麦克;保罗·布里尔哈特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-06-08 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明所述的实施方式一般涉及用于将基座耦接至处理腔室的杆组件。杆组件包括枢轴机构、第一弹性密封件、第二弹性密封件、壳体与运动组件，其中第一弹性密封件耦接至枢轴机构，第二弹性密封件耦接至板的第一侧上的板，该板具有耦接至第一弹性密封件的第二侧，壳体耦接至第二弹性密封件，运动组件经调整而在X轴与Y轴上移动壳体并将基座相对于处理腔室的X‑Y平面以角度地定位。
用于校准基座设备方法

[发明专利]外延基环-CN201711105746.9有效
发明人：史蒂夫·阿博阿杰;保罗·布里尔哈特;苏拉吉特·库马尔;常安忠;萨瑟施·库珀奥;穆罕默德·图格鲁利·萨米尔;戴维·K·卡尔森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-02-19 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本文描述的实施方式涉及用于基板处理腔室的基环组件。在一实施方式中，所述基环组件包括环形主体、上环与下环，所述环形主体的尺寸被设计以容置在所述基板处理腔室的内圆周内，所述环形主体包括装载端口以使基板通过、气体入口以及气体出口，其中所述气体入口与所述气体出口被设置在所述环形主体的相对端处，所述上环被配置以设于所述环形主体的顶表面上，所述下环被配置以设于所述环形主体的底表面上，其中所述上环、所述下环与所述环形主体一旦组装即大体呈同心或共轴的。
外延

[发明专利]热处理基座-CN201580023377.1有效
发明人：安哈图·恩戈;朱作明;巴拉苏布拉马尼恩·拉马钱德雷;保罗·布里尔哈特;埃德里克·唐;常安忠;建·彭·陆;卡尔蒂克·萨哈;舒伯特·S·楚;丛者澎;詹姆斯·弗朗西斯·麦克;尼伊·O·妙;凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔;李学斌;黄奕樵;叶祉渊 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：在一个实施方式中，提供用于热处理的基座。该基座包含：外轮缘，该外轮缘环绕且耦合至内盘，该外轮缘具有内边缘及外边缘。该基座进一步包含一个或更多个结构，该一个或更多个结构用于在基板受该基座支撑时减低该基板与该基座之间的接触表面面积。该一个或更多个结构的其中至少一者耦合至该内盘接近该外轮缘的该内边缘。
热处理基座

[发明专利]常压外延沉积腔室-CN201580047552.0有效
发明人：刘树坤;穆罕默德·图格鲁利·萨米尔;尼欧·谬;亚伦·米勒;阿伦·缪尔·亨特;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;保罗·布里尔哈特;约瑟夫·M·拉内什;卡尔蒂克·萨哈;丹尼斯·L·德玛斯;萨瑟施·库珀奥 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本文中所述的实施方式揭露了外延沉积腔室及其部件。在一个实施方式中，腔室可包括定位于处理区域中的基板支撑件、包括多个辐射能量源的辐射能组件、具有上衬垫及下衬垫的衬垫组件及定位于所述基板支撑件与所述辐射能组件之间的拱形结构组件。本文中所述的外延沉积腔室允许处理较大的基板，同时维持了产量、降低了成本且提供了可靠均匀的沉积产品。
常压外延沉积

[发明专利]具有减少反射的表面特征结构的基板支撑件和用于生产该基板支撑件的制造技术-CN201480039732.X有效
发明人：刘树坤;约瑟夫·M·拉内什;保罗·布里尔哈特;穆罕默德·图格鲁利·萨米尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供用于减少处理腔室中的热信号噪声的方法和设备，这些方法和设备使用非接触温度感测装置来测量处理腔室中的部件的温度。在某些实施方式中，用来支撑处理腔室中的基板的基座包括第一表面，所述第一表面包括基板支撑表面；和与所述第一表面相对的第二表面，其中所述第二表面的一部分包括用来吸收入射辐射能量的特征结构。
具有减少反射表面特征结构支撑用于生产制造技术

[发明专利]用于低压热处理的光导管结构窗-CN201580022142.0有效
发明人： 保罗·布里尔哈特;约瑟夫·M·拉内什;阿伦·缪尔·亨特;埃德里克·唐;詹姆斯·弗朗西斯·麦克;劳建邦;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;叶祉渊;常安忠 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开的实施方式涉及用于半导体基板的热处理的光导管结构。在一个实施方式中，用于热处理腔室的光导管窗结构包括透明板及多个光导管结构，多个光导管结构形成在与透明板耦接的透明材料中，多个光导管结构的各个包含反射表面且具有纵轴，该纵轴以与透明板的平面有实质垂直关系的方式设置。
用于低压热处理导管结构

[发明专利]具有注入组件的上部圆顶-CN201580008431.5有效
发明人： 保罗·布里尔哈特;常安忠;埃德里克·唐;建·彭·陆;詹姆斯·弗朗西斯·麦克;叶祉渊;卡尔蒂克·沙阿;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;戴维·K·卡尔森;萨瑟施·库珀奥;约瑟夫·M·拉内什 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在此所提供的实施方式一般涉及用于将气体输送至半导体处理腔室的设备。外延半导体处理腔室的上部石英圆顶具有被形成于其内的多个孔洞且前驱物气体通过上部圆顶的孔洞而被提供进入处理腔室的处理空间。气体输送管件从圆顶内的孔洞延伸至凸缘板，在凸缘板中管件耦接于气体输送线。气体输送设备致使气体能够通过石英上部圆顶而被输送至基板上方的处理空间。
具有注入组件上部圆顶

[发明专利]装备有具有温度管理的灯头的基板处理系统-CN201380021316.2有效
发明人：约瑟夫·M·拉内什;保罗·布里尔哈特;萨瑟施·库珀奥;东明·尤 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：在此提供处理基板的设备。在一些实施方式中，在基板处理中所使用的灯头包括具有轮廓表面的单块构件；位于轮廓表面中的多个反射腔，其中每一个反射腔都具有作为反射镜或接收灯的可替换反射镜的形状；和多个灯通道，其中每一个灯通道都从多个反射腔之一延伸至单块构件中。
装备具有温度管理灯头处理系统

[发明专利]反射性衬里-CN201811081691.7在审
发明人：约瑟夫·M·拉内什;保罗·布里尔哈特;苏拉吉特·库马尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文公开用于处理半导体基板的装置。所述装置是具有光学透明的上圆顶及下圆顶的处理腔室。所述处理腔室在处理时维持真空。所述上圆顶通过使温度调节流体在所述处理区之外沿着所述上圆顶流动而被调节温度。热灯具被定位在下圆顶附近，且热传感器设置于所述灯具之间。所述灯具在区域中被供电，且控制器基于从热传感器接收的数据而调整所述灯具区域的电力。反射性衬里可提供用于改善的基板的温度测量及加热。
圆顶灯具衬里处理腔室热传感器反射性温度调节流体半导体基板光学透明温度测量控制器处理区基板加热供电流动

[发明专利]用于半导体处理腔室的吸收反射体-CN201610052005.8有效
发明人：劳建邦;保罗·布里尔哈特;巴拉苏布拉马尼恩·拉马钱德雷;萨瑟施·库珀奥;丹尼尔·雷德菲尔德;约瑟夫·M·拉内什;詹姆斯·弗朗西斯·麦克;凯拉什·基兰·帕塔雷;迈克尔·奥尔森;埃迪·菲热尔;理查德·哈尔平;布雷特·韦托尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式大致关于一种用于在热处理腔室中使用的反射体。在一个实施方式中，所述热处理腔室大致包含上圆顶；下圆顶，所述下圆顶与上圆顶相对，上圆顶及下圆顶界定处理腔室的内部空间；基板支撑件，所述基板支撑件设置在内部空间内；以及反射体，所述反射体安置在上圆顶上方并邻近所述上圆顶，其中反射体具有吸热涂层，所述吸热涂层沉积在反射体的面向基板支撑件的侧面上。
用于半导体处理吸收反射

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